專門用閘閥TRANSFER VALVE

來源: 發(fā)布時間:2024-06-07

微泰,高壓閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上??商娲鶹AT閘閥。其特點是*陶瓷球機構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:隔離泵。高壓閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動方式:手動或氣動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 14英寸、法蘭類型:CF、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù):250,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。高壓閘閥只許介質(zhì)單向流動,安裝時有方向性。它的結(jié)構(gòu)長度大于閘閥,同時流體阻力大。專門用閘閥TRANSFER VALVE

閘閥

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,有氣動多位置閘閥(氣動多定位閘閥、多定位插板閥、Pneumatic Multi Position)、氣動(鎖定)閘閥和手動(鎖定)閘閥,蝶閥,Butterfly Valve,步進電機插板閥Stepper Motor Gate Valve,加熱插板閥(加熱閘閥Heating gate valve),鋁閘閥(AL Gate Valve),三重防護閘閥,應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。超真空閘閥I型轉(zhuǎn)移閥真空閘閥通過使用滑動閘門機構(gòu)來控制氣體的通過。

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微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,插板閥,氣動(鎖定)閘閥和手動(鎖定)閘閥-按產(chǎn)品尺寸和法蘭類型排列-ID為1.5英寸至30英寸,ISO、CF&JIS和ASA法蘭等-現(xiàn)有手動閘閥的鎖定功能(Exist Manual GV of Locking Function)。微泰氣動(鎖定)閘閥和手動(鎖定)閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,鋁閘閥(AL Gate Valve)-產(chǎn)品范圍:1.5英寸~10英寸-12英寸可生產(chǎn)的產(chǎn)品尺寸,閥體材料:鋁、氣動、緊湊設計、重量輕。閘門,閥蓋密封:Viton O-Ring使用次數(shù):100000次,易于維護,低顆粒(陶瓷球機構(gòu))。- Body Material : Aluminum  - Pneumatic - Compact Design- Light of weight - Gate, Bonnet Seal : Viton O-Ring - Cycles until first service : 100,000 - Easy Maintenance - Low Particle (Ceramic Ball Mechanism),微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,可替代HVA閘閥、VAT閘閥。金屬閥體襯里高壓閥門主要有襯膠閥門、襯氟閥門、襯鉛閥門、襯塑閥門、襯搪瓷閥門。

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微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,三重防護閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設備上。有-屏蔽閘閥:防止氣體和粉末進入閥內(nèi)的隔離閥,-三重防護閘閥:屏蔽1和2+保護環(huán)的3重隔離系統(tǒng),還有步進電機閘閥和鋁閘閥,屏蔽門閥:產(chǎn)品范圍:2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù):25萬次?響應時間:0.2秒~3秒;三級預防閘閥,三重防護閘閥:產(chǎn)品范圍:4~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù):25萬次?包括屏蔽功能;步進電機閘閥:產(chǎn)品范圍:2.5~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù):25萬次?包括屏蔽功能;步進電機閘閥;鋁閘閥:產(chǎn)品范圍:2.5~12英寸?高壓氣動?維護前可用次數(shù):10萬次?響應時間:0.2秒~3秒;有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰?。真空閘閥是真空系統(tǒng)中用于控制氣體進出真空室的機械裝置。超真空閘閥I型轉(zhuǎn)移閥

閘閥的結(jié)構(gòu)長度(系殼體兩連接端面之間的距離)較小。專門用閘閥TRANSFER VALVE

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,多定位閘閥。多定位閘閥是一種利用壓縮空氣或氮氣控制閘閥位置的閥門。它在閥門的頂部有一個內(nèi)置控制器,可以在本地和遠程模式下操作。它還具有緊急關(guān)閉功能,以應對泵停止或CDA壓縮干空氣丟失的情況。其特點之一是能夠遠程檢查閥門狀態(tài),并可用于具有不同法蘭類型的各種工藝。多定位閘閥具有可隔離的閘閥,以滑動方式操作,適用于需要壓力控制的所有加工領(lǐng)域。采用手動調(diào)節(jié)控制裝置控制,用戶可直接控制閘門的開啟和關(guān)閉,以調(diào)節(jié)壓力。微泰半導體多定位閘閥被廣泛應用于 Evaporation(蒸發(fā))、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過 MW-PACVD 生長金剛石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)、Coating(涂層)、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴散)、CVD(化學氣相沉積)等設備上,可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供。專門用閘閥TRANSFER VALVE