上拉電阻的其他作用：作用1、當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)CMOS電路時(shí)，如果電路輸出的高電平低于CMOS電路的高電平（一般為3.5V），這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。2、OC門(mén)電路必須使用上拉電阻，以提高輸出的高電平值。3、為增強(qiáng)輸出引腳的驅(qū)...

故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下，從門(mén)極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高其電流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1，產(chǎn)生更...

熔斷器（fuse）是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開(kāi)電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開(kāi)；運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器，利用金屬導(dǎo)體作為熔體串聯(lián)于電路中，當(dāng)過(guò)載或短路電流通...

一個(gè)實(shí)施例提供了包括一個(gè)或多個(gè)以上限定的結(jié)構(gòu)的二極管。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管由一個(gè)或多個(gè)晶體管限定，晶體管具有在兩個(gè)溝槽之間延伸的至少一個(gè)溝道區(qū)域，一區(qū)域限定晶體管柵極。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該二極管包括將溝道區(qū)域電連接到傳導(dǎo)層的接觸區(qū)域。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一區(qū)域是...

除了考慮通過(guò)元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬(wàn)用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換。3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣...

下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔，測(cè)量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極，剩...

一個(gè)空穴電流（雙極）。當(dāng)UCE大于開(kāi)啟電壓UCE(th），MOSFET內(nèi)形成溝道，為晶體管提供基極電流，IGBT導(dǎo)通。2)導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，通態(tài)壓降小。所謂通態(tài)壓降，是指IGBT進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的管壓降UDS，這個(gè)電壓隨UCS上升而下降。3)關(guān)斷...

超級(jí)電容器取代鋰電池是有前提性的，如果不考慮體積，超級(jí)電容器取代鋰電池的時(shí)間不會(huì)很長(zhǎng)，因?yàn)樗^之于鋰電池有儲(chǔ)存容量大，可以大電流放點(diǎn)，這是鋰電池不可比擬的。但是要想做得像鋰電池那樣小，特別是用于手機(jī)等移動(dòng)產(chǎn)品，那應(yīng)該是很遙遠(yuǎn)的事了。超級(jí)電容器的儲(chǔ)能原理不同于蓄...

茗熔熔斷器RO30C NT00C NH00C 25A-160A用途：本系列熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至690V，額定電流至1600A，主要用在電氣線(xiàn)路中作為半導(dǎo)體設(shè)備的短路保護(hù)（aR）。本系列熔斷體額定分段能力至100KA。本系列熔斷體符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)G...

IXYS艾賽斯可控硅三相橋式整流器VUO82-18NO7 可控硅有多種分類(lèi)方法。按關(guān)斷QS3861QG、導(dǎo)通及控制方式不同，可控硅可以分為普通單向可控硅、雙向可控硅、特種可控硅，特種可控硅又分為逆導(dǎo)型可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、...

茗熔快速熔斷器MRO RGS4 32A40A50A63A75A80A85A100A110A 660GH 用途：本系列熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至690V，額定電流至1600A，主要用在電氣線(xiàn)路中作為半導(dǎo)體設(shè)備的短路保護(hù)（aR）。本系列熔斷體額定分段能力...

α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管（英語(yǔ)：Thyristor），簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管，指的是具有四層交錯(cuò)P、N層的半導(dǎo)體裝置。**早出現(xiàn)與主...

定義/晶閘管編輯晶閘管導(dǎo)通條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管（Thyristor）...

大電容和小電容的作用是什么？電容器是電路中非常重要的元件之一，其重要的作用就在于儲(chǔ)存電荷。根據(jù)其儲(chǔ)存電荷的數(shù)量不同，可分為大電容和小電容。這兩種電容器在電路中各有不同的應(yīng)用，下面詳細(xì)討論它們的作用。一、大電容的作用大電容通常指電容值在數(shù)百微法以上的電容器，其作...

這種接法就相當(dāng)于給予萬(wàn)用表串接上了，使檢測(cè)電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開(kāi)啟電壓為2V)。檢測(cè)時(shí)，用萬(wàn)用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發(fā)光，此時(shí)，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負(fù)極。[8]二極管紅外發(fā)光二極管1.判別紅外發(fā)...

對(duì)于常用的硅二極管而言導(dǎo)通后正極與負(fù)極之間的電壓降為。根據(jù)二極管的這一特性，可以很方便地分析由普通二極管構(gòu)成的簡(jiǎn)易直流穩(wěn)壓電路工作原理。3只二極管導(dǎo)通之后，每只二極管的管壓降是，那么3只串聯(lián)之后的直流電壓降是×3=。3．故障檢測(cè)方法檢測(cè)這一電路中的3只二極管為...

晶閘管（SCR）是一種半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。早在1956年，Moll等人就發(fā)表了這種開(kāi)關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。盡管低功率器件在當(dāng)***關(guān)領(lǐng)域已基本銷(xiāo)聲匿跡，并被高壓雙極結(jié)型晶體管（BJT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等...

[4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過(guò)的大正向平均電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過(guò)容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時(shí)，就會(huì)使管芯過(guò)熱而損壞。所以在規(guī)定散...

否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí)，熱量來(lái)不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相，負(fù)載過(guò)載或短路，相鄰...

類(lèi)型鋁電解電容器可以分為四類(lèi)：1.引線(xiàn)型鋁電解電容器；2.牛角型鋁電解電容器；3.螺栓式鋁電解電容器；4.固態(tài)鋁電散磨解電容器。特點(diǎn)1.單位體積的電容量非常大，比其它種類(lèi)的電容大幾十到數(shù)百倍。2.額定的容量可以做到非常大，可以輕易做到幾萬(wàn)μf甚至幾f（但不能和...

圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的電壓與電流波形。圖中開(kāi)通過(guò)程描述的是晶閘管門(mén)極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開(kāi)始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過(guò)程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線(xiàn)波形）。開(kāi)通過(guò)程晶閘管的...

IGBT兩單元:SKM75GB128DSKM100GB128DSKM145GB128DSKM150GB128DSKM200GB128DSKM300GB128DGAL斬波：SKM145GAL128DSKM300GAL128DSKM400GAL128DGAR斬波：...

Ia與Il成正比，即當(dāng)光電二極管的光電流增大時(shí)，光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大，同時(shí)Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大。當(dāng)al與a2之和接近l時(shí)，光控晶閘管的Ia達(dá)到**大，即完全導(dǎo)通。能使光控晶閘管導(dǎo)通的**小光照度，稱(chēng)其為導(dǎo)通光照度...

圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的電壓與電流波形。圖中開(kāi)通過(guò)程描述的是晶閘管門(mén)極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開(kāi)始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過(guò)程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線(xiàn)波形）。開(kāi)通過(guò)程晶閘管的...

電容從物理學(xué)上講，它是一種靜態(tài)電荷存儲(chǔ)介質(zhì)，可能電荷會(huì)長(zhǎng)久存在，這是它的特征，它的用途較廣，它是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件。主要用于電源濾波、信號(hào)濾波、信號(hào)耦合、諧振、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲(chǔ)能、隔直流等電路中。 10uF就是106。在表示電...

斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫、門(mén)極開(kāi)路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過(guò)大，在晶閘管剛開(kāi)通時(shí)會(huì)有很大的電流集中在門(mén)極附...

鋁電解電容器的工作原理:具有較高的單位體積電容值，而且?guī)缀蹩捎糜谌魏坞娮酉到y(tǒng)，包括用于過(guò)濾不需要的交流頻率，以及在一些應(yīng)用中用于儲(chǔ)存能量。此外，由于它提供高電容值和低阻抗，因此也常用于DC-DC變換器、逆變器和電源之中。2、出于效率方面的考慮，人們一直非常關(guān)注...

電解電容其作用是：隔直流：作用是阻止直流通過(guò)而讓交流通過(guò)。旁路（去耦）：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。耦合：作為兩個(gè)電路之間的連接，允許交流信號(hào)通過(guò)并傳輸?shù)较乱患?jí)電路。濾波：將整流以后的鋸齒波變?yōu)槠交拿}動(dòng)波，接近于直流。儲(chǔ)能：儲(chǔ)存電能，用于必須要...

可控硅有多種分類(lèi)方法。按關(guān)斷QS3861QG、導(dǎo)通及控制方式不同，可控硅可以分為普通單向可控硅、雙向可控硅、特種可控硅，特種可控硅又分為逆導(dǎo)型可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅及光控可控硅等多種；按電流容量大小不同，可控硅可分為大...

人們?cè)谥圃旃に嚭徒Y(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱(chēng)為快速晶閘管。它具有以下幾個(gè)特點(diǎn)。一、關(guān)斷時(shí)間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管，當(dāng)切斷正向電流時(shí)。并不能馬上“關(guān)斷”，這時(shí)如立即加上正向電壓，它還會(huì)繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極...