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ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標準產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電），根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態(tài)硅技。

     應用領域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設備，筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護，適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 WD3139F-6/TR LED驅動 封裝：TSOT-23-6。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4666D

ESDA6V8AV6靜電放電（ESD）保護的瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器，為可能受到靜電放電（ESD）影響的敏感電子組件提供了極高的保護水平。對于正瞬態(tài)，這些設備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上；對于負瞬態(tài)，則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊，超過了IEC61000-4-2國際標準的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人體模型（HBM）ESD規(guī)格，該設備為大于±16kV的接觸放電提供了保護。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝，工作電壓為5伏特。

規(guī)格特性：

· 工作峰值反向電壓：5V

· 低漏電流：<1uA@3V

· 高ESD保護水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四級ESD保護

· IEC61000-4-4四級EFT保護

· 五種單獨的單向配置

機械特性：

· 無空洞、轉移模制、熱固性塑料外殼

· 耐腐蝕表面，易于焊接

應用領域：

· 手機和配件

· 個人數(shù)字助理（PDA）

· 筆記本電腦、臺式機和服務器

· 便攜式儀器

· 數(shù)碼相機

· 外設MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五線路ESD保護器，保護電子組件免受靜電放電影響。具有強ESD保護和低漏電流，能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標準，適用于手機、筆記本等便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2834CAWPM2341A-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。

ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止因靜電放電（ESD）而產(chǎn)生的過應力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5311Z可用于提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標準進行瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）標準進行瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）標準進行瞬態(tài)保護：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）

應用領域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設計，極低電容，出色保護，防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口，保護敏感組件。緊湊封裝，適合便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。

WL2836E：低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO

產(chǎn)品描述：

      WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR（電源抑制比）、低壓降CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流，因此電流限制功能既作為短路保護，又作為輸出電流限制器。WL2836E穩(wěn)壓器采用標準的SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍：1.4V~5.5V

· 輸出電壓范圍：0.8V~3.3V

· 輸出電流：300mA

· 靜態(tài)電流：50μATyp

· 關機電流：<1μA

· 壓降電壓：140mV@IOUT=0.3A

· PSRR：78dB@1kHz,VOUT=1.8V

· 低輸出電壓噪聲：20μVRMSTyp

· 輸出電壓容差：±2%@VOUT>2V

· 推薦電容器：1μF

· 熱過載和短路保護

應用領域

· MP3/MP4播放器

· 手機、無線電話、數(shù)碼相機

· 藍牙、無線手持設備

· 其他便攜式電子設備

      WL2836E是高性能CMOS線性穩(wěn)壓器，專為低噪聲、高PSRR和高速性能的便攜式電子設備設計。寬輸入電壓范圍和可調(diào)輸出電壓使其應用靈活。內(nèi)置折返至高輸出電流和電流限制功能，提供額外保護。緊湊SOT-23-5L封裝，無鉛無鹵素，滿足環(huán)保要求。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS742133H-14/TR 音頻功率放大器 封裝：TSSOP-14。

    WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中，WS72551是單放大器，WS72552是雙放大器，分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動調(diào)零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢。這些新型零漂移放大器結合了低成本和高精度，并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴展的工業(yè)/汽車溫度范圍（-40°C至+125°C）。封裝72551：MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8  SOIC8。

    技術特性：偏移電壓只有3μV，漂移為0.008μV/°C，使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應用。溫度、位置和壓力傳感器、醫(yī)療設備和應變計放大器在其工作溫度范圍內(nèi)幾乎無漂移，因此受益匪淺。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動使得高側和低側感測都變得容易。

應用領域：

溫度傳感器

壓力傳感器

精密電流感測

應變計放大器

醫(yī)療儀器

熱電偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動等特性，適用于溫度、壓力、電流感測等多種應用，為工程師提供高精度測量解決方案。緊湊封裝使其成為空間受限應用的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM2015-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2834CA

ESD54231N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4666D

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性，它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色，如某些電子設備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無鉛器件，符合現(xiàn)代環(huán)保標準。隨著全球對環(huán)保意識的日益增強，無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時，也符合了環(huán)保要求。

    總的來說，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性，成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師，都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4666D