如何判斷電機(jī)質(zhì)量優(yōu)劣?**來解析-蘇州眾馬電機(jī)
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水冷電機(jī):高效散熱,提升性能
罩式爐用水冷電機(jī):高效散熱,為工業(yè)生產(chǎn)保駕護(hù)航!
電機(jī)保養(yǎng)維護(hù)指南:讓您的電機(jī)始終保持比較好狀態(tài)
電機(jī)故障診斷技巧:如何快速判斷電機(jī)故障原因
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硬核科普!水冷電機(jī)的散熱性能測試與分析
硬核科普!水冷電機(jī)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化方法研究
減排是個(gè)大問題!水冷電機(jī)的節(jié)能效果及環(huán)境影響評(píng)估
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)...
它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成,如圖4-44所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型...
穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管,英文名稱Zenerdiode,又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻...
或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。2、肖特基二極管的構(gòu)造肖特基二極管在構(gòu)造法則上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由正極金屬(用鉬或鋁等材質(zhì)制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場掃除材質(zhì)、N外延層(砷材質(zhì))、N型硅基片、N陰極層...
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)...
另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn):耐壓比較低,漏電流稍大些。選用時(shí)要考慮。肖特基二極管的作用及其接法肖特基二極管的作用及其接法,肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。1、肖特基二...
肖特基二極管的特性和應(yīng)用是一個(gè)非常而且復(fù)雜的話題,這里總結(jié)了一些關(guān)鍵的特性和應(yīng)用方面。除了上述提到的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用外,肖特基二極管還在一些特殊的應(yīng)用領(lǐng)域有著獨(dú)特的作用,例如:1.太陽能電池:肖特基二極管被應(yīng)用于太陽能電池中,用于防止夜間或云層遮擋導(dǎo)致的逆向電流損耗...
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管兩種二極管都是單向?qū)щ姡捎糜谡鲌龊?。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高,但是它的恢復(fù)速度低,只能用在低頻的整流上,如果是高頻的就會(huì)因?yàn)闊o法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電,將導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低,但是它的...
在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi),同一時(shí)間只有兩個(gè)肖特基二極管進(jìn)行工作,通過肖特基二極管的單向?qū)üδ埽呀涣麟娹D(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。2、肖特基二極管的作用及其接法-開關(guān)肖特基二極管在正向電壓作用下電阻很小,處于導(dǎo)通狀態(tài),相當(dāng)于一只接通的開關(guān);在反向電壓作用...
一是來自肖特基勢壘的注入;二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴(kuò)散電流。[2]二次擊穿產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導(dǎo)體材料的晶格缺陷和管內(nèi)結(jié)面不均勻等引起的。二次擊穿的產(chǎn)生過程是:半導(dǎo)體結(jié)面上一些薄弱點(diǎn)電流密度的增加,導(dǎo)致這些薄弱點(diǎn)上的溫度增加引起這些薄弱點(diǎn)上的電流密度越來越大...
繼電器線圈可以儲(chǔ)存能量的(線圈會(huì)阻止電流的突變,即電流只能慢慢增大和減少),如果一下使線圈斷電,它兩端就會(huì)產(chǎn)生很大的電壓,這樣就可能使線圈損壞、相連接的元器件擊穿。這時(shí),我們只要在線圈兩端接上快恢復(fù)二極管,便可以使它產(chǎn)生一個(gè)回路(斷電時(shí)相當(dāng)于在線圈兩端接...
所述第二半環(huán)套管上設(shè)置有插槽,插塊和插槽插接,所述半環(huán)套管和第二半環(huán)套管的插塊插接位置設(shè)置有插柱。所述插塊上設(shè)置有卡接槽,所述卡接槽的內(nèi)壁面上設(shè)置有阻尼墊,所述第二半環(huán)套管上設(shè)置有插接孔,所述插柱穿過插接孔與卡接槽插接,所述插柱上設(shè)置有滑槽,滑槽內(nèi)滑動(dòng)連接有滑...
繼電器線圈可以儲(chǔ)存能量的(線圈會(huì)阻止電流的突變,即電流只能慢慢增大和減少),如果一下使線圈斷電,它兩端就會(huì)產(chǎn)生很大的電壓,這樣就可能使線圈損壞、相連接的元器件擊穿。這時(shí),我們只要在線圈兩端接上快恢復(fù)二極管,便可以使它產(chǎn)生一個(gè)回路(斷電時(shí)相當(dāng)于在線圈兩端接...
2)快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向恢復(fù)電荷很小,大大減小了trr值,還降低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)二極管...
常用表面貼封裝肖特基二極管。貼片肖特基二極管為何取名為"SS"?SCHOTTKY:取首字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的縮寫,意為:表面貼裝器件,取首字母"S",上面兩個(gè)短語各取首字母、即為SS,電流小的肖特基是BAT42(...
所述第二半環(huán)套管上設(shè)置有插槽,插塊和插槽插接,所述半環(huán)套管和第二半環(huán)套管的插塊插接位置設(shè)置有插柱。所述插塊上設(shè)置有卡接槽,所述卡接槽的內(nèi)壁面上設(shè)置有阻尼墊,所述第二半環(huán)套管上設(shè)置有插接孔,所述插柱穿過插接孔與卡接槽插接,所述插柱上設(shè)置有滑槽,滑槽內(nèi)滑動(dòng)連接有滑...
所述第二半環(huán)套管上設(shè)置有插槽,插塊和插槽插接,所述半環(huán)套管和第二半環(huán)套管的插塊插接位置設(shè)置有插柱。所述插塊上設(shè)置有卡接槽,所述卡接槽的內(nèi)壁面上設(shè)置有阻尼墊,所述第二半環(huán)套管上設(shè)置有插接孔,所述插柱穿過插接孔與卡接槽插接,所述插柱上設(shè)置有滑槽,滑槽內(nèi)滑動(dòng)連接有滑...
或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。2、肖特基二極管的構(gòu)造肖特基二極管在構(gòu)造法則上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由正極金屬(用鉬或鋁等材質(zhì)制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場掃除材質(zhì)、N外延層(砷材質(zhì))、N型硅基片、N陰極層...
我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時(shí),主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的,在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對(duì)選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要,尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端...
目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無法用機(jī)械的方法分開。而二極管的OJ...
肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。由于電子遷移率比空穴高,采用N型Si、SiC或GaAs為材料,以獲得良好的頻率特性,肖特基接觸金屬一般選用金、鉬、鎳、鋁等。金屬-半導(dǎo)體器件和PiN結(jié)二極管類似...
一是來自肖特基勢壘的注入;二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴(kuò)散電流。[2]二次擊穿產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導(dǎo)體材料的晶格缺陷和管內(nèi)結(jié)面不均勻等引起的。二次擊穿的產(chǎn)生過程是:半導(dǎo)體結(jié)面上一些薄弱點(diǎn)電流密度的增加,導(dǎo)致這些薄弱點(diǎn)上的溫度增加引起這些薄弱點(diǎn)上的電流密度越來越大...
數(shù)字電路應(yīng)用:肖特基二極管還可以用于數(shù)字電路中的開關(guān)功能,特別是在功耗較低、響應(yīng)速度要求高的場景中。由于其低功耗和快速開關(guān)速度,肖特基二極管在數(shù)字邏輯門和存儲(chǔ)器電路等領(lǐng)域有應(yīng)用潛力。需要注意的是,盡管肖特基二極管具有許多優(yōu)點(diǎn),但也存在一些限制。例如,在高頻應(yīng)用...
20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大都使用TO-220封裝形式。從內(nèi)部構(gòu)造看,可分為單管、對(duì)管(亦稱雙管)兩種。對(duì)管內(nèi)部涵蓋兩只快恢復(fù)二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對(duì)管、共陽對(duì)管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部...
二極管的軟度可以獲取更進(jìn)一步操縱。圖3SONIC軟恢復(fù)二極管的壽命控制該二極管回復(fù)波形異常的平滑從未振蕩,所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復(fù)二極管不僅引致開關(guān)損失縮減,而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。...
進(jìn)行全部快恢復(fù)二極管一般地說用以較高頻率的整流和續(xù)流。至于電源模塊的輸入部份,仿佛頻率不高,無需用快恢復(fù)二極管,用一般而言二極管即可,但你要用它在電源電路中整流也是可以的??旎謴?fù)二極管分單管(一般而言兩腳的)和對(duì)管(3腳的),對(duì)管內(nèi)部涵蓋兩只快回復(fù)二極管...
容積效應(yīng)(minoritycarrierstorageeffect):肖特基二極管具有與普通硅二極管不同的容積效應(yīng)。這種效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致在切換時(shí)的電荷存儲(chǔ)和釋放,可能對(duì)高速開關(guān)操作產(chǎn)生一定的影響。5.成本:肖特基二極管通常相對(duì)于普通硅二極管來說更昂貴一些。在考慮使用...
2.反向漏電流:肖特基二極管的逆向漏電流相對(duì)較小,這意味著即使在較高的反向電壓下,也能夠保持較低的能量損耗。這對(duì)于要求低功耗和高效率的應(yīng)用非常重要。3.制造工藝:肖特基二極管的制造工藝與普通PN結(jié)二極管不同,需要使用特殊材料(通常為金屬)與半導(dǎo)體材料相接觸。這...
用多級(jí)結(jié)終端擴(kuò)展技術(shù)制作出擊穿電壓高達(dá)KVNi/4H-SiC肖特基二極管,外延的摻雜濃度為×10cm,厚度為115μm,此肖特基二極管利用多級(jí)結(jié)終端擴(kuò)展技術(shù)來保護(hù)肖特基結(jié)邊緣以防止它提前擊穿。[1]國內(nèi)的SiC功率器件研究方面因?yàn)槭艿絊iC單晶材料和外延...