專門用閘閥手動閥

微泰，高壓閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上?？商娲鶹AT閘閥。其特點是*陶瓷球機構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應(yīng)用:隔離泵。高壓閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 14英寸、法蘭類型：CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應(yīng)時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù)：250,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績，上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。為了避免在顆粒敏感應(yīng)用中產(chǎn)生顆粒，滑動閘門機構(gòu)的設(shè)計旨在避免閥殼處的摩擦。專門用閘閥手動閥

微泰，鋁閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上。期特點是*不論什么工藝的設(shè)備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應(yīng)用:隔離泵。鋁閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 10英寸、閥體：AL6061 (Anodizing)、機械裝置：AL6061 (Anodizing)、閥門：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON)、響應(yīng)時間≤ 3 sec、驅(qū)動器：氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec、壓力范圍：< 1×10-10 mbar ?/sec、開始時的壓差：≤ 30 mbar、初次維護前可用次數(shù)100,000次、閥體溫度≤ 120 °執(zhí)行機構(gòu)溫度≤ 60 °C、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績?？商娲鶹AT閥門。電動閘閥AKT真空閘閥通過使用滑動閘門機構(gòu)來控制氣體的通過。

微泰半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，控制系統(tǒng)閘閥，控制閘閥、控制系統(tǒng)插板閥、控制系統(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥，以滑動方式操作，可以在高真空環(huán)境中實現(xiàn)精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應(yīng)用。控制系統(tǒng)閘閥是自動控制到用戶指定的值，通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。微泰半導體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供。

微泰，三重防護閘閥、三防閘閥，應(yīng)用于? Evaporation? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD? 涂層? Etch? Diffusion?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上。可替代VAT閘閥。微泰三重防護閘閥、三防閘閥其特點是? 閥門控制器（1CH ~ 4CH）? 應(yīng)用：半導體生產(chǎn)線中粉末和氣體等副產(chǎn)品的處理，防止回流。三重防護閘閥、三防閘閥規(guī)格如下：操作：氣動、法蘭尺寸（內(nèi)徑） 2.5? ~ 10?、法蘭類型ISO，KF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型環(huán)/Kalrez O型環(huán)、閥蓋密封：Viton O型圈、響應(yīng)時間：≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作壓力范圍： 1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、閘門上的壓差； 1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10-10 mbar ?/sec、維護前可用次數(shù)：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構(gòu)溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績，上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰?。真空閘閥由一個滑動門或板組成，可以移動以阻止或允許通過真空閥體，從而有效地將腔室與外部環(huán)境隔離。

微泰半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥，三重防護閘閥應(yīng)用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上。有-屏蔽閘閥：防止氣體和粉末進入閥內(nèi)的隔離閥，-三重防護閘閥：屏蔽1和2+保護環(huán)的3重隔離系統(tǒng)，還有步進電機閘閥和鋁閘閥，屏蔽門閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?響應(yīng)時間：0.2秒~3秒；三級預防閘閥，三重防護閘閥：產(chǎn)品范圍：4~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能；步進電機閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能；步進電機閘閥；鋁閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓氣動?維護前可用次數(shù)：10萬次?響應(yīng)時間：0.2秒~3秒；有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績，可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)保科技有限公司。高壓閘閥，屬于強制密封式閥門，所以在閥門關(guān)閉時，必須向閘板施加壓力，以強制密封面不泄漏。專門用閘閥手動閥

微泰，高壓閘閥應(yīng)用于? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）?CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上。專門用閘閥手動閥

微泰半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥蝶閥Butterfly Valve。該蝶閥具有緊湊的設(shè)計和堅固的不銹鋼結(jié)構(gòu)，通過閘板旋轉(zhuǎn)操作。蝶閥可以實現(xiàn)精確的壓力控制和低真空環(huán)境。例如半導體和工業(yè)過程。蝶閥通過控制器和步進電機自動控制到用戶指定的值，保持一致的真空壓力?？梢栽诟哒婵窄h(huán)境中實現(xiàn)精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應(yīng)用?？刂葡到y(tǒng)閘閥是自動控制到用戶指定的值，通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。微泰半導體閘閥被廣泛應(yīng)用于 Evaporation（蒸發(fā)）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設(shè)備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績。該閘閥由上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰咎峁ｉT用閘閥手動閥