WL2815低功耗CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器） 產(chǎn)品描述： WL2815系列是一款低壓差線性穩(wěn)壓器，專為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案，以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設(shè)計用于使用低成本陶瓷電容器，確保輸出電流的穩(wěn)定性，提高效率，從而延長這些便攜式設(shè)備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性： 靜態(tài)電流：1.5μA（典型值） 輸入電壓：2.1V~5.5V 輸出電壓：1.1V~3.3V 輸出電流：@VOUT=3....

WD3139：高效38V升壓型白色LED驅(qū)動器 產(chǎn)品描述 WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅(qū)動器。其內(nèi)部MOSFET可以驅(qū)動高達10個串聯(lián)的白色LED，電流限制為1.2A，過壓保護為38V?？梢詫⒚}沖寬度調(diào)制（PWM）信號應用于EN引腳以實現(xiàn)LED調(diào)光。該設(shè)備以1MHz的固定開關(guān)頻率運行，以減少輸出紋波、提高轉(zhuǎn)換效率，并允許使用小型外部組件。 封裝與環(huán)保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封裝，標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性： 輸入電壓范圍：2.7~5.5V 開路LED保護：38V（典型值） 參考電壓：200mV...

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5471X可用于提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性： 反向截止電壓：±5V 根據(jù)IEC61000-4-2（...

WS4603E：可調(diào)電流限制、電源分配開關(guān) 描述 WS4603E是一款具有高側(cè)開關(guān)和低導通電阻P-MOSFET的開關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4603E還集成了反向保護功能，當設(shè)備關(guān)閉時，可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護設(shè)備和負載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。 特性 1、輸入電壓范圍：2.5~5.5V 2、主開關(guān)RON：80mΩ@VIN=5V 3、調(diào)整電流限制范圍：0.4~2A（...

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET 產(chǎn)品描述 WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 出色的導通電阻 · 極低的閾值電壓 應用領(lǐng)域： · DC/DC轉(zhuǎn)換器 · 電源轉(zhuǎn)換器電路 · 便攜式設(shè)備的負載/電源切換 WNM2021是一款高性能的N溝道功...

WSB5546N-肖特基勢壘二極管 特性： · 低反向電流 · 0.2A平均整流正向電流 · 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。 · 快速開關(guān)和低正向電壓降 · 反向阻斷 應用： · 電源管理 · 信號處理 · 電子設(shè)備保護 總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結(jié)合了肖...

ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護神 ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達8A（8/20μs），為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強大的保護 這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。 ESD5451N適用于多種應用場景，包括手機、平板電腦、筆記本...

ESD9B5VL：單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述 ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD9B5VL可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性 · 反向截止電壓：±5VMax · 根據(jù)IEC61000-4...

RB521S30肖特基勢壘二極管 特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件 應用：低電流整流 介紹： RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護和更換的頻率。 此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關(guān)鍵特性，它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色，如某些電子設(shè)...

WS3222是一款具有可調(diào)OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關(guān)。當輸入電壓超過閾值時，該設(shè)備將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接，以保護負載。當OVLO輸入設(shè)定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調(diào)整，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度，以保護設(shè)備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且無鹵素。 特點： · 輸入電壓：29V · 導通電阻：45mΩ（典型值） · 超快OVP響應時間：450ns（典...

WPM3407是一款使用先進溝槽技術(shù)制成的器件，其特點是在低門極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換應用。 特點： RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在導通狀態(tài)下的電阻，3407通過先進的溝槽技術(shù)實現(xiàn)了低RDS(ON)，這意味著在器件導通時，其電阻較小，從而減小了能量損失。低門極電荷：門極電荷是描述開關(guān)器件從關(guān)閉到打開或從打開到關(guān)閉所需電荷量的參數(shù)。3407的低門極電荷可以更快地開關(guān)，從而減少開關(guān)損耗。無鉛：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛產(chǎn)品有需求的場合。 應用： 筆記本電腦的電源管理：3407可以用于筆記本...

WL2803E：極低壓差、500mA、CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器 產(chǎn)品描述 WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，使其成為需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡(luò)應用的理想選擇。 WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護（OTP）和限流功能，以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并使用微調(diào)技...

SD5302F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 主要特性： · 截止電壓：5V · 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標準的瞬態(tài)...

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標準產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。 其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（...

WL2836E：低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO 產(chǎn)品描述： WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR（電源抑制比）、低壓降CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流，因此電流限制功能既作為短路保護，又作為輸出電流限制器。WL2836E穩(wěn)壓器采用標準的SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性 · 輸入電壓范圍：1.4V~5.5V · 輸出電壓范圍：0.8V~3.3V · 輸出電流：...

WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管，利用先進的溝槽和電荷控制設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負載開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 適用于高直流電流的優(yōu)異導通電阻 · 極低的閾值電壓 應用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅(qū)動 · DC-DC轉(zhuǎn)換器電路 · 電源開關(guān) · 負載開關(guān) · 充電電路 WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性...

ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5451X可提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達8A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。 特點： · 反向截止電壓：±5V · 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電） · IEC6...

WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有出色的RDS(ON)（導通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關(guān)等場景。 WPM2015xx的主要特點包括： 1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導電電阻，這有助于在電子設(shè)備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。 2：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應用，這些應用需要精確控制電流和電壓。 3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。 4：具有超高密度電池設(shè)計，適用...

ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 技術(shù)特性： · 反向截止電壓：7.5V~15V · 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs · 根據(jù)IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs · 低鉗位電壓 · 固態(tài)硅技術(shù) 應用領(lǐng)域： · 電源保護 ...

WS3222是一款具有可調(diào)OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關(guān)。當輸入電壓超過閾值時，該設(shè)備將關(guān)閉內(nèi)部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接，以保護負載。當OVLO輸入設(shè)定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內(nèi)部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調(diào)整，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度，以保護設(shè)備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產(chǎn)品無鉛且無鹵素。 特點： · 輸入電壓：29V · 導通電阻：45mΩ（典型值） · 超快OVP響應時間：450ns（典...

WNM2016A：N溝道增強型MOSFET場效應晶體管 產(chǎn)品描述： WNM2016A它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元 · 設(shè)計出色的ON電阻 · 極低的閾值電壓 應用領(lǐng)域： · DC/DC轉(zhuǎn)換器 · 電源轉(zhuǎn)換器 · 電路便攜式設(shè)備的負載/電源開關(guān) WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為...

ESD5305F：四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述：ESD5305F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響。ESD5305F結(jié)合了四對低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管，以提供各方面的瞬態(tài)保護。封裝與環(huán)保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝，滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。 產(chǎn)品特性： 反向截止電壓：5V 根據(jù)IEC61000-4-2標準，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護 根據(jù)IEC61000-4-5標準，...

SD5302F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 主要特性： · 截止電壓：5V · 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標準的瞬態(tài)...

WD3168：5V/300mA開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器，它能夠從一個非穩(wěn)壓輸入電壓中產(chǎn)生一個穩(wěn)定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下，它也能維持5V的穩(wěn)壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當負載電流在典型條件下低于4mA時，WD3168會進入跳模模式，此時其靜態(tài)電流會降低到170uA。只需3個外部電容器即可產(chǎn)生輸出電壓，從而節(jié)省PCB空間。 此外，其軟啟動功能在開機和電源瞬態(tài)狀態(tài)下會限制涌入電流。WD3168內(nèi)置了電流限制保護功能，適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應用。SOT-23-6L封裝，并在-40℃至+85℃的環(huán)境溫度范...

ESD9B5VL：單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述 ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計用于保護連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD9B5VL可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 產(chǎn)品特性 · 反向截止電壓：±5VMax · 根據(jù)IEC61000-4...

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器 產(chǎn)品描述： ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應力影響。 包含一對低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。 采用DFN1006-2L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 產(chǎn)品特性： ...

WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關(guān)，專為總線切換或音頻切換應用設(shè)計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達7.0V，而不會損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之，在實際應用中，無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。 特性： ...

WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產(chǎn)品描述： WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 出色的導通電阻 · 適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應用領(lǐng)域： · 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅(qū)動器 · DC-DC轉(zhuǎn)換電路 · 電源開...

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET 產(chǎn)品描述 WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝 產(chǎn)品特性： · 溝槽技術(shù) · 超高密度單元設(shè)計 · 出色的導通電阻 · 極低的閾值電壓 應用領(lǐng)域： · DC/DC轉(zhuǎn)換器 · 電源轉(zhuǎn)換器電路 · 便攜式設(shè)備的負載/電源切換 WNM2021是一款高性能的N溝道功...

WS4665是一個單通道負載開關(guān)，提供可配置的上升時間以極小化涌流。該設(shè)備包含一個N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開關(guān)由開/關(guān)輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號接口。在WS4665中，增加了一個230Ω的片上負載電阻，用于在開關(guān)關(guān)閉時進行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。 主要特性： · 集成單通道負載開關(guān) · 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V · 極低導通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VB...