廣西小功率可控硅模塊組件

來源: 發(fā)布時間:2024-10-19

可控硅模塊的應用領域

該智能模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、**等各類電氣操控、電源等,依據還可經過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接,結束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功用,并可結束過流、過壓、過溫、缺持平維護功用。

可控硅模塊的操控辦法

經過輸入模塊操控接口一個可調的電壓或許電流信號,經過調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行滑潤調度,結束模塊輸出電壓從0V至任一點或悉數導通的進程。

電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種辦法;操控信號選用0~5V,0~10V,4~20mA三種對比常用的操控辦法。

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相信大家對于可控硅模塊并不陌生了,現代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展,可控硅模塊的使用范圍越來越廣,但是你對可控硅模塊的了解有多少呢,它的主要參數有哪些你知道嗎?下面為大家講解。


可控硅模塊的主要參數有:


(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。


(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓??煽毓枘K承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值。


(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態(tài)時,可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。 廣西小功率可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司以質量求生存,以信譽求發(fā)展!

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正高可控硅擁有體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前,正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點,應用于各行業(yè),**省內外地區(qū)。 

可控硅模塊的分類   

可控硅模板從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。

選擇可控硅模塊時不能只看表面,應參考實際工作條件來選擇,選用可控硅模塊的額定電流時,除了考慮通過元件的平均電流外,還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。


1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:

(1)強迫風冷:風速≥6m/s,風溫≤40℃;

(2)水冷:流量≥4L/mm,壓強0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;

(3)自冷和負冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃;

(4)空氣相對濕度≤85%;

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃;

(6)氣壓86—106Kpa;

(7)無劇烈震動或沖擊;

(8)若有特殊場合,應進行相應的試驗,證明工作可靠方可使用。 淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評及厚愛。

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可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司擁有先進的產品生產設備,雄厚的技術力量。天津大功率可控硅模塊價格

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單向可控硅的檢測

  萬用表選用電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳,此時黑筆接的引腳為控制極G,紅筆接的引腳為陰極K,另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A,紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G,此時萬用表指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆,陰極K接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。 廣西小功率可控硅模塊組件

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