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  • 山東B43564-S9578-M1電容型號(hào)齊全
    山東B43564-S9578-M1電容型號(hào)齊全

    電解電容的作用電源退偶輸出濾波那個(gè)小的是給高頻電流留下的通路一般輸出的地方用大容量電解電容和小容量滌綸電容并聯(lián)電解電容和滌綸電容并聯(lián)是因?yàn)殡娐房赡軙?huì)產(chǎn)生高頻干擾電解電容對(duì)這種高頻電流的電阻很大也就是說(shuō)光用一只大的電解電容對(duì)高頻干擾的吸收能力比較差有高頻電流的情...

    2024-02-06
  • 青海CD135 250V33000UF 電容批發(fā)采購(gòu)
    青海CD135 250V33000UF 電容批發(fā)采購(gòu)

    鋁電解電容的用途關(guān)于鋁電解電容的用途下面山東紅寶電子有限公司給大家介紹一下鋁電解電容的用途。鋁電解電容器的用途及其生產(chǎn)流程、注意點(diǎn)鋁電解電容器是由鋁圓筒做負(fù)極,里面裝有液體電解質(zhì),插入一片彎曲的鋁帶做正極而制成的電容器稱(chēng)作鋁電解電容器。電容器是一種儲(chǔ)能元件,在...

    2024-02-06
  • 安徽B43564-S9528-M1電容型號(hào)齊全
    安徽B43564-S9528-M1電容型號(hào)齊全

    鋁電解電容器的應(yīng)用與發(fā)展:目前全球鋁電解電容器供應(yīng)市場(chǎng)日趨成熟,主要集中在日本、中國(guó)大陸、地區(qū)以及韓國(guó)等地區(qū)。從近幾年的行業(yè)總體競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看,日本的電解電容器生產(chǎn)量開(kāi)始逐漸萎縮減產(chǎn),取而代之的是韓國(guó)企業(yè),企業(yè),中國(guó)大陸企業(yè)。鋁電解電容器這種產(chǎn)品在1978年之前...

    2024-02-06
  • 江西B43564-S9428-M3電容快速發(fā)貨
    江西B43564-S9428-M3電容快速發(fā)貨

    上拉電阻的其他作用:作用1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)CMOS電路時(shí),如果電路輸出的高電平低于CMOS電路的高電平(一般為3.5V),這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻,以提高輸出高電平的值。2、OC門(mén)電路必須使用上拉電阻,以提高輸出的高電平值。3、為增強(qiáng)輸出引腳的驅(qū)...

    2024-02-05
  • 遼寧低壓熔斷器陶瓷熔斷體Siemens全新
    遼寧低壓熔斷器陶瓷熔斷體Siemens全新

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0熔斷器編輯鎖定熔斷器(fuse)是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí),以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開(kāi)電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開(kāi);運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷...

    2024-02-05
  • 云南igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Infineon全新原裝
    云南igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Infineon全新原裝

    載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和高反向電壓作用過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注?..

    2024-02-05
  • 福建Mitsubishi 三菱IGBT模塊庫(kù)存充足
    福建Mitsubishi 三菱IGBT模塊庫(kù)存充足

    對(duì)于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導(dǎo)通和關(guān)斷。逆變器IGBT模塊檢測(cè):將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔,測(cè)試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性,來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、...

    2024-02-02
  • 北京富士功率模塊IGBT模塊型號(hào)齊全
    北京富士功率模塊IGBT模塊型號(hào)齊全

    進(jìn)行逆變器設(shè)計(jì)時(shí),IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗評(píng)估是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。而常見(jiàn)的損耗評(píng)估方法都是采用數(shù)據(jù)手冊(cè)中IGBT或者Diode的開(kāi)關(guān)損耗的典型值,這種方法缺乏一定的準(zhǔn)確性。本文介紹了一種采用逆變器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)板和母排對(duì)IGBT模塊進(jìn)行損耗測(cè)試和評(píng)估的方法,通過(guò)簡(jiǎn)單...

    2024-02-02
  • 江蘇CD138 450V6800UF電容國(guó)內(nèi)經(jīng)銷(xiāo)
    江蘇CD138 450V6800UF電容國(guó)內(nèi)經(jīng)銷(xiāo)

    被動(dòng)電壓平衡PassiveVoltageBalancing被動(dòng)電壓平衡電路是采用與電容并聯(lián)的電阻進(jìn)行分壓,這就允許電流從電壓比較高的電容向電壓比較低的電容流動(dòng),通過(guò)這種方式進(jìn)行電壓平衡。選擇電阻的阻值是非常重要的,通常要使電阻允許的電流大于電容預(yù)期的漏電流...

    2024-02-02
  • 湖南CD138 400V12000UF電容庫(kù)存充足
    湖南CD138 400V12000UF電容庫(kù)存充足

    電容又稱(chēng)“電容量”,是指在給定電位差下的電荷儲(chǔ)藏量。它的作用是:旁路、去耦、濾波、儲(chǔ)能。旁路電容是為本地器件提供能量的儲(chǔ)能器件,它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化,降低負(fù)載需求。去耦電容是滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化,避免相互間的耦合干擾,減小電源與參考地之間的高頻干擾阻抗。...

    2024-02-02
  • 江西CD138 400V1000UF電容庫(kù)存充足
    江西CD138 400V1000UF電容庫(kù)存充足

    未來(lái)鋁電解電容器的性能會(huì)隨著科技的進(jìn)步更進(jìn)一步的發(fā)展。700V100uf的正規(guī)電容體積通常為35*80-100MM或者50*80-96MM價(jià)位在22美元左右。套用于世界的capsun,YAMAHA音響廣出口到歐美酒店,價(jià)格1200美元到數(shù)百萬(wàn)美元一套的音響價(jià)格...

    2024-02-01
  • 貴州CD138 400V2200UF電容優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存
    貴州CD138 400V2200UF電容優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存

    “鋰離子電池”和“鋰聚合物電池”是什么意思。首先,除了正負(fù)極材料之外,鋰離子電池第三重要的就是電解液了。而你所說(shuō)的兩種命名方式,正是從電解液方面命名的?,F(xiàn)今我國(guó)的鋰電行業(yè),同時(shí)也包括大多數(shù)市面上的國(guó)際品牌,所用的電解液都是含有鋰離子的溶液,說(shuō)白了是液體。對(duì)于這...

    2024-02-01
  • 寧夏中頻爐可控硅(晶閘管)原裝進(jìn)口
    寧夏中頻爐可控硅(晶閘管)原裝進(jìn)口

    [7]二極管雙向觸發(fā)二極管將萬(wàn)用表置于相應(yīng)的直流電壓擋,測(cè)試電壓由兆歐表提供。[8]測(cè)試時(shí),搖動(dòng)兆歐表,萬(wàn)同樣的方法測(cè)出VBR值。后將VBO與VBR進(jìn)行比較,兩者的較為值之差越小,說(shuō)明被測(cè)雙向觸發(fā)二極管的對(duì)稱(chēng)性越好。[8]二極管瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬(wàn)用表測(cè)量管...

    2024-02-01
  • 甘肅igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)原裝進(jìn)口
    甘肅igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)原裝進(jìn)口

    晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí),當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí),晶閘管才接通。現(xiàn)在,繪制其波形(...

    2024-02-01
  • 寧夏B43564-S9588-M3電容廠家直供
    寧夏B43564-S9588-M3電容廠家直供

    鋁電解電容如何計(jì)算壽命?電容的壽命,一般使用MTBF來(lái)表征,也就是平均無(wú)故障時(shí)間。MTBF即平均無(wú)故障時(shí)間,英文是“MeanTimeBetweenFailure”,具體是指產(chǎn)品從一次故障到下一次故障的平均時(shí)間,是衡量一個(gè)產(chǎn)品的可靠性指標(biāo)(用于發(fā)生故障經(jīng)修理或更...

    2024-02-01
  • 浙江脈沖可控硅(晶閘管)SCR系列
    浙江脈沖可控硅(晶閘管)SCR系列

    除了考慮通過(guò)元件的平均電流外,還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。2、使用可控硅之前,應(yīng)該用萬(wàn)用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),應(yīng)立即更換。3、嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣...

    2024-02-01
  • 廣東整流二極管快速發(fā)貨
    廣東整流二極管快速發(fā)貨

    3)從分流支路電路分析中要明白一點(diǎn):從級(jí)錄音放大器輸出的信號(hào),如果從VD1支路分流得多,那么流入第二級(jí)錄音放大器的錄音信號(hào)就小,反之則大。4)VD1存在導(dǎo)通與截止兩種情況,在VD1截止時(shí)對(duì)錄音信號(hào)無(wú)分流作用,在導(dǎo)通時(shí)則對(duì)錄音信號(hào)進(jìn)行分流。5)在VD1正極上接有...

    2024-01-31
  • 山西大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)SCR系列
    山西大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)SCR系列

    或電流)的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開(kāi)始導(dǎo)通,它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài),而此時(shí)門(mén)極電流可以取消。晶閘管不能被門(mén)極關(guān)斷,像一個(gè)二極管一樣導(dǎo)通,直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時(shí),它才會(huì)截止。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)...

    2024-01-31
  • 青海高壓igbt驅(qū)動(dòng)模塊可控硅(晶閘管)宏微全新原裝
    青海高壓igbt驅(qū)動(dòng)模塊可控硅(晶閘管)宏微全新原裝

    或電流)的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開(kāi)始導(dǎo)通,它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài),而此時(shí)門(mén)極電流可以取消。晶閘管不能被門(mén)極關(guān)斷,像一個(gè)二極管一樣導(dǎo)通,直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時(shí),它才會(huì)截止。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)...

    2024-01-31
  • 湖南CD135 200V4700UF電容品質(zhì)優(yōu)異
    湖南CD135 200V4700UF電容品質(zhì)優(yōu)異

    上拉電阻的其他作用:作用1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)CMOS電路時(shí),如果電路輸出的高電平低于CMOS電路的高電平(一般為3.5V),這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻,以提高輸出高電平的值。2、OC門(mén)電路必須使用上拉電阻,以提高輸出的高電平值。3、為增強(qiáng)輸出引腳的驅(qū)...

    2024-01-31
  • 河北IXYS艾賽斯二極管標(biāo)準(zhǔn)封裝
    河北IXYS艾賽斯二極管標(biāo)準(zhǔn)封裝

    沒(méi)有高到讓外接的二極管處于導(dǎo)通狀態(tài),理由是:如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高,那么VD1、VD2和VD3導(dǎo)通,其導(dǎo)通后的內(nèi)阻很小,這樣會(huì)將集成電路A1的①腳輸出的交流信號(hào)分流到地,對(duì)信號(hào)造成衰減,顯然這一電路中不需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行這樣的衰減,所以從這個(gè)角...

    2024-01-31
  • 西藏CD135 200V33000UF電容國(guó)內(nèi)經(jīng)銷(xiāo)
    西藏CD135 200V33000UF電容國(guó)內(nèi)經(jīng)銷(xiāo)

    超級(jí)電容器的有點(diǎn)就是在很小的體積下達(dá)到法拉級(jí)的電容量;無(wú)須特別的充電電路和控制放電電路;和電池相比過(guò)充、過(guò)放都不對(duì)其壽命構(gòu)成負(fù)面影響;從環(huán)保的角度考慮,它是一種綠色能源;超級(jí)電容器可焊接,因而不存在像電池接觸不牢固等問(wèn)題。缺點(diǎn)就是如果使用不當(dāng)會(huì)造成電解質(zhì)泄漏等...

    2024-01-31
  • 北京可關(guān)斷可控硅(晶閘管)原裝進(jìn)口
    北京可關(guān)斷可控硅(晶閘管)原裝進(jìn)口

    ⑿脈沖輸出:六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度:2個(gè)20°寬脈沖列、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對(duì)稱(chēng)度:≤°;脈沖電流峰值:>800mA⒀PID動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間≤10ms,超調(diào)量≤1%。⒁有回零保護(hù)、軟起動(dòng)、急停功能。⒂比較大外形尺寸:235...

    2024-01-31
  • 內(nèi)蒙古宏微整流二極管批發(fā)采購(gòu)
    內(nèi)蒙古宏微整流二極管批發(fā)采購(gòu)

    半導(dǎo)體二極管:半導(dǎo)體二極管是指利用半導(dǎo)體特性的兩端電子器件。常見(jiàn)的半導(dǎo)體二極管是PN結(jié)型二極管和金屬半導(dǎo)體接觸二極管。它們的共同特點(diǎn)是伏安特性的不對(duì)稱(chēng)性,即電流沿其一個(gè)方向呈現(xiàn)良好的導(dǎo)電性,而在相反方向呈現(xiàn)高阻特性。可用作為整流、檢波、穩(wěn)壓、恒流、變?nèi)?、開(kāi)關(guān)、...

    2024-01-31
  • 江西CD138 400V5600UF電容國(guó)內(nèi)經(jīng)銷(xiāo)
    江西CD138 400V5600UF電容國(guó)內(nèi)經(jīng)銷(xiāo)

    鋁電解電容器的應(yīng)用與發(fā)展:目前全球鋁電解電容器供應(yīng)市場(chǎng)日趨成熟,主要集中在日本、中國(guó)大陸、地區(qū)以及韓國(guó)等地區(qū)。從近幾年的行業(yè)總體競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看,日本的電解電容器生產(chǎn)量開(kāi)始逐漸萎縮減產(chǎn),取而代之的是韓國(guó)企業(yè),企業(yè),中國(guó)大陸企業(yè)。鋁電解電容器這種產(chǎn)品在1978年之前...

    2024-01-31
  • 山西CD135 200V8200UF電容代理貨源
    山西CD135 200V8200UF電容代理貨源

    1.鉭電解電容與普通電容的區(qū)別鉭電解電容和普通電容主要在材料、構(gòu)造和性能等方面存在著明顯的差異。鉭電解電容的正極是由鉭金屬制成的,而普通電容則使用鋁箔或其他金屬材料。此外,鉭電解電容器的絕緣層是以化學(xué)方式形成的納米級(jí)氧化物膜,而普通電容則采用了傳統(tǒng)...

    2024-01-31
  • 吉林Mitsubishi 三菱IGBT模塊快速發(fā)貨
    吉林Mitsubishi 三菱IGBT模塊快速發(fā)貨

    北京時(shí)間10月9日,韓聯(lián)社周一援引韓國(guó)總統(tǒng)辦公室的官方消息報(bào)道稱(chēng),韓國(guó)兩大芯片巨頭三星電子、SK海力士將被允許無(wú)限期向其中國(guó)工廠供應(yīng)美國(guó)芯片設(shè)備,而無(wú)需獲得美國(guó)的單獨(dú)批準(zhǔn)。 韓國(guó)總統(tǒng)府周一表示,美國(guó)已決定允許向三星和SK海力士中國(guó)工廠出口半導(dǎo)...

    2024-01-30
  • 內(nèi)蒙古CD138 450V12000UF電容批發(fā)采購(gòu)
    內(nèi)蒙古CD138 450V12000UF電容批發(fā)采購(gòu)

    鋰電池的分類(lèi): 鋰離子電池的正極材料一般有如下幾種:鈷酸鋰、錳酸鋰、三原材料、磷酸鐵鋰。其中,鈷酸鋰、錳酸鋰、三原材料是已經(jīng)量產(chǎn)多年的正極材料,而磷酸鐵鋰是新型的動(dòng)力電池正極材料,還沒(méi)有完全市場(chǎng)化。因此,如果按正極材料來(lái)命名的話,鋰離子電池可以分類(lèi)為...

    2024-01-30
  • 浙江艾賽斯可控硅二極管?chē)?guó)內(nèi)經(jīng)銷(xiāo)
    浙江艾賽斯可控硅二極管?chē)?guó)內(nèi)經(jīng)銷(xiāo)

    [4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí),允許通過(guò)的大正向平均電流值,其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱,溫度上升,溫度超過(guò)容許限度(硅管為141℃左右,鍺管為90℃左右)時(shí),就會(huì)使管芯過(guò)熱而損壞。所以在規(guī)定散...

    2024-01-30
  • 甘肅B43564-S9588-M1電容國(guó)內(nèi)經(jīng)銷(xiāo)
    甘肅B43564-S9588-M1電容國(guó)內(nèi)經(jīng)銷(xiāo)

    電容制造商常常通過(guò)阻抗與頻率的關(guān)系圖來(lái)說(shuō)明有效串聯(lián)電感。不出意料的話,這些圖會(huì)顯示:在低頻時(shí),器件主要表現(xiàn)出容性電抗;頻率較高時(shí),由于串聯(lián)電感的存在,阻抗會(huì)升高。有效串聯(lián)電阻ESR(圖1的電阻Rs)由引腳和電容板的電阻組成。如上文所述,許多制造商將ESR、ES...

    2024-01-30
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