重慶小規(guī)模集成電路選哪家

    mram單元)的尺寸，因?yàn)樵摮叽绮辉偃Q于驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸。出了具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)器電路的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。存儲(chǔ)器電路包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,的存儲(chǔ)器陣列。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,以行和/或列布置在存儲(chǔ)器陣列內(nèi)。例如，行存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元a,和a,，而列存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元a,和b,。在一些實(shí)施例中，多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,可以包括多個(gè)mram單元。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,(例如，mram單元)分別包括連接至調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道結(jié)(mtj)，磁隧道結(jié)(mtj)具有通過(guò)介電遂穿阻擋層a與自由層a分隔開(kāi)的固定層a。固定層a具有固定的磁向，而自由層a具有可以在操作期間(通過(guò)隧道磁阻(tmr)效應(yīng))改變?yōu)橄鄬?duì)于固定層a的磁向平行(即，“p”狀態(tài))或反向平行(即，“ap”狀態(tài))的磁向。固定層a和自由層a的磁向之間的關(guān)系限定了mtj的電阻狀態(tài)，并且從而使得多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至b,能夠分別存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)，數(shù)據(jù)狀態(tài)具有基于存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件的電阻的值。例如，如果工作mtj器件a,具有低電阻狀態(tài)，則存儲(chǔ)單元a,將存儲(chǔ)位值(例如，邏輯“”)，或者如果工作mtj器件a,具有高電阻狀態(tài)，則存儲(chǔ)單元a,將存儲(chǔ)位值。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路；重慶小規(guī)模集成電路選哪家

    提供的通過(guò)mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會(huì)導(dǎo)致電阻狀態(tài)之間的切換，并且因此不會(huì)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的mtj器件。在一些實(shí)施例中。公開(kāi)的寫(xiě)入操作可以在調(diào)節(jié)mtj器件(例如，圖中的至)處于高電阻狀態(tài)來(lái)實(shí)施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫(xiě)入操作的步驟通過(guò)將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列的行中的存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件來(lái)實(shí)施。通過(guò)將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來(lái)實(shí)施寫(xiě)入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過(guò)存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，來(lái)自調(diào)節(jié)mtj器件的電流加在一起，使得為電流i的兩倍的電流流過(guò)存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。電流i的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫(xiě)入存儲(chǔ)單元a,和第三存儲(chǔ)單元a,內(nèi)的工作mtj器件。存儲(chǔ)單元a。長(zhǎng)沙專業(yè)控制集成電路公司集成電路行業(yè)主要上市公司：韋爾股份(603501)、中芯國(guó)際(688981)、長(zhǎng)電科技(600584)等。

    在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個(gè)底電極通孔。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中。在多個(gè)底電極通孔正上方形成多個(gè)mtj器件。多個(gè)mtj器件包括工作mtj器件和一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中，在多個(gè)mtj器件正上方形成多個(gè)頂電極通孔。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中，在多個(gè)頂電極通孔上方形成具有多個(gè)互連結(jié)構(gòu)的互連層。多個(gè)互連結(jié)構(gòu)限定位線和一條或多條字線。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。步驟至在襯底上方形成存儲(chǔ)單元。在一些實(shí)施例中，可以重復(fù)步驟至(如步驟所示)以在存儲(chǔ)單元上方形成存儲(chǔ)單元。出了對(duì)應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。雖然方法描述了包括具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置(包括mtj器件)的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)的方法存儲(chǔ)器電路，但是應(yīng)該理解，在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)裝置可以包括電阻器(例如，薄膜電阻器)。在這樣的實(shí)施例中，工作mtj器件可以通過(guò)組操作(在步驟中)形成，而包括電阻器的調(diào)節(jié)裝置可以通過(guò)組單獨(dú)的操作(在步驟和步驟之間發(fā)生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步驟中)之后，可以通過(guò)一個(gè)或多個(gè)沉積和蝕刻工藝形成電阻器。因此，在一些實(shí)施例中。涉及不具有驅(qū)動(dòng)晶體管(即。

    所述印刷電路裝配件400中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器208a、208b的頂表面302與另一個(gè)印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)，如在410a和410b處所指示的那樣。在這種配置中，每個(gè)印刷電路裝配件400上的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200由另一個(gè)印刷電路裝配件400的冷卻管406冷卻。圖5是移除了雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200的印刷電路裝配件400的圖。參考圖5，可以清楚地看到印刷電路板插座404、鄰接并且平行的冷卻管406以及布置在平行的冷卻管406上的熱接口材料層408。圖6是帶有已安裝在印刷電路板插座404中的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200并且?guī)в幸迅浇拥姆至鞴艿挠∷㈦娐费b配件400的圖。參考回圖5，每個(gè)冷卻管406的端部耦聯(lián)至輸入分流管606a，并且每個(gè)冷卻管406的第二端部耦聯(lián)至輸出分流管606b。在操作中，冷卻液體通過(guò)輸入分流管606a進(jìn)入各冷卻管，并且被加熱的液體通過(guò)輸出分流管606b離開(kāi)各冷卻管。圖7a和圖7b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。圖7b示出了分解圖，而圖7a示出了裝配圖。雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件700包括印刷電路板702，在印刷電路板702上安裝有一個(gè)或多個(gè)集成電路(一般地以704示出)。集成電路是一種將多個(gè)電子元件集成在一起的電路。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。

    互連層a在存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)?；ミB層a通過(guò)互連層b和多個(gè)通孔a連接至存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第三互連層c具有離散的互連結(jié)構(gòu)。離散的互連結(jié)構(gòu)限定連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的列內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的行內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的位線bl。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過(guò)多個(gè)通孔b連接至第三互連層c。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)附加存儲(chǔ)單元可以布置在存儲(chǔ)單元a,上方。在這樣的實(shí)施例中。第四互連層d在存儲(chǔ)單元b,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)。第四互連層d通過(guò)第五互連層e和第三多個(gè)通孔c連接至存儲(chǔ)單元b,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。第六互連層f限定連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的列內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的行內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元的位線bl。在一些實(shí)施例中。存儲(chǔ)單元a,的工作mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以通過(guò)第四多個(gè)通孔d連接至第六互連層f。在其它實(shí)施例(未示出)中，一個(gè)或多個(gè)附加存儲(chǔ)單元可以橫向地布置為鄰近存儲(chǔ)單元a,。我國(guó)已形成較完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，也涌現(xiàn)了一批高質(zhì)量企業(yè)和企業(yè)家，在局部已形成了很強(qiáng)的能力。太原集成電路芯片

集成電路行業(yè)的常用封裝主要包括BGA封裝、BQFP封裝、碰焊PGA封裝等在內(nèi)的40余種封裝類型。重慶小規(guī)模集成電路選哪家

    為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，在過(guò)去的幾十年間，存儲(chǔ)單元組件的尺寸已經(jīng)不斷縮小。mtj器件超越其它存儲(chǔ)器類型的一個(gè)優(yōu)勢(shì)是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram單元中，驅(qū)動(dòng)晶體管(即，存取晶體管)用于在讀取和/或?qū)懭氩僮髌陂g選擇性地向相關(guān)的mtj器件提供電壓和/或電流。因?yàn)閙ram單元通常對(duì)寫(xiě)入操作使用相對(duì)高的電壓和/或電流，所以驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸可能相對(duì)較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對(duì)大尺寸的驅(qū)動(dòng)晶體管限制了存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實(shí)施例中，涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)的存儲(chǔ)器陣列，存儲(chǔ)單元不包括驅(qū)動(dòng)晶體管(即，不使用驅(qū)動(dòng)晶體管來(lái)對(duì)存儲(chǔ)單元提供電壓和/或電流)。而且，多個(gè)存儲(chǔ)單元分別包括調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問(wèn)。調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置具有連接至工作mtj器件的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件。一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)mtj器件被配置為通過(guò)控制(即。調(diào)節(jié))提供給工作mtj器件的電流來(lái)選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。通過(guò)使用調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置來(lái)選擇性地對(duì)存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問(wèn)，可以減小存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的存儲(chǔ)單元(例如。重慶小規(guī)模集成電路選哪家