本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)：高精細(xì)芯片和顯示集成電路主要采用銅制程，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過氧化氫系銅刻蝕液。過氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系，過硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中，產(chǎn)物親和、友好、環(huán)境污染少，刻蝕效率高且使用壽命較長的特點。大部分過氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過氧化氫組分、參與溶解的無機(jī)酸/有機(jī)酸組分，以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個部分。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應(yīng)為放熱反應(yīng)，體系中又含有過氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過程中需要保證生產(chǎn)安全。技術(shù)實現(xiàn)要素...

本實用涉及電子化學(xué)品生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置。背景技術(shù)：近年來，人們對半導(dǎo)體裝置、液晶顯示器的需求量不斷增加的同時，對于這些裝置所具有的配線、電極等的微小化、高性能化的要求也越來越嚴(yán)格，而蝕刻的效果能直接導(dǎo)致電路板制造工藝的好壞，影響高密度細(xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量，為了解決蝕刻液組合物蝕刻鋁材料過程中，對蝕刻速率慢、難以控制蝕刻角度和不同金屬層的蝕刻量而造成的多層配線的半導(dǎo)體裝置的配線的斷路、短路，得到較高的成品率，為保證其穩(wěn)定性及蝕刻的平滑度及精度，在蝕刻液中需要加入多種組分，而常規(guī)的生產(chǎn)方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合?，F(xiàn)有的高蝕刻速率...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復(fù)數(shù)個宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異常現(xiàn)象，確實達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導(dǎo)致該基板20刮傷或破片風(fēng)險等主要優(yōu)勢。該蝕刻設(shè)備1可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置50，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程；由上述的說明，擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程，故仍舊會有少量的藥液51噴灑...

一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法技術(shù)領(lǐng)域1.本技術(shù)涉及化學(xué)蝕刻技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。背景技術(shù)：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學(xué)蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術(shù)實現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術(shù)難題，本技術(shù)提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應(yīng)用方法。...

本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)：高精細(xì)芯片和顯示集成電路主要采用銅制程，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過氧化氫系銅刻蝕液。過氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系，過硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中，產(chǎn)物親和、友好、環(huán)境污染少，刻蝕效率高且使用壽命較長的特點。大部分過氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過氧化氫組分、參與溶解的無機(jī)酸/有機(jī)酸組分，以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個部分。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應(yīng)為放熱反應(yīng)，體系中又含有過氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過程中需要保證生產(chǎn)安全。技術(shù)實現(xiàn)要素...

對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。實施例一，請參閱圖1-4，本實用新型提供技術(shù)方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，包括裝置主體1、支撐腿2、電源線3和單片機(jī)4，裝置主體1的底端固定連接有支撐腿2，裝置主體1的后面一側(cè)底部固定連接有電源線3，裝置主體1的一側(cè)中間部位固定連接有控制器5，裝置主體1的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機(jī)4，裝置主體1的頂部一端固定連接有去離子水儲罐14，裝...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復(fù)數(shù)個宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異常現(xiàn)象，確實達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導(dǎo)致該基板20刮傷或破片風(fēng)險等主要優(yōu)勢。該蝕刻設(shè)備1可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置50，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程；由上述的說明，擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程，故仍舊會有少量的藥液51噴灑...

目前的平面顯示裝置，尤其是有機(jī)電激發(fā)光顯示器，多使用鉻金屬作為導(dǎo)線的材料。但是因為鉻金屬的阻值高，因此研究者一直在尋求利用阻值較低的金屬作為導(dǎo)線的材料。以往曾經(jīng)有提議以銀作為平面顯示裝置的導(dǎo)線材料，但是因為無適當(dāng)穩(wěn)定的蝕刻液組成物，所以并未有***的運(yùn)用。近幾年為提高平面顯示裝置的效能，研究者仍專注于如何降低導(dǎo)線材料的電阻值。銀合金目前被視為適當(dāng)?shù)膶?dǎo)線材料，因其阻值低于其他的金屬。此外，含銀量超過80％以上的銀合金，雖然阻值未若銀金屬一般低，但是其阻值遠(yuǎn)低于鉻金屬。然而由于銀合金未具有適當(dāng)?shù)奈g刻液，所以并沒有廣泛應(yīng)用于晶片或面板的黃光制程。發(fā)明人爰因于此，本于積極發(fā)明的精神，亟思一...

以帶動該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風(fēng)刀裝置40的該***風(fēng)刀41下端部的方向移動。該風(fēng)刀裝置40設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，該風(fēng)刀裝置40包括有一設(shè)置于該基板20上方的***風(fēng)刀41，以及一設(shè)置于該基板20下方的第二風(fēng)刀42，其中該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進(jìn)方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠(yuǎn)離該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設(shè)有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請一并參閱圖8與圖9所示，為本實用新型蝕...

鋁板面蝕刻用：酸、堿都行。（鋁板是兩性材料，既能與酸反應(yīng)，又能與堿反應(yīng)，所以腐蝕液有的用堿性材料腐蝕，有的用酸性材料腐蝕，一般情況下，以酸性材料腐蝕的為多，堿性材料可以洗白。下好料的鋁板用棗木碳研磨，去掉油膩、劃痕，磨出啞光表面。然后用絲網(wǎng)版印上紋樣，油墨型號為80-39、80-59、80-49等。這種耐腐蝕油墨細(xì)膩，印出的紋樣質(zhì)量高。印完紋樣后放進(jìn)電爐內(nèi)烘干，然后用即時貼封住后面，用膠帶封邊，進(jìn)入腐蝕工藝。鋁板的腐蝕液配方如下：三氯化鐵50%硫酸銅50%水適量，波美度15～20°之間，鋁板腐蝕時應(yīng)平放，在腐蝕的過程中紋樣上溢出赭紅色的滓渣，應(yīng)隨時用毛刷去掉，鋁面上冒出大量泡泡，滓渣隨泡泡浮起...

所述硫醚系化合物推薦為選自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。本發(fā)明的蝕刻液推薦進(jìn)一步含有α-羥基羧酸和/或其鹽。所述α-羥基羧酸推薦為選自由酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸所組成的群組中的至少一種。推薦為，所述酸的濃度為20重量％至70重量％，所述有機(jī)硫化合物的濃度為％至10重量％。另外，所述α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度推薦為％至5重量％。另外，本發(fā)明涉及一種使用所述蝕刻液在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻方法。發(fā)明的效果本發(fā)明的蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦。另外，本發(fā)明的蝕刻液實質(zhì)上不含氫氟酸及過氧化氫，因此毒性低，保存穩(wěn)定性優(yōu)異。具體實施方式...

步驟一s1：設(shè)置一擋液板結(jié)構(gòu)10，其中該擋液板結(jié)構(gòu)10設(shè)置有復(fù)數(shù)個宣泄孔121；該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其中該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個貫穿該第二擋板12且錯位設(shè)置的宣泄孔121，該復(fù)數(shù)個宣泄孔121呈千鳥排列的直通孔態(tài)樣，且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離，其中該宣泄孔121的孔徑a0比較好小于3mm，以使該宣泄孔121的孔洞內(nèi)產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象，若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現(xiàn)時，則該水滴不至于經(jīng)由該宣泄孔121落至下表面122，但仍舊可以提供空氣宣泄的管道，以借由該宣泄孔1...

技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于提供高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出密封性差，連接安裝步驟繁瑣的問題。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機(jī)，所述裝置主體的底端固定連接有支撐腿，所述裝置主體的后面一側(cè)底部固定連接有電源線，所述裝置主體的一側(cè)中間部位固定連接有控制器，所述裝置主體的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機(jī)，所述裝置主體的頂部一端固定連接有去離子水儲罐，所述裝置主體的頂部一側(cè)固定連接有磷酸儲罐，所述磷酸儲罐的底部固定連接有攪拌倉，所述攪拌倉的內(nèi)部頂部固定連接有攪拌電機(jī)，所述攪...

本實用新型有關(guān)于一種擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備，尤其是指一種適用于濕式蝕刻機(jī)的擋液排液功能且增加其透氣性以降低產(chǎn)品損耗的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備。背景技術(shù)：請參閱圖1所示，為傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)的整體設(shè)置示意圖，其中一實心pvc板態(tài)樣的擋液板結(jié)構(gòu)a設(shè)置于一濕式蝕刻機(jī)(圖式未標(biāo)示)內(nèi)，主要用以阻擋一蝕刻藥液(圖式未標(biāo)示)對設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)a下方的基板(圖式未標(biāo)示)的噴濺而造成蝕刻不均勻的現(xiàn)象，并且在濕式蝕刻的制程步驟中，該基板設(shè)置于二風(fēng)刀b之間，當(dāng)該基板設(shè)置于一輸送裝置(圖式未標(biāo)示)而由該擋液板結(jié)構(gòu)a的左方接受蝕刻藥液蝕刻后移動至風(fēng)刀b之間，該等風(fēng)刀b再噴出一氣體c到該基板的表面以...

本實用涉及電子化學(xué)品生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置。背景技術(shù)：近年來，人們對半導(dǎo)體裝置、液晶顯示器的需求量不斷增加的同時，對于這些裝置所具有的配線、電極等的微小化、高性能化的要求也越來越嚴(yán)格，而蝕刻的效果能直接導(dǎo)致電路板制造工藝的好壞，影響高密度細(xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量，為了解決蝕刻液組合物蝕刻鋁材料過程中，對蝕刻速率慢、難以控制蝕刻角度和不同金屬層的蝕刻量而造成的多層配線的半導(dǎo)體裝置的配線的斷路、短路，得到較高的成品率，為保證其穩(wěn)定性及蝕刻的平滑度及精度，在蝕刻液中需要加入多種組分，而常規(guī)的生產(chǎn)方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合。現(xiàn)有的高蝕刻速率...

如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔的孔徑小于3毫米(millimeter，mm)。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔為千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列方式。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔為直通孔或斜錐孔等其中的一種態(tài)樣或兩者的混合。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔具有一***壁面，以及一第二壁面，且第二擋板具有一下表面，當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時，***壁面與下表面的***夾角不同于第二壁面與下表面的第二夾角。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時，宣泄孔的上孔徑與下孔徑不相等。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時，宣泄孔的上孔徑小于下孔徑。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中...

本發(fā)明涉及回收處理技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。背景技術(shù)：廢銅蝕刻液含有可回收的金屬，所以需要進(jìn)行回收處理，目前通用的做法是，使用化學(xué)方法回收廢液內(nèi)的銅，或提煉成硫酸銅產(chǎn)品，工藝落后，銅回收不徹底，處理的經(jīng)濟(jì)效益不明顯，有二次污染污染物排放，一旦處理不當(dāng)往外排放，勢必對水體生態(tài)系統(tǒng)造成大的沖擊。市場上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡單的對蝕刻液進(jìn)行回收處理，不能對蝕刻液進(jìn)行循環(huán)電解，使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分，而且蝕刻液導(dǎo)入到電解池中會對電解池造成沖擊，進(jìn)而影響電解池的使用壽命，并且在回收處理中會產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境，也不能在回收結(jié)束后對裝置內(nèi)部進(jìn)行清理，...

12、伸縮桿；13、圓環(huán)塊；14、連接桿；15、回流管；16、增壓泵；17、一號排液管；18、一號電磁閥；19、抽氣泵；20、排氣管；21、集氣箱；22、二號排液管；23、二號電磁閥；24、傾斜板；25、活動板；26、蓄水箱；27、進(jìn)水管；28、抽水管；29、三號電磁閥；30、控制面板。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請參閱圖1-5，本發(fā)明提供一種技術(shù)方...

如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔的孔徑小于3毫米(millimeter，mm)。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔為千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列方式。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔為直通孔或斜錐孔等其中的一種態(tài)樣或兩者的混合。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔具有一***壁面，以及一第二壁面，且第二擋板具有一下表面，當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時，***壁面與下表面的***夾角不同于第二壁面與下表面的第二夾角。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時，宣泄孔的上孔徑與下孔徑不相等。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時，宣泄孔的上孔徑小于下孔徑。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中...

技術(shù)實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于提供高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出密封性差，連接安裝步驟繁瑣的問題。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機(jī)，所述裝置主體的底端固定連接有支撐腿，所述裝置主體的后面一側(cè)底部固定連接有電源線，所述裝置主體的一側(cè)中間部位固定連接有控制器，所述裝置主體的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機(jī)，所述裝置主體的頂部一端固定連接有去離子水儲罐，所述裝置主體的頂部一側(cè)固定連接有磷酸儲罐，所述磷酸儲罐的底部固定連接有攪拌倉，所述攪拌倉的內(nèi)部頂部固定連接有攪拌電機(jī)，所述攪...

所述液位計連接有液相氣相溫度傳感器和壓力傳感器。在其中一個實施例中，所述分離器的側(cè)壁上設(shè)有多個視鏡。在其中一個實施例中，所述液位計安裝于所述分離器的外表面。在其中一個實施例中，所述液位開關(guān)為控制閥，設(shè)置于所述濾液出口處。在其中一個實施例中，所述加熱器為盤管式加熱器。在其中一個實施例中，所述分離器底部為錐體形狀。上述，利用加熱器對含銅蝕刻液進(jìn)行加熱，使其達(dá)到閃蒸要求的溫度，將加熱好的含銅蝕刻液輸送至分離器，經(jīng)過減壓閥及真空泵減壓，含銅蝕刻液在分離器內(nèi)發(fā)生閃蒸，產(chǎn)生大量蒸汽，蒸汽中攜帶著大小不等的液滴，通過除霧組件和除沫組件可以防止大液滴從蒸汽出口飛出，減小產(chǎn)品損失。附圖說明圖1是本實施例...

使硝酸鉀儲罐21和其它儲罐的內(nèi)部形成一個密閉的空間，避免環(huán)境外部的雜質(zhì)進(jìn)入儲罐內(nèi)，有效的提高了裝置使用的密封性；緊接著，將磷酸與醋酸在個攪拌倉23中充分?jǐn)嚢杌旌暇鶆?，然后在第二個攪拌倉23中與硝酸充分?jǐn)嚢杌旌暇鶆蚝?，再進(jìn)入配料罐中混合，將陰離子表面活性劑和聚氧乙烯型非離子表面活性劑在第三個攪拌倉23混合后再進(jìn)入第四個攪拌倉23中，與氯化鉀、硝酸鉀、去離子水一起在第四個攪拌倉23中混合均勻，然后過濾后封裝，先檢查過濾板26進(jìn)行更換或安裝，過濾部件9的內(nèi)部兩側(cè)嵌入連接有過濾板26，常規(guī)的生產(chǎn)方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合，其分散混合性能差，蝕刻液雜質(zhì)含量多，過濾板26能將蝕刻...

更推薦滿足。參照圖4，在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力，由此，即使沒有消耗費(fèi)用和時間的實際的實驗過程，也能夠選擇具有目標(biāo)防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護(hù)對...

裝置主體1的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲罐21，裝置主體1的內(nèi)部中間部位固定連接有連接構(gòu)件11，裝置主體1的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥10，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)固定連接有過濾部件9，裝置主體1的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉8，收集倉8的另一側(cè)底部固定連接有密封閥門7，過濾部件9的頂端兩側(cè)活動連接有滑動蓋24，過濾部件9的內(nèi)部中間兩側(cè)固定連接有收縮彈簧管25，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)兩端嵌入連接有螺紋管27，連接構(gòu)件11的內(nèi)部中間兩側(cè)活動連接有活動軸28，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)中間兩側(cè)嵌入連接有密封軟膠層29。推薦的，硝酸鉀儲罐21的頂部嵌入連接有密封環(huán)22，在將制備蝕刻液儲罐加入...

對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。實施例一，請參閱圖1-4，本實用新型提供技術(shù)方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，包括裝置主體1、支撐腿2、電源線3和單片機(jī)4，裝置主體1的底端固定連接有支撐腿2，裝置主體1的后面一側(cè)底部固定連接有電源線3，裝置主體1的一側(cè)中間部位固定連接有控制器5，裝置主體1的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機(jī)4，裝置主體1的頂部一端固定連接有去離子水儲罐14，裝...

內(nèi)嵌觀察窗402通過觀察窗翻折滾輪401內(nèi)嵌入裝置內(nèi)部，工作人員可通過內(nèi)嵌的透明窗對內(nèi)部的制備狀況進(jìn)行實時查看，從而很好的體現(xiàn)了該裝置的實時性。推薦的，鹽酸裝罐7的頂端嵌入連接有熱水流入漏斗9，在進(jìn)行制備時需要向鹽酸裝罐7內(nèi)倒入一定比例的熱水進(jìn)行均勻調(diào)和，由于熱水與鹽酸接觸會產(chǎn)生較為劇烈的反應(yīng)，濺出容易傷害工作人員，通過設(shè)置熱水流入漏斗9，工作人員可沿著熱水流入漏斗9將熱水緩緩倒入鹽酸內(nèi)，從而很好的減小了發(fā)生反應(yīng)的劇烈程度，很好的起到了保護(hù)作用。推薦的，裝置底座5的內(nèi)部兩側(cè)緊密焊接有加固支架10，由于制備裝置為一體化裝置，承載設(shè)備較多，質(zhì)量較重，對底座會產(chǎn)生較大的壓力，通過設(shè)置加固支架...

裝置主體1的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲罐21，裝置主體1的內(nèi)部中間部位固定連接有連接構(gòu)件11，裝置主體1的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥10，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)固定連接有過濾部件9，裝置主體1的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉8，收集倉8的另一側(cè)底部固定連接有密封閥門7，過濾部件9的頂端兩側(cè)活動連接有滑動蓋24，過濾部件9的內(nèi)部中間兩側(cè)固定連接有收縮彈簧管25，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)兩端嵌入連接有螺紋管27，連接構(gòu)件11的內(nèi)部中間兩側(cè)活動連接有活動軸28，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)中間兩側(cè)嵌入連接有密封軟膠層29。推薦的，硝酸鉀儲罐21的頂部嵌入連接有密封環(huán)22，在將制備蝕刻液儲罐加入...

ITO蝕刻液的分類：已經(jīng)使用的蝕刻液類型有六種類型：酸性氯化銅、堿性氯化銅、氯化鐵、過硫酸銨、硫酸/鉻酸、硫酸/雙氧水蝕刻液。酸性氯化銅，工藝體系，根據(jù)添加不同的氧化劑又可細(xì)分為氯化銅+空氣體系、氯化銅+氯酸鈉體系、氯化銅+雙氧水體系三種蝕刻工藝，在生產(chǎn)過程中通過補(bǔ)加鹽酸+空氣、鹽酸加氯酸鈉、鹽酸+雙氧水和少量的添加劑來實現(xiàn)線路板板的連續(xù)蝕刻生產(chǎn)。ITO蝕刻液由氟化銨、草酸、硫酸鈉、氫氟酸、硫酸、硫酸銨、甘油、水組成。江蘇TIO去膜液生產(chǎn)商ITO顯影劑就是一種納米導(dǎo)光性能的材料合成的。蝕刻液的技術(shù)指標(biāo)哪家比較好？綿陽銅鈦蝕刻液蝕刻液費(fèi)用 上述硅烷系偶聯(lián)劑的選擇方法的特征在于，選擇上述硅烷...

也不能在回收結(jié)束后對裝置內(nèi)部進(jìn)行清理的問題。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置，包括裝置主體，所述裝置主體內(nèi)部中間位置固定安裝有分隔板，所述分隔板左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板，所述承載板上端表面放置有電解池，所述電解池內(nèi)部中間位置設(shè)置有隔膜，所述裝置主體上端表面靠近右側(cè)安裝有進(jìn)液漏斗，所述進(jìn)液漏斗上設(shè)置有過濾網(wǎng)，所述裝置主體內(nèi)部靠近頂端設(shè)置有進(jìn)液管，所述進(jìn)液管左端連接有伸縮管，所述伸縮管下端安裝有噴頭，所述裝置主體上端表面靠近左側(cè)固定安裝有液壓缸，所述液壓缸下端安裝有伸縮桿，所述伸縮桿下端固定安裝有圓環(huán)塊，所述圓環(huán)塊與噴頭之間固定連接有連接桿，...

負(fù)的值表示厚度減小。上述蝕刻液組合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征，上述氧化物膜推薦包含sio2，上述氮化物膜推薦包含sin。上述蝕刻液組合物用于3dnand閃存制造工序，能夠使上述氮化物膜去除工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留和氧化物膜損傷不良問題**少化。本發(fā)明的蝕刻液組合物包含如上選擇的添加劑，在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜時，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良(參照圖2)以及氮化物膜雖被完全去除但也造成氧化物膜損傷(damage)的工序不良(參照圖3)的發(fā)生**少化。因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物...