所述容納腔的內(nèi)部也填入有冰晶混合物。所述散熱桿至少設(shè)有四根。所述金屬材質(zhì)為貼片或者銅片中的一種，所述封裝外殼的表面涂覆有絕緣涂層。所述絕緣涂層包括電隔離層和粘合層，所述粘合層涂覆在封裝外殼的外表面，所述電隔離層涂覆在所述粘合層的外表面，所述電隔離層為pf...

二極管的軟度可以獲取更進(jìn)一步操縱。圖3SONIC軟恢復(fù)二極管的壽命控制該二極管回復(fù)波形異常的平滑從未振蕩，所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復(fù)二極管不僅引致開關(guān)損失縮減，而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。...

行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機(jī)械的方法分開。而二極管的OJ工藝結(jié)...

選擇快恢復(fù)二極管時(shí)，主要看它的正向?qū)▔航怠⒎聪蚰蛪?、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中?？旎謴?fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間為電流通...

由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低）。肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zenerdiode，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其...

肖特基二極管的特性和應(yīng)用是一個(gè)非常而且復(fù)雜的話題，這里總結(jié)了一些關(guān)鍵的特性和應(yīng)用方面。除了上述提到的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用外，肖特基二極管還在一些特殊的應(yīng)用領(lǐng)域有著獨(dú)特的作用，例如：1.太陽能電池：肖特基二極管被應(yīng)用于太陽能電池中，用于防止夜間或云層遮擋導(dǎo)致的逆向電流損耗...

肖特基二極管是通過金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件。肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。中文名碳化硅肖特基二極管外文名Schottkybarrierdiod...

我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時(shí)，主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的，在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端...

這一圈套起到了一定的限制效用，使電子不易抽走，而與空穴在此復(fù)合，從而延長了反向恢復(fù)時(shí)間中tb這一段，提高了迅速二極管的軟度因子S。3．快速軟恢復(fù)二極管模塊通態(tài)特點(diǎn)顯示，在額定電流下正向電壓降不受溫度影響，從而使它更適用于并聯(lián)工作。在125℃時(shí)的動(dòng)態(tài)損耗比...

此外，肖特基二極管還具有較高的溫度穩(wěn)定性和較小的溫度漂移。這使得它們在高溫環(huán)境下能夠更好地工作，并且在溫度變化下的性能變化更小。肖特基二極管通常具有較高的擊穿電壓，這使得它們在高電壓應(yīng)用中非常有用，如電源管理和電壓調(diào)整電路。需要注意的是，肖特基二極管的選擇應(yīng)根...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法...

常用表面貼封裝肖特基二極管。貼片肖特基二極管為何取名為"SS"?SCHOTTKY:取首字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的縮寫，意為：表面貼裝器件，取首字母"S",上面兩個(gè)短語各取首字母、即為SS,電流小的肖特基是BAT42（...

快恢復(fù)二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，...

它可以擴(kuò)大交流電轉(zhuǎn)化為直流電的范圍，提高開關(guān)電源的效率，還可以節(jié)省成本，增加使用壽命。除了在常規(guī)的電子設(shè)備中應(yīng)用之外，肖特基二極管在開關(guān)電源中也發(fā)揮著非常重要的作用。在開關(guān)電源中，肖特基二極管可以將輸入的交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源，然后進(jìn)行穩(wěn)壓和濾波。這樣可以降低...

另外，還有一些與肖特基二極管相關(guān)的進(jìn)一步考慮因素：1.峰值逆壓：肖特基二極管通常具有較低的峰值逆壓能力。因此，在選擇二極管時(shí)，需要確保其逆壓能力足夠滿足實(shí)際應(yīng)用的要求，避免超過二極管的峰值逆壓。2.發(fā)熱性能：雖然肖特基二極管的正向壓降較低，但其在正向?qū)顟B(tài)下...

在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場化的碳化硅電力電子器件。美國Semisouth公司研制的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作）已經(jīng)用在美國空軍多電飛機(jī)。由碳化硅SBD構(gòu)成的功...

第2種輸運(yùn)方式又分成兩個(gè)狀況，隨著4H-SiC半導(dǎo)體摻雜濃度的增加，耗盡層逐漸變薄，肖特基勢壘也逐漸降低，4H-SiC半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的載流子由隧穿效應(yīng)進(jìn)入到金屬的幾率變大。一種是4H-SiC半導(dǎo)體的摻雜濃度非常大時(shí)，肖特基勢壘變得很低，N型4H-SiC半導(dǎo)體的載...

快恢復(fù)二極管是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。性能特點(diǎn)1）反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間trr的概念是：電流通過零點(diǎn)由正向變換到規(guī)定低值的時(shí)間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的主要技術(shù)指標(biāo)。IF為正向電流，IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流，當(dāng)t≤t...

肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成，如圖4-44所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。...

在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)肖特基二極管進(jìn)行工作，通過肖特基二極管的單向?qū)üδ?，把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。2、肖特基二極管的作用及其接法-開關(guān)肖特基二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用...

常用表面貼封裝肖特基二極管。貼片肖特基二極管為何取名為"SS"?SCHOTTKY:取首字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的縮寫，意為：表面貼裝器件，取首字母"S",上面兩個(gè)短語各取首字母、即為SS,電流小的肖特基是BAT42（...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法...

肖特基二極管是通過金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件。肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。中文名碳化硅肖特基二極管外文名Schottkybarrierdiod...

整流橋的效率主要取決于輸入電源的頻率和負(fù)載的大小。在正常工作條件下，整流橋的效率通常在70%至90%之間。同時(shí)，整流橋輸出的直流電信號相對平滑，但仍然會(huì)存在一定的波動(dòng)。為了獲得更穩(wěn)定的直流輸出，可能需要進(jìn)一步的濾波措施。整流橋的應(yīng)用非常多，在各種電子設(shè)備和電路...

肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航悼梢缘椭痢Ｆ涠嘤米鞲哳l、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等肖特基（...

這種銅底板尚存在一定弧度的焊成品，當(dāng)模塊壓裝在散熱器上時(shí)，能保證它們之間的充分接觸，有利于熱傳導(dǎo)，從而使模塊的接觸熱阻降低，有利于模塊的出力和可靠性。(3)由于FRED模塊工作于高頻(20kHZ以上)，因此，必須在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要充分考慮消除寄生電感等問題，為...

模塊化構(gòu)造提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性，同時(shí)也可下降設(shè)備的生產(chǎn)成本，縮短新產(chǎn)品進(jìn)入市場的周期，提高企業(yè)的市場競爭力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成，因此，縮短了電子器件之間的連線，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)化布線和對稱性構(gòu)造的設(shè)計(jì)，使設(shè)備線路的寄生電感和電容參數(shù)下降...

第2種輸運(yùn)方式又分成兩個(gè)狀況，隨著4H-SiC半導(dǎo)體摻雜濃度的增加，耗盡層逐漸變薄，肖特基勢壘也逐漸降低，4H-SiC半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的載流子由隧穿效應(yīng)進(jìn)入到金屬的幾率變大。一種是4H-SiC半導(dǎo)體的摻雜濃度非常大時(shí)，肖特基勢壘變得很低，N型4H-SiC半導(dǎo)體的載...

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體，無法...

2）快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)二極管...