云浮新款晶圓運送機械吸臂上門服務

來源: 發(fā)布時間:2024-05-21

一種晶圓傳輸裝置及其真空吸附機械手,該真空吸附機械手包括:手臂;固定在所述手臂上的吸附絕緣凸臺;設置在所述手臂和吸附絕緣凸臺內(nèi)的真空氣道;所述吸附絕緣凸臺用于吸附待傳送晶圓的背面,所述吸附絕緣凸臺的硬度小于所述待傳送晶圓的背面的硬度。由于吸附絕緣凸臺的硬度小于待傳送晶圓的背面的硬度,故利用真空吸附機械手將晶圓傳送至所需位置之后,晶圓的背面中與真空吸附機械手接觸的位置不會形成印記,提高了晶圓的合格率。直角坐標系機械手臂,球坐標系機械手臂,極坐標機械手臂.云浮新款晶圓運送機械吸臂上門服務

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    近年來全球硅晶圓供給不足,導致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見度分別已達2019上半年和年底。目前國內(nèi)多個硅晶圓項目已經(jīng)開始籌備,期望有朝一日能夠打破進口依賴,并有足夠的能力滿足市場需求。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式***存在于巖石、砂礫中,硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟:硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。一,晶柱制造步驟硅提純:將沙石原料放入一個溫度約為2000℃,并且有碳源存在的電弧熔爐中,在高溫下,碳和沙石中的二氧化硅進行化學反應(碳氧結合,得硅),提純得純度約為98%的純硅,又稱冶金級硅,這對微電子器件來說依然不夠純,因為半導體材料的電學特性對雜質(zhì)的濃度相當?shù)拿舾校蚨鴮σ苯鸺壒枳鬟M一步提純:將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫進行氯化反應,生成液態(tài)的硅烷,然后通過蒸餾和化學還原工藝,得到了高純度的多晶硅,其純度達99%,成為電子級硅。 云浮新款晶圓運送機械吸臂上門服務實現(xiàn)柔性機械臂高精度有效控制也必須考慮系統(tǒng)動力學特性。

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可選地,所述托板包括:

主板;

排列成八字形的***支板和第二支板,在所述主板的同一側與所述主板固定連接;

所述主板靠近所述***支板和第二支板的一端、所述***支板遠離所述主板的一端、所述第二支板遠離所述主板的一端均設置有所述絨毛墊。

可選地,所述表面為平面。

另外,本實用新型還提供了一種晶圓傳輸裝置,其包括上述任一所述的機械手臂。

在本實用新型的技術方案中,機械手臂傳送晶圓時,晶圓放置在托板的表面,并與絨毛墊接觸,借助晶圓與絨毛墊的絨毛之間的范德華力,晶圓被穩(wěn)穩(wěn)地附著在機械手臂上,不易發(fā)生平移,這樣不僅可以避免發(fā)生機械手臂碰傷,還可以提高晶圓的傳送速度以提高生產(chǎn)效率。

通過以下參照附圖對本實用新型的示例性實施例的詳細描述,本實用新型的其它特征、方面及其優(yōu)點將會變得清楚。

輸送半導體晶圓的機械手通常具有兩個以上的自由度。這種機械手典型地由兩個連桿和手部構成。在本說明書中,將兩個連桿稱作上臂連桿和前臂連桿。典型地,上臂連桿的一端連結于電機的輸出軸,上臂連桿的另一端連結于前臂連桿的一端。而且,前臂連桿的另一端連結于手部。上臂連桿和前臂連桿經(jīng)由關節(jié)而連結。前臂連桿和手部也經(jīng)由關節(jié)而連結。在各個關節(jié)處安裝有軸承,以便使連桿順暢地旋轉(zhuǎn)。在輸送半導體晶圓的機械手中,為了不污染傳送室內(nèi)而屏蔽(shield)安裝于關節(jié)的軸承。隨著宇航業(yè)及機器人業(yè)的飛速發(fā)展,越來越多地采用由若干個柔性構件組成的多柔體系統(tǒng)。

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晶圓運送機械吸臂的應用非常廣,主要包括以下幾個方面:晶圓生產(chǎn)線:在晶圓生產(chǎn)線上,晶圓運送機械吸臂被廣泛應用于晶圓的裝載和卸載過程。它能夠?qū)⒕A從載體上吸附起來,并將其準確地運送到目標位置,以完成各種工序,如清洗、切割、涂覆等。晶圓運送機械吸臂的高精度和穩(wěn)定性能,能夠確保晶圓在整個生產(chǎn)過程中的安全和穩(wěn)定運輸。半導體封裝和測試:在半導體封裝和測試過程中,晶圓運送機械吸臂被用于將封裝好的芯片從一個工序轉(zhuǎn)移到另一個工序。它能夠?qū)⑿酒瑴蚀_地吸附在機械臂上,并將其運送到封裝或測試設備上,以完成后續(xù)的封裝和測試工作。合理選擇機械手的坐標形式。直角坐標式機械手的位置精度較高,其結構和運動都比較簡單、誤差也小。福建進口晶圓運送機械吸臂生產(chǎn)廠家

機械手的剛度、偏重力矩、慣性力及緩沖效果都直接影響手臂的位置精度。云浮新款晶圓運送機械吸臂上門服務

    區(qū)熔法分為兩種:水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長;后者主要用于硅。為什么有橫著和豎著長的不同捏?這是由于硅的熔點高,化學性能活潑,容易受到異物的玷污,所以難以找到適合的器皿來盛方,自然水平區(qū)熔法不能用在硅的生長上啦。區(qū)熔法與直拉法比較大的不同之處在于:區(qū)熔法一般不使用坩鍋,引入的雜質(zhì)更少,生長的材料雜質(zhì)含量也就更少??偠灾?,單晶硅棒是圓柱形的,使用這種方法得到的單晶硅圓片自然也是圓形的了。就是下圖這個樣的——知道是兩頭的尖尖是如何造成的嗎?Bingo,圖左的尖尖是籽晶,圖右的尖尖是晶棒長到***,從熔融態(tài)里出來后,由于復雜的流體力學原理,以及熔融態(tài)的硅迅速凝固而導致的。 云浮新款晶圓運送機械吸臂上門服務

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