佛山銀蝕刻液蝕刻液按需定制

    以帶動(dòng)該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風(fēng)刀裝置40的該***風(fēng)刀41下端部的方向移動(dòng)。該風(fēng)刀裝置40設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，該風(fēng)刀裝置40包括有一設(shè)置于該基板20上方的***風(fēng)刀41，以及一設(shè)置于該基板20下方的第二風(fēng)刀42，其中該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進(jìn)方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠(yuǎn)離該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設(shè)有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請(qǐng)一并參閱圖8與圖9所示，為本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖，以及宣泄孔的表面張力局部放大圖，其中該宣泄孔121為直通孔的態(tài)樣，當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板(本圖式未標(biāo)示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí)，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng)，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖8所示)，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問題；此外。蝕刻液的類別一般有哪些。佛山銀蝕刻液蝕刻液按需定制

618光電行業(yè)ITO**蝕刻液,專門針對(duì)氧化銦錫(ITO)玻璃導(dǎo)電薄膜鍍層圖線的脫膜蝕刻,它對(duì)于高阻抗ITO玻璃導(dǎo)電膜(PET-ITO)以及低阻抗ITO玻璃導(dǎo)電膜(PET-ITO)都且有優(yōu)良的蝕刻速度與效果。具有速度快、側(cè)蝕小、無沉淀、氣味小、不攻擊抗蝕層,不攻擊基材,操作控制簡(jiǎn)便靈活等非常***的優(yōu)點(diǎn),可采取自動(dòng)控制系統(tǒng)補(bǔ)加,也可人工補(bǔ)加方式。更重要的是絲毫不改變產(chǎn)品的導(dǎo)電阻抗電性數(shù)據(jù)。二、產(chǎn)品特點(diǎn)1)速度快市場(chǎng)之一般ITO蝕刻液速度大都在0.5nm/s,而KBX-618AITO蝕刻液蝕刻速度正?？刂圃?-10nm/s,速度快(具體設(shè)備情況有所差異)2)氣味小、無煙霧、對(duì)皮膚刺激*目前市場(chǎng)蝕刻液一般有強(qiáng)烈之氣味,溫度升高后放出一種刺鼻氣味,對(duì)操作人員身體健康和工作環(huán)境極為不利,但KBX-618A酸性蝕刻液采用的是有機(jī)活性添加劑3、用于有機(jī)基材膜,及各類玻璃底材,不影響生產(chǎn)材料導(dǎo)電阻抗數(shù)據(jù)。不攻擊底材,不攻擊抗蝕膜。KBX-556ITO**褪膜液一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介KBX-556引進(jìn)國(guó)外配方,采用進(jìn)口原料,非常規(guī)易燃溶劑,即非有毒醇醚硫等物質(zhì),是采用環(huán)保的極性活性劑,可以有效、快速地去除水溶性干膜,在板面不會(huì)留下殘?jiān)Ｔ谕蕵O細(xì)線寬線距板時(shí)效果尤其明顯,不會(huì)攻擊聚酰亞胺,PET,ITO,硅晶體,液晶屏,及弱金屬。深圳銅鈦蝕刻液蝕刻液推薦貨源哪家公司的蝕刻液的有售后？

    為本實(shí)用新型擋液板結(jié)構(gòu)其二較佳實(shí)施例的宣泄孔排列示意圖，以及其三較佳實(shí)施例的宣泄孔排列示意圖，在本實(shí)用新型其二較佳實(shí)施例中，開設(shè)于該第二擋板12上的宣泄孔121亦呈千鳥排列的直通孔態(tài)樣，且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離，例如：圖4中所示的w1，其中w1大于圖3的w或圖5的w2，其中w2大于w，而該宣泄孔121的一孔徑a0亦小于3mm，以使該宣泄孔121的孔洞內(nèi)產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象，若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現(xiàn)時(shí)，則該水滴不至于經(jīng)由該宣泄孔121落至下表面，但仍舊可以提供空氣宣泄的管道，以借由該宣泄孔121平衡該第二擋板12上、下二端部的壓力。此外，請(qǐng)參閱圖6與圖7所示，為本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖，以及擋液板結(jié)構(gòu)運(yùn)作局部放大圖，其中本實(shí)用新型的蝕刻設(shè)備1設(shè)置于一濕式蝕刻機(jī)的一槽體(圖式未標(biāo)示)內(nèi)，該蝕刻設(shè)備1包括有一如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)10、一輸送裝置30、一基板20，以及一風(fēng)刀裝置40，其中本實(shí)用新型主要借由具有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121的擋液板結(jié)構(gòu)10搭配該風(fēng)刀裝置40的硬體設(shè)計(jì)，有效使該風(fēng)刀裝置40吹出的氣體43得以由該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121宣泄。

    也不能在回收結(jié)束后對(duì)裝置內(nèi)部進(jìn)行清理的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置，包括裝置主體，所述裝置主體內(nèi)部中間位置固定安裝有分隔板，所述分隔板左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板，所述承載板上端表面放置有電解池，所述電解池內(nèi)部中間位置設(shè)置有隔膜，所述裝置主體上端表面靠近右側(cè)安裝有進(jìn)液漏斗，所述進(jìn)液漏斗上設(shè)置有過濾網(wǎng)，所述裝置主體內(nèi)部靠近頂端設(shè)置有進(jìn)液管，所述進(jìn)液管左端連接有伸縮管，所述伸縮管下端安裝有噴頭，所述裝置主體上端表面靠近左側(cè)固定安裝有液壓缸，所述液壓缸下端安裝有伸縮桿，所述伸縮桿下端固定安裝有圓環(huán)塊，所述圓環(huán)塊與噴頭之間固定連接有連接桿，所述分隔板右端表面靠近上端固定安裝有增壓泵，所述增壓泵下端與電解池之間連接有回流管，所述增壓泵上端與進(jìn)液管之間連接有一號(hào)排液管，所述回流管內(nèi)部左端設(shè)置有一號(hào)電磁閥，所述裝置主體左端表面靠近上端固定安裝有抽氣泵，所述抽氣泵下方設(shè)置有集氣箱，所述集氣箱與抽氣泵之間連接有排氣管，所述電解池下端連接有二號(hào)排液管，所述二號(hào)排液管內(nèi)部上端設(shè)置有二號(hào)電磁閥，所述裝置主體內(nèi)部底端靠近左側(cè)設(shè)置有傾斜板。友達(dá)光電用的哪家的蝕刻液？

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對(duì)于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對(duì)ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術(shù)難題，本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。4.具體地，本技術(shù)首先方面提供了一種ito蝕刻液，所述ito蝕刻液包括以下重量份數(shù)的各組分：20-22份的鹽酸，6-7份的硝酸，0.5-3份的酸抑制劑，0.5-3份的表面活性劑，以及水；其中，所述酸抑制劑包括n,n-二異丙基乙胺、n,n-二異丙基乙醇胺中的至少一種；所述表面活性劑包括聚氧乙烯脂肪胺、聚氧乙烯脂肪二胺中的至少一種。5.通過對(duì)蝕刻液中硝酸及鹽酸的含量進(jìn)行精確限定，以實(shí)現(xiàn)了對(duì)王水系蝕刻液蝕刻速度的初步調(diào)控，并在一定程度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)蝕刻角度的控制(蝕刻角度小于35京東方用的哪家的蝕刻液？合肥鋁鉬鋁蝕刻液蝕刻液溶劑

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    所述有機(jī)硫化合物具有作為還原劑及絡(luò)合劑(chelate)的效果。作為所述硫酮系化合物，例如可舉出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N'-二烷基硫脲、N,N,N'-三烷基硫脲、N,N,N',N'-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N'-二苯基硫脲及亞乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并無特別限制，推薦為碳數(shù)1至4的烷基。這些硫酮系化合物中，推薦使用選自由作為還原劑或絡(luò)合劑的效果及水溶性優(yōu)異的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。作為所述硫醚系化合物，例如可舉出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯鹽酸鹽、乙硫氨酸、2-羥基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷基的碳數(shù)并無特別限制，推薦為碳數(shù)1至4。另外，這些化合物的一部分也可經(jīng)取代為氫原子、羥基或氨基等其他基。這些硫醚系化合物中，推薦為使用選自由作為還原劑或絡(luò)合劑的效果優(yōu)異的甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。有機(jī)硫化合物的濃度并無特別限制，推薦為％至10重量％，更推薦為％至5重量％。在有機(jī)硫化合物的濃度小于％的情況下，無法獲得充分的還原性及絡(luò)合效果，有鈦的蝕刻速度變得不充分的傾向，若超過10重量％則有達(dá)到溶解極限的傾向。佛山銀蝕刻液蝕刻液按需定制