晶閘管（SCR）是一種半導體開關器件。早在1956年，Moll等人就發(fā)表了這種開關器件的理論基礎。盡管低功率器件在當***關領域已基本銷聲匿跡，并被高壓雙極結型晶體管（BJT）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等...

可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中，作短路保護。封閉式熔斷器：封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷器兩種，如圖3和圖4所示。有填料熔斷器一般用方形瓷管，內裝石英砂及熔體，分斷能力強，用于電壓等級500V以下、電流等級1KA以下的電路...

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流...

法拉電容為什么又稱超級電容？超級電容又稱為雙層電容、黃金電容、法拉電容。它與普通電容的區(qū)別是它是一種電化學的物理部件，但本身并不進行化學反應，相比普通電容的超級電容儲電量特別大，達到法拉級的電容量(單位：F法拉，Farad)。法拉電容也是超級電容。超級電容器是...

可控硅又稱晶閘管（SiliconControlledRectifier,SCR）。自從20世紀50年代問世以來已經發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶可控硅閘管、快速晶閘管，等等?？煽毓?，是可控硅整流元件...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導致發(fā)生損壞器件的事故。影響串聯(lián)運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯(lián)使用時會使電壓分配不均衡。同時，半導體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結溫也會使均...

怎樣檢測變頻器逆變模塊？（2）判斷IGBT極性及好壞的方法判斷IGBT極性：選擇指針萬用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測量IGBT的任兩個極之間的正反向電阻，其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無窮大，則判定該極為IGBT的柵極（G）。測量另外兩極的正反向...

或電流）的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向導通狀態(tài)。3.一旦晶閘管開始導通，它就被鉗住在導通狀態(tài)，而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關斷，像一個二極管一樣導通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時，它才會截止。當晶閘管再次進入正向阻斷狀態(tài)...

一、概述現階段動力電池能量密度越來越高，單體電芯容量越來越大，各高壓部件一旦出現短路現象而無相應的保護措施，輕則部件損壞，重則引起火災（尤其動力電池），后果將不堪設想，所以各高壓部件回路的保護至關重要，本文將闡述純電動汽車高壓直流熔斷器計算及選型方法，并實例說...

每月不少于一次夜間巡視，查看有無放電火花和接觸不良現象，有放電，會伴有嘶嘶的響聲，要盡早安排處理。(2)在春檢停電檢修時應對熔斷器做如下內容的檢查：①靜、動觸頭接觸是否吻合，緊密完好，有否燒傷痕跡。②熔斷器轉動部位是否靈活，有否銹蝕、轉動不靈等異常，零部件是否...

什么是超級電容器?◆超級電容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫雙電層電容器(ElectricalDoule-LayerCapacitor)、黃金電容、法拉電容，通過極化電解質來儲能。它是一種電化學元件，但在其儲能的過程并不發(fā)...

促使整流管加速老化，并被過早地擊穿損壞。（3）運行管理欠佳。值班運行人員工作不負責任，對外界負荷的變化(特別是在深夜零點至第二天上午6點之間)不了解，或是當外界發(fā)生了甩負荷故障，運行人員沒有及時進行相應的操作處理，產生過電壓而將整流管擊穿損壞。（4）設備安裝或...

Ia與Il成正比，即當光電二極管的光電流增大時，光控晶閘管的輸出電流也相應增大，同時Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數a1、a2也增大。當al與a2之和接近l時，光控晶閘管的Ia達到**大，即完全導通。能使光控晶閘管導通的**小光照度，稱其為導通光照度...

1.使用萬用表進行測試：將萬用表調整到電容測試模式，將電容的兩個引腳連接到萬用表的兩個測試針上，然后觀察萬用表的讀數。如果電容正常，讀數應該在規(guī)定范圍內，如果讀數為0或者無限大，說明電容已經損壞。2.使用電容測試儀進行測試：電容測試儀是一種專門用于測試電容的儀...

所以交流信號正半周超出部分被去掉（限制），其超出部分信號其實降在了集成電路A1的①腳內電路中的電阻上（圖中未畫出）。當集成電路A1的①腳直流和交流輸出信號的幅度小于，這一電壓又不能使3只二極管導通，這樣3只二極管再度從導通轉入截止狀態(tài)，對信號沒有限幅作用。3．...

因為高速開斷和關斷會產生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。(3)IGBT開通后，驅動電路應提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。(4)IGBT驅動電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響，RG較大，有...

做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有關斷時間（toff）短、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）、抗干擾能力較好等特點?？焖倬чl管的生產和應用都進展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千...

從而實際強觸發(fā)，加速了元件的導通，提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率（dv/dt）晶閘管是由三個P—N結組成的。每個結相當于一個電容器。結電壓急劇變化時，就有很大的位移電流流過元件，它等效于控制極觸發(fā)電流的作用?？赡苁咕чl管誤導通。這就是普通晶...

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意...

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意...

超級電容器的有點就是在很小的體積下達到法拉級的電容量；無須特別的充電電路和控制放電電路；和電池相比過充、過放都不對其壽命構成負面影響；從環(huán)保的角度考慮，它是一種綠色能源；超級電容器可焊接，因而不存在像電池接觸不牢固等問題。缺點就是如果使用不當會造成電解質泄漏等...

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經NPN管的發(fā)射結，從而提高其電流放大系數a2，產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結，并提高了PNP管的電流放大系數a1，產生更...

濾波電容與電解電容有區(qū)別嗎？濾波電容和電解電容是兩個不同分類標準的概念。濾波電容是按用途的分類，表示這個電容是用來濾波整流的，與之類似的是儲能電容、耦合電容等。電解電容是按原理的毀薯謹分類，利用手正鋁鈮鉭等閥金屬氧化物的單向導電性所制纖基的電容，與之同類的是陶...

4．可關斷晶閘管可關斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是，當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前，大功率可關斷晶閘管已...

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優(yōu)點功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點2模塊規(guī)格3注意事項4模塊參數晶閘管智能模塊模塊特點編輯（1）本產品均采用全數字...

家用電器中的調光燈、調速風扇、冷暖空調器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產品、無線電遙控電路、攝像機等工業(yè)控制領域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術應用系統(tǒng)電路中，...

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通。只有當U2處于正半周時，當觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時，晶閘管才接通。現在，繪制其波形(...

做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有關斷時間（toff）短、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）、抗干擾能力較好等特點?？焖倬чl管的生產和應用都進展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千...

有無緩沖區(qū)決定了IGBT具有不同特性。有N*緩沖區(qū)的IGBT稱為非對稱型IGBT，也稱穿通型IGBT。它具有正向壓降小、犬斷時間短、關斷時尾部電流小等優(yōu)點，但其反向阻斷能力相對較弱。無N-緩沖區(qū)的IGBT稱為對稱型IGBT，也稱非穿通型IGBT。它具有較強的正...

斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附...