ITO靶材就是氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過(guò)一系列的生產(chǎn)工藝加工成型，再高溫氣氛燒結(jié)(1600度，通氧氣燒結(jié))形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體。ito薄膜是利用ito材作為原材料，通過(guò)磁控濺射把ito氣化濺渡到玻璃基板或柔性有機(jī)薄膜上ito材主要是在平板顯示器中得到廣的運(yùn)用，靶材主用是在半導(dǎo)體中運(yùn)用廣。科技發(fā)展的迅速，讓電子行業(yè)在市場(chǎng)中占據(jù)很大的份額，直接影響到了人們的工作和生活I(lǐng)TO濺射靶材是一種由氧化銦錫制成的陶瓷射材料。氧化銦錫(ITO)是氧化銦(In203)和氧化錫(SnO2)的固溶體，通常按重量計(jì)90%In203、10%SnO2。銦錫氧化物(ITO)因其導(dǎo)電性和光學(xué)透明性而成為應(yīng)用廣的...

從整體上看，ITO在光電綜合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的優(yōu)勢(shì)或?qū)榘胁膸?lái)降本空間。在相關(guān)實(shí)驗(yàn)中利用AZO靶材和ITO靶材制備了3組實(shí)驗(yàn)薄膜（共6份樣品）。實(shí)驗(yàn)中主要從光學(xué)性能和電學(xué)性能上對(duì)AZO薄膜和ITO薄膜進(jìn)行了對(duì)比。在特定情況下AZO靶材與ITO靶材電學(xué)性能差距縮小。根據(jù)比較終實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)看，AZO薄膜和ITO薄膜的方塊電阻以及電阻率隨著薄膜的厚度增加而降低，并且隨著薄膜厚度的增加，AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。當(dāng)AZO薄膜厚度為640nm時(shí)，方塊電阻以及電阻率為32Ω?sq-1和20.48*10-4Ω?cm。AZO薄膜光學(xué)性能優(yōu)于ITO薄膜。ITO...

江蘇迪納科精細(xì)材料股份有限公司是一家主要生產(chǎn)和銷售陶瓷，金屬，合金等各類型靶材。陶瓷靶材以氧化銦基和氧化鋅基為主，金屬和合金靶材以各種熔煉工藝和擠壓鍛造工藝為主。 ITO靶材應(yīng)用領(lǐng)域 1、平板顯示器(純度4N)在平板顯示領(lǐng)域，ITO靶材主要用于制作ITO導(dǎo)電玻璃及觸控屏電極平板，是LCD、PDP、OLED、觸摸屏等各類平板顯示器件制備的主要材料。顯示面板一般涉及上下兩層ITO導(dǎo)電膜，用量較大，ITO靶材是平板顯示領(lǐng)域用量比較大的靶材之一。 2、薄膜太陽(yáng)能電池(純度4N)ITO是一種透明導(dǎo)電層，在太陽(yáng)能電池中作為透光層，同時(shí)作為電極，一般為正極，另一個(gè)電極一般以金屬銀或鋁作...

靶材清潔的目的及方法：靶材清潔的目的是去除靶材表面可能存在的灰塵或污垢。金屬靶材可以通過(guò)四步清潔：第一步用浸泡過(guò)的無(wú)絨軟布清潔；第二步與第一步類似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過(guò)后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建議用“無(wú)絨布”進(jìn)行清潔。第四步用高壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統(tǒng)中會(huì)造成起弧的雜質(zhì)微粒。 我們建議用戶將靶材無(wú)論是金屬或陶瓷類保存在真空包裝中，尤其是貼合靶材更需要保存在真空條件下，以避免貼合層氧化影響貼合質(zhì)量。 AZO薄膜是一種透明導(dǎo)電膜，與ITO薄膜相似的光學(xué)和電學(xué)特性，制備工藝簡(jiǎn)單、價(jià)格低、無(wú)...

氧化鈮由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)而被廣地應(yīng)用于現(xiàn)代技術(shù)的許多領(lǐng)域。例如，利用其較強(qiáng)的紫外線吸收能力，可將其用作紫外敏感材料的保護(hù)膜；利用其薄膜折射率較高的特性，可與SiO2等配合可制備具有不同折射率的薄膜。由于這些明顯的優(yōu)點(diǎn)，氧化鈮靶材被廣地應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、液晶顯示器、離子顯示器、收集觸屏、光學(xué)玻璃、氣體傳感器等眾多領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展以及應(yīng)用領(lǐng)域的不斷延伸，氧化鈮靶材的需求量也不斷增大。目前，市場(chǎng)上使用的多的是氧化鈮平面靶材，大都采用真空熱壓法來(lái)制備。但是采用該方法，氧化鈮靶坯厚度較大，加工過(guò)程中需要通過(guò)機(jī)加工剖片工藝加工達(dá)到所需的厚度要求。ITO靶材被廣泛應(yīng)用于各大行業(yè)之中，其主要應(yīng)...

濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互摻雜得到，是一種透明金屬氧化物半導(dǎo)體材料。云南功能性陶瓷靶材 江蘇迪納科精細(xì)...

氧化鈮由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)而被廣地應(yīng)用于現(xiàn)代技術(shù)的許多領(lǐng)域。例如，利用其較強(qiáng)的紫外線吸收能力，可將其用作紫外敏感材料的保護(hù)膜；利用其薄膜折射率較高的特性，可與SiO2等配合可制備具有不同折射率的薄膜。由于這些明顯的優(yōu)點(diǎn)，氧化鈮靶材被廣地應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、液晶顯示器、離子顯示器、收集觸屏、光學(xué)玻璃、氣體傳感器等眾多領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展以及應(yīng)用領(lǐng)域的不斷延伸，氧化鈮靶材的需求量也不斷增大。目前，市場(chǎng)上使用的多的是氧化鈮平面靶材，大都采用真空熱壓法來(lái)制備。但是采用該方法，氧化鈮靶坯厚度較大，加工過(guò)程中需要通過(guò)機(jī)加工剖片工藝加工達(dá)到所需的厚度要求。冷等靜壓法制備ITO靶材優(yōu)點(diǎn)。安徽AZO陶瓷...

陶瓷靶材陶瓷靶材按化學(xué)組成,可分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.陶瓷靶材是比較脆的靶材,通常陶瓷靶材都會(huì)綁定背板一起使用,背板除了在濺射過(guò)程中可支撐陶瓷靶材,還可以在濺射過(guò)程中起到熱傳遞的作用.陶瓷靶材的種類很多,應(yīng)用范圍廣,主要用于微電子領(lǐng)域,顯示器用,存儲(chǔ)等領(lǐng)域.陶瓷靶材作為非金屬薄膜產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)材料,已得到空前的發(fā)展.陶瓷靶材的制備工藝難點(diǎn)主要有:超大尺寸陶瓷靶材制備技術(shù)、如何抑制濺射過(guò)程中微粒的產(chǎn)生、如何保證陶瓷靶材的相結(jié)構(gòu)及組織均勻性、盡量提高陶瓷靶材的致密度及減少含氣量等.陶瓷靶材的特性要求:（1）純度:陶瓷靶材的純度對(duì)濺射薄膜...

陶瓷靶材是一種重要的濺射靶材，廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域的薄膜制備和表面處理。作為一種高純度、高密度的材料，陶瓷靶材具有許多獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。首先，陶瓷靶材具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，能夠在高溫和復(fù)雜的化學(xué)環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。這使得陶瓷靶材在各種薄膜制備過(guò)程中能夠提供穩(wěn)定的材料源，確保薄膜的質(zhì)量和性能。其次，陶瓷靶材具有良好的機(jī)械性能和熱導(dǎo)性能。這使得陶瓷靶材在濺射過(guò)程中能夠承受高能量的離子轟擊和高溫的熱沖擊，不易發(fā)生破裂和變形。同時(shí)，陶瓷靶材的高熱導(dǎo)性能能夠有效地散熱，保持靶材表面的穩(wěn)定溫度，提高濺射過(guò)程的效率和穩(wěn)定性。此外，陶瓷靶材具有優(yōu)異的光學(xué)性能和電學(xué)性能。不同種類的陶瓷靶材具有不同的光...

從整體上看，ITO在光電綜合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的優(yōu)勢(shì)或?qū)榘胁膸?lái)降本空間。在相關(guān)實(shí)驗(yàn)中利用AZO靶材和ITO靶材制備了3組實(shí)驗(yàn)薄膜（共6份樣品）。實(shí)驗(yàn)中主要從光學(xué)性能和電學(xué)性能上對(duì)AZO薄膜和ITO薄膜進(jìn)行了對(duì)比。在特定情況下AZO靶材與ITO靶材電學(xué)性能差距縮小。根據(jù)比較終實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)看，AZO薄膜和ITO薄膜的方塊電阻以及電阻率隨著薄膜的厚度增加而降低，并且隨著薄膜厚度的增加，AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。當(dāng)AZO薄膜厚度為640nm時(shí)，方塊電阻以及電阻率為32Ω?sq-1和20.48*10-4Ω?cm。AZO薄膜光學(xué)性能優(yōu)于ITO薄膜。ITO...

ITO陶瓷靶材在磁控濺射過(guò)程中，靶材表面受到Ar轟擊和被濺射原子再沉積的多重作用而發(fā)生復(fù)雜的物理化學(xué)變化,ITO靶材表面會(huì)產(chǎn)生許多小的結(jié)瘤,這個(gè)現(xiàn)象被稱為ITO靶材的毒化現(xiàn)象。靶材結(jié)瘤毒化后.靶材的濺射速率降低，孤光放電頻率增加，所制備的薄膜電阻增加,透光率降低且均一性變差，此時(shí)必須停止濺射,清理靶材表面或更換靶材,這嚴(yán)重降低濺射鍍膜效率。目前對(duì)于結(jié)瘤形成機(jī)理尚未有統(tǒng)一定論，如孔偉華研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,認(rèn)為結(jié)瘤是In2O3、分解所致,導(dǎo)電導(dǎo)熱性能不好的In2O3又成為熱量聚集的中心，使結(jié)瘤進(jìn)一步發(fā)展;姚吉升等研究了結(jié)瘤物相組成及化學(xué)組分,認(rèn)為結(jié)瘤是偏離了化學(xué)計(jì)量的IT...

氧化鈮由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)而被廣地應(yīng)用于現(xiàn)代技術(shù)的許多領(lǐng)域。例如，利用其較強(qiáng)的紫外線吸收能力，可將其用作紫外敏感材料的保護(hù)膜；利用其薄膜折射率較高的特性，可與SiO2等配合可制備具有不同折射率的薄膜。由于這些明顯的優(yōu)點(diǎn)，氧化鈮靶材被廣地應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、液晶顯示器、離子顯示器、收集觸屏、光學(xué)玻璃、氣體傳感器等眾多領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展以及應(yīng)用領(lǐng)域的不斷延伸，氧化鈮靶材的需求量也不斷增大。目前，市場(chǎng)上使用的多的是氧化鈮平面靶材，大都采用真空熱壓法來(lái)制備。但是采用該方法，氧化鈮靶坯厚度較大，加工過(guò)程中需要通過(guò)機(jī)加工剖片工藝加工達(dá)到所需的厚度要求。氧化鈮由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)而被廣地應(yīng)用...

靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。（1）靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的主要部分，涉及高純金屬、晶粒取向調(diào)控。在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜。（2）背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，涉及焊接工藝。由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程。機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。陶瓷靶材的種類很多,應(yīng)用范圍廣,主要用于微電子領(lǐng)域,顯示器用,存儲(chǔ)等領(lǐng)域.貴州濺射陶瓷靶材磁控濺射鍍膜是一種新型的氣相鍍膜方式,就是用電子...

靶材主要用于生成太陽(yáng)能薄膜電池的背電極，晶體硅太陽(yáng)能電池較少用到濺射靶材。太陽(yáng)能電池主要包括晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池，晶體硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率較高、性能穩(wěn)定，且各個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)比較成熟，占據(jù)了太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。而晶體硅太陽(yáng)能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽(yáng)能電池以及PVD工藝高轉(zhuǎn)化率硅片太陽(yáng)能電池，其中硅片涂覆型太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材，目前靶材主要用于太陽(yáng)能薄膜電池領(lǐng)域。靶材濺射鍍膜形成的太陽(yáng)能薄膜電池的背電級(jí)主要有三個(gè)用途：一，它是各單體電池的負(fù)極；二，它是各自電池串聯(lián)的導(dǎo)電通道；三，它可以增加太陽(yáng)能電池對(duì)光的反射。太陽(yáng)能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀，對(duì)純度要...

濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。陶瓷靶材的制備工藝；江西陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技...

氧化鋁薄膜是一種重要的功能薄膜材料，由于具有較高的介電常數(shù)、高熱導(dǎo)率、抗輻照損傷能力強(qiáng)、抗堿離子滲透能力強(qiáng)以及在很寬的波長(zhǎng)范圍內(nèi)透明等諸多優(yōu)異的物理、化學(xué)性能，使其在微電子器件、電致發(fā)光器件、光波導(dǎo)器件以及抗腐蝕涂層等眾多領(lǐng)域有著廣的應(yīng)用。磁控濺射具有濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點(diǎn)，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn)等明顯優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用日趨廣，成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術(shù)之一。濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場(chǎng)的作用下，對(duì)陰極靶材表面進(jìn)行轟擊，把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來(lái)，被濺射出來(lái)的粒子帶有一定的動(dòng)能，沿一定的方向射向基體表面，在基體表面形成鍍層。用這...

靶材安裝注意事項(xiàng)靶材安裝過(guò)程中非常重要的注意事項(xiàng)是一定要確保在靶材和濺射腔體冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。如果冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會(huì)造成靶材安裝時(shí)發(fā)生開裂或彎曲，背靶到靶材的導(dǎo)熱性能就會(huì)受到很大的影響，導(dǎo)致在濺射過(guò)程中熱量無(wú)法散發(fā)**終會(huì)造成靶材開裂或脫靶。為確保足夠的導(dǎo)熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請(qǐng)注意要仔細(xì)檢查和明確所使用濺射***冷卻壁的平整度，同時(shí)確保密封圈始終在位置上。由于所使用冷卻水的潔凈程度和設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中可能會(huì)產(chǎn)生的污垢會(huì)沉積在陰極冷卻水槽內(nèi)，所以在安裝靶材時(shí)需要對(duì)陰極冷卻水槽進(jìn)行檢查和清理，確保冷卻水循環(huán)的順暢和進(jìn)出水口不會(huì)被堵塞。有些陰極設(shè)...

鍍膜的主要工藝有PVD和化學(xué)氣相沉積（CVD）。（1）PVD技術(shù)是目前主流鍍膜方法，其中的濺射工藝在半導(dǎo)體、顯示面板應(yīng)用廣。PVD技術(shù)分為真空蒸鍍法、濺鍍法和離子鍍法。三種方法各有優(yōu)劣勢(shì)：真空蒸鍍法對(duì)于基板材質(zhì)沒(méi)有限制；濺鍍法薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜好；離子鍍法的繞鍍能力強(qiáng)，清洗過(guò)程簡(jiǎn)化，但在高功率下影響鍍膜質(zhì)量。不同方法的選擇主要取決于產(chǎn)品用途與應(yīng)用場(chǎng)景。（2）CVD技術(shù)主要通過(guò)化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)引入反應(yīng)室，在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。陶瓷靶材按化學(xué)組成,分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物靶材和硫化物靶材等...

江蘇迪納科精細(xì)材料股份有限公司是一家主要生產(chǎn)和銷售陶瓷，金屬，合金等各類型靶材。陶瓷靶材以氧化銦基和氧化鋅基為主，金屬和合金靶材以各種熔煉工藝和擠壓鍛造工藝為主。 ITO靶材應(yīng)用領(lǐng)域 1、平板顯示器(純度4N)在平板顯示領(lǐng)域，ITO靶材主要用于制作ITO導(dǎo)電玻璃及觸控屏電極平板，是LCD、PDP、OLED、觸摸屏等各類平板顯示器件制備的主要材料。顯示面板一般涉及上下兩層ITO導(dǎo)電膜，用量較大，ITO靶材是平板顯示領(lǐng)域用量比較大的靶材之一。 2、薄膜太陽(yáng)能電池(純度4N)ITO是一種透明導(dǎo)電層，在太陽(yáng)能電池中作為透光層，同時(shí)作為電極，一般為正極，另一個(gè)電極一般以金屬銀或鋁作...

靶材安裝注意事項(xiàng)靶材安裝過(guò)程中非常重要的注意事項(xiàng)是一定要確保在靶材和濺射腔體冷卻壁之間建立很好的導(dǎo)熱連接。如果冷卻壁的翹曲程度嚴(yán)重或背板翹曲嚴(yán)重會(huì)造成靶材安裝時(shí)發(fā)生開裂或彎曲，背靶到靶材的導(dǎo)熱性能就會(huì)受到很大的影響，導(dǎo)致在濺射過(guò)程中熱量無(wú)法散發(fā)**終會(huì)造成靶材開裂或脫靶。為確保足夠的導(dǎo)熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請(qǐng)注意要仔細(xì)檢查和明確所使用濺射***冷卻壁的平整度，同時(shí)確保密封圈始終在位置上。由于所使用冷卻水的潔凈程度和設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中可能會(huì)產(chǎn)生的污垢會(huì)沉積在陰極冷卻水槽內(nèi)，所以在安裝靶材時(shí)需要對(duì)陰極冷卻水槽進(jìn)行檢查和清理，確保冷卻水循環(huán)的順暢和進(jìn)出水口不會(huì)被堵塞。有些陰極設(shè)...

ITO（氧化銦錫）靶材是濺射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一種，在顯示靶材中占比將近60%。ITO靶材就是將氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過(guò)一系列的生產(chǎn)工藝加工成型，再高溫氣氛燒結(jié)（1600度，通氧氣燒結(jié)）形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體。中低端ITO靶材有玻璃鍍膜靶材、發(fā)熱膜和熱反射膜靶材，包括汽車的顯示屏、一些儀器儀表的顯示。優(yōu)異的ITO靶材主要用于顯示器薄膜靶材、集成電路薄膜靶材以及磁記錄和光記錄膜靶材，尤其用于大面積、大規(guī)格的LED、OLED等領(lǐng)域，具備高密度、高純度、高均勻性等特點(diǎn)。 ITO靶材中氧化銦：氧化錫的配比分為90:10，93:7，95:5, 97:3, 99:1。...

AZO透明導(dǎo)電薄膜具有高可見光透過(guò)率和低電阻率的特點(diǎn)，因此可以作為平面顯示器和太陽(yáng)能平面電極材料，也可用在節(jié)能方面，如建筑玻璃表面和汽車玻璃表面近年來(lái),隨著液晶顯示、觸控面板、有機(jī)發(fā)光顯示、太陽(yáng)能電池等的發(fā)展，使得透明導(dǎo)電薄膜成為關(guān)鍵性材料之一。目前，常用的錫摻雜氧化鋼(ITO)透明導(dǎo)電薄膜材料中的金屬銦屬于稀缺資源，開發(fā)具有透光、導(dǎo)電特性的“非銦”材料已成為研究的熱點(diǎn)之一。由于氧化鋅基(ZnO)透明導(dǎo)電薄膜價(jià)格較為低廉，且不具毒性，在發(fā)展上具有相當(dāng)?shù)膬?yōu)異性。因此，對(duì)于氧化鋅薄膜材料及其制備技術(shù)的研發(fā)，引起了大家的重視。AZO薄膜是一種透明導(dǎo)電膜，具有與ITO薄膜相比擬的光學(xué)和電學(xué)特性，并具有...

透明導(dǎo)電薄膜的種類很多，主要有 ITO，TCO，AZO 等，其中 ITO的性能比較好，ITO具有高透光率，低電阻率。目前 ITO 的制備方法主要是磁控濺射，要獲得高質(zhì)量的 ITO薄膜，制備高密度、高純度和高均勻性的 ITO 靶材是關(guān)鍵。高質(zhì)量的成品 ITO 濺射靶應(yīng)具有99%的相對(duì)密度。這樣的靶材才具有較低電阻率、較高導(dǎo)熱率及較高的機(jī)械強(qiáng)度。高密度靶可以在溫度較低條件下在玻璃基片上濺射，獲得較低電阻率和較高透光率的導(dǎo)電薄膜。甚至可以在有機(jī)材料上濺射 ITO 導(dǎo)電膜。目前ITO靶材的制備方法主要有熱壓法、冷等靜壓-燒結(jié)法、熱等靜壓法。其中采用冷等靜壓-燒結(jié)法，其相對(duì)密度能達(dá)到 99%以上，燒...

磁控濺射的工作原理簡(jiǎn)單說(shuō)就是利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，氬離子轟擊靶材表面，同時(shí)也把動(dòng)能傳導(dǎo)進(jìn)去，隨后靶材表面的原子就被轟擊出來(lái)，從不同角度飛向基片，在其表面凝集沉積形成一層薄膜?！斑@層薄膜非常薄，往往都在納米量級(jí)，是人類肉眼看不見的，而一支10毫米厚的靶材所鍍的薄膜面積可達(dá)幾萬(wàn)甚至十幾萬(wàn)平方米，鍍膜后產(chǎn)生的價(jià)值遠(yuǎn)超過(guò)靶材本身的價(jià)值，靶材起的作用非常關(guān)鍵，所以我常將靶材稱為小而美、小而精的材料?！薄皠e小看這些薄膜材料，它們是很多功能器件得以大顯神威的主要材料?！卑胁念A(yù)濺射建議采用純氬氣進(jìn)行濺射，可以起到清潔靶材表面的作用。黑龍江氧化鋅陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材（...

濺射靶材開裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實(shí)際水溫存在差異，導(dǎo)致使用過(guò)程中靶材開裂。一般來(lái)說(shuō)，輕微的裂紋不會(huì)對(duì)鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當(dāng)靶材有明顯裂紋時(shí)，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導(dǎo)致靶材表面異常放電。放電會(huì)導(dǎo)致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報(bào)廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造發(fā)展過(guò)程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不會(huì)被退火過(guò)程完全消除，因?yàn)檫@是這些材料的固有特性。在濺射過(guò)程中，氣體離子被轟擊以將它們的動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動(dòng)量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達(dá)到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應(yīng)力將會(huì)增加到許多...

超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來(lái)說(shuō)，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的主要部分，在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成...

靶材預(yù)濺射建議采用純氬氣進(jìn)行濺射，可以起到清潔靶材表面的作用。靶材進(jìn)行預(yù)濺射時(shí)建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W小時(shí)/平方厘米。金屬類靶材的預(yù)濺射速度可以比陶瓷靶材快，一個(gè)合理的功率加大速率為1.5W小時(shí)/平方厘米。在進(jìn)行預(yù)濺射的同時(shí)需要檢查靶材起弧狀況，預(yù)濺射時(shí)間一般為10分鐘左右。如沒(méi)有起弧現(xiàn)象，繼續(xù)提升濺射功率到設(shè)定功率。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般應(yīng)確保冷卻水出水口的水溫應(yīng)低于35攝氏度，但非常重要的是確保冷卻水的循環(huán)系統(tǒng)能有效工作，通過(guò)冷卻水的快速循環(huán)帶走熱量，是確保能以較高功率連續(xù)濺射的一項(xiàng)重要保障。靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。山西AZO陶瓷靶材推薦廠家靶材主要由...

制備一種同質(zhì)雙層氧化鉿減反膜，屬于光學(xué)薄膜技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在透明或半透明基底上依次沉積高折射率的致密氧化鉿層和低折射率的多孔氧化鉿層。兩層氧化鉿的折射率由電子束蒸鍍的入射角度控制，厚度根據(jù)基底不同而調(diào)節(jié)。本發(fā)明采用電子束蒸鍍方法，并且雙層減反膜由同種材料制成，制備成本低、效率高。該雙層氧化鉿減反膜對(duì)于可見光范圍內(nèi)的多角度入射光均具有很好的減反增透能力，可用于降低窗板、觸屏電極或液晶顯示屏等表面的反射，具有廣的應(yīng)用前景。目前制備太陽(yáng)能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。湖南功能性陶瓷靶材推薦廠家靶材預(yù)濺射建議采用純氬氣進(jìn)行濺射，可以起到清潔靶材表...

ITO（氧化銦錫）靶材是濺射靶材中陶瓷靶材（化合物靶材）的一種，在顯示靶材中占比將近60%。ITO靶材就是將氧化銦和氧化錫粉末按一定比例混合后經(jīng)過(guò)一系列的生產(chǎn)工藝加工成型，再高溫氣氛燒結(jié)（1600度，通氧氣燒結(jié)）形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體。中低端ITO靶材有玻璃鍍膜靶材、發(fā)熱膜和熱反射膜靶材，包括汽車的顯示屏、一些儀器儀表的顯示。優(yōu)異的ITO靶材主要用于顯示器薄膜靶材、集成電路薄膜靶材以及磁記錄和光記錄膜靶材，尤其用于大面積、大規(guī)格的LED、OLED等領(lǐng)域，具備高密度、高純度、高均勻性等特點(diǎn)。 ITO靶材被廣泛應(yīng)用于各大行業(yè)之中。中國(guó)臺(tái)灣AZO陶瓷靶材市場(chǎng)價(jià)濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)...

濺射靶材開裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實(shí)際水溫存在差異，導(dǎo)致使用過(guò)程中靶材開裂。一般來(lái)說(shuō)，輕微的裂紋不會(huì)對(duì)鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當(dāng)靶材有明顯裂紋時(shí)，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導(dǎo)致靶材表面異常放電。放電會(huì)導(dǎo)致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報(bào)廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造發(fā)展過(guò)程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不會(huì)被退火過(guò)程完全消除，因?yàn)檫@是這些材料的固有特性。在濺射過(guò)程中，氣體離子被轟擊以將它們的動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動(dòng)量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達(dá)到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應(yīng)力將會(huì)增加到許多...