穩(wěn)壓源，放大器以及電子儀器的保護(hù)電路等瞬態(tài)電壓抑制二極管又稱瞬變電壓抑制二極管，雙向擊穿二極管，簡(jiǎn)稱TVS。瞬態(tài)抑制二極管不會(huì)被擊穿，它能夠在電壓極高時(shí)降低電阻，使電流分流或控制其流向，從而保護(hù)電路元件在瞬間電壓過(guò)高的情況下不被燒毀。雙向觸發(fā)二極管又稱二端交流...

[4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過(guò)的大正向平均電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過(guò)容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時(shí)，就會(huì)使管芯過(guò)熱而損壞。所以在規(guī)定散...

他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)...

整流橋的作用和原理： 整流橋的作用就是能夠通過(guò)二極管的單向?qū)ǖ奶匦詫㈦娖皆诹泓c(diǎn)上下浮動(dòng)的交流電轉(zhuǎn)換為單向的直流電，當(dāng)人們想把交流電變成直流電時(shí)就需此電路。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個(gè)工作周期...

所述第二垂直晶體管包括：電耦合到所述陽(yáng)極的第二源極區(qū)域、垂直延伸到所述襯底中并且電耦合到所述陽(yáng)極的第二柵極、電耦合到所述陰極的第二漏極區(qū)域、位于所述第二源極區(qū)域和所述第二漏極區(qū)域之間的第二溝道區(qū)域、以及在所述襯底中延伸并且位于所述第二柵極和所述第二溝道區(qū)域之間...

3）從分流支路電路分析中要明白一點(diǎn)：從級(jí)錄音放大器輸出的信號(hào)，如果從VD1支路分流得多，那么流入第二級(jí)錄音放大器的錄音信號(hào)就小，反之則大。4）VD1存在導(dǎo)通與截止兩種情況，在VD1截止時(shí)對(duì)錄音信號(hào)無(wú)分流作用，在導(dǎo)通時(shí)則對(duì)錄音信號(hào)進(jìn)行分流。5）在VD1正極上接有...

二極管的正向壓降硅管約為(通常取)，鍺管約為(通常取)。·折疊反向特性(外加反向電壓)反向特性即二極管反向偏置時(shí)的電壓與電流的關(guān)系。反向電壓加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散的阻礙，多子幾乎不能形成電流，但是少子在電場(chǎng)的作用下漂移，形成很小的漂移電流，且與反向...

鋁電解電容器的應(yīng)用與發(fā)展：目前全球鋁電解電容器供應(yīng)市場(chǎng)日趨成熟，主要集中在日本、中國(guó)大陸、地區(qū)以及韓國(guó)等地區(qū)。從近幾年的行業(yè)總體競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，日本的電解電容器生產(chǎn)量開(kāi)始逐漸萎縮減產(chǎn)，取而代之的是韓國(guó)企業(yè)，企業(yè)，中國(guó)大陸企業(yè)。鋁電解電容器這種產(chǎn)品在1978年之前...

促使整流管加速老化，并被過(guò)早地?fù)舸p壞。（3）運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任，對(duì)外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至第二天上午6點(diǎn)之間)不了解，或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障，運(yùn)行人員沒(méi)有及時(shí)進(jìn)行相應(yīng)的操作處理，產(chǎn)生過(guò)電壓而將整流管擊穿損壞。（4）設(shè)備安裝或...

且在門(mén)極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)；④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電...

5）由于集成電路A1的①腳和②腳外電路一樣，所以其外電路中的限幅保護(hù)電路工作原理一樣，分析電路時(shí)只要分析一個(gè)電路即可。6）根據(jù)串聯(lián)電路特性可知，串聯(lián)電路中的電流處處相等，這樣可以知道VD1、VD2和VD3三只串聯(lián)二極管導(dǎo)通時(shí)同時(shí)導(dǎo)通，否則同時(shí)截止，絕不會(huì)出現(xiàn)串...

只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過(guò)載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力快速熔斷器高壓限流熔斷器高壓限流熔斷器適用于交流50HZ，額定電壓，還可與其他電器(如開(kāi)關(guān)、接觸器等)配合使用，作為電動(dòng)機(jī)、變壓器、電容器等電力設(shè)備的過(guò)載或短路等保護(hù)。常用的型號(hào)有RNXRN...

由此形成在腔502的壁上的熱氧化物層304可以在襯底和區(qū)域306的上表面上連續(xù)。在圖2e的步驟中，腔502被填充，例如直到襯底的上部水平或者直到接近襯底的上部水平的水平。為此目的，例如執(zhí)行摻雜多晶硅的共形沉積。然后將多晶硅向下蝕刻至期望水平。因此在區(qū)域306的...

鋁電解電容一、基本概念1、定義：以閥金屬鋁正極，在其表面用電化學(xué)的方法形成氧化膜作為介質(zhì)，用電解液作為負(fù)極，并緊密接觸于氧化膜介質(zhì)，用另一金屬作為負(fù)極引出的電容器稱為鋁電解電容器。它是由鋁圓筒做負(fù)極，里面裝有液體電解質(zhì)，插入一片彎曲的鋁帶做正極制成。還需要經(jīng)過(guò)...

對(duì)于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導(dǎo)通和關(guān)斷。逆變器IGBT模塊檢測(cè):將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔,測(cè)試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性,來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、...

ReverseVoltageProtection當(dāng)串聯(lián)使用的超級(jí)電容器被快速充電時(shí)，低容量的電壓有可能變成反極性，這是不允許的，同時(shí)會(huì)降低電容的使用壽命，一個(gè)簡(jiǎn)單的解決辦法就是在電容的兩端并聯(lián)一個(gè)二極管，正常情況下，它們是反壓不導(dǎo)通的。需要注意，二極管必須能夠...

標(biāo)稱容量和允許誤差：電容器儲(chǔ)存電荷的能力，常用的單位是F、uF、pF。電容器上標(biāo)有的電容數(shù)是電容器的標(biāo)稱容量。電容器的標(biāo)稱容量和它的實(shí)際容量會(huì)有誤差。一般，電容器上都直接寫(xiě)出其容量，也有用數(shù)字來(lái)標(biāo)志容量的，通常在容量小于10000pF的時(shí)候，用pF做單位，大于...

IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來(lái)減少關(guān)斷時(shí)間，但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開(kāi)啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。查看詳情igbt應(yīng)用作為電力電子...

其中有一條就是溫度高低變化時(shí)三極管的靜態(tài)電流不能改變，即VT1基極電流不能隨溫度變化而改變，否則就是工作穩(wěn)定性不好。了解放大器的這一溫度特性，對(duì)理解VD1構(gòu)成的溫度補(bǔ)償電路工作原理非常重要。2）三極管VT1有一個(gè)與溫度相關(guān)的不良特性，即溫度升高時(shí)，三極管VT1...

反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電...

濾波電容與電解電容怎么區(qū)分?一、區(qū)分：1、在電路中起濾波作用的，都叫濾波電容，是電容在該電路中的功能。2、電解電容是說(shuō)電容里面的介質(zhì)是電解材料，電解電容可用作濾波作用，當(dāng)用作濾波作用時(shí)也叫濾波電容。二、定義：1、濾波電容：安裝在整流電路兩端用以降低交流脈動(dòng)波紋...

反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電...

1.鉭電解電容與普通電容的區(qū)別鉭電解電容和普通電容主要在材料、構(gòu)造和性能等方面存在著明顯的差異。鉭電解電容的正極是由鉭金屬制成的，而普通電容則使用鋁箔或其他金屬材料。此外，鉭電解電容器的絕緣層是以化學(xué)方式形成的納米級(jí)氧化物膜，而普通電容則采用了傳統(tǒng)...

導(dǎo)通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí)，電流開(kāi)始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千...

鋁電解電容器的工作原理: 具有較高的單位體積電容值，而且?guī)缀蹩捎糜谌魏坞娮酉到y(tǒng)，包括用于過(guò)濾不需要的交流頻率，以及在一些應(yīng)用中用于儲(chǔ)存能量。此外，由于它提供高電容值和低阻抗，因此也常用于DC-DC變換器、逆變器和電源之中。2、出于效率方面的考慮，人們...

半導(dǎo)體二極管的主要特點(diǎn)是具有摻雜性，熱敏性，光敏性。1、摻雜性，當(dāng)往純凈的半導(dǎo)體中摻入煤些物質(zhì)時(shí)，導(dǎo)體的導(dǎo)電性會(huì)增強(qiáng)。二極管、三極管就是摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體制成的。2、熱敏性，當(dāng)溫渡上升時(shí)，導(dǎo)體的導(dǎo)電能力會(huì)增強(qiáng)。利用該特性可以將某些半導(dǎo)體制成熱敏器件。3、光敏...

熔斷器應(yīng)與配電裝置同時(shí)進(jìn)行維修工作：1、清掃灰塵，檢查接觸點(diǎn)接觸情況。2、檢查熔斷器外觀（取下熔斷器管）有無(wú)損傷、變形，瓷件有無(wú)放電閃爍痕跡。3、檢查熔斷器，熔體與被保護(hù)電路或設(shè)備是否匹配，如有問(wèn)題應(yīng)及時(shí)調(diào)查。4、注意檢查在TN接地系統(tǒng)中的N線，設(shè)備的接地保護(hù)...

半導(dǎo)體二極管的主要特點(diǎn)是具有摻雜性，熱敏性，光敏性。1、摻雜性，當(dāng)往純凈的半導(dǎo)體中摻入煤些物質(zhì)時(shí)，導(dǎo)體的導(dǎo)電性會(huì)增強(qiáng)。二極管、三極管就是摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體制成的。2、熱敏性，當(dāng)溫渡上升時(shí)，導(dǎo)體的導(dǎo)電能力會(huì)增強(qiáng)。利用該特性可以將某些半導(dǎo)體制成熱敏器件。3、光敏...

電解電容其作用是：隔直流：作用是阻止直流通過(guò)而讓交流通過(guò)。旁路（去耦）：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。耦合：作為兩個(gè)電路之間的連接，允許交流信號(hào)通過(guò)并傳輸?shù)较乱患?jí)電路。濾波：將整流以后的鋸齒波變?yōu)槠交拿}動(dòng)波，接近于直流。儲(chǔ)能：儲(chǔ)存電能，用于必須要...

[8]2.檢測(cè)性能好壞。用萬(wàn)用表電阻擋測(cè)量紅外接收二極管正、反向電阻，根據(jù)正、反向電阻值的大小，即可初步判定紅外接收二極管的好壞。[8]二極管激光二極管按照檢測(cè)普通二極管正、反向電阻的方法，即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測(cè)時(shí)要注意，由于激光二極管的正...