廈門全自動腦定位膜片鉗

膜片鉗記錄的幾種形式：細(xì)胞吸附膜片(cell-attachedpatch)將兩次拉制后經(jīng)加熱拋光的微管電極置于清潔的細(xì)胞膜表面上，形成高阻封接，在細(xì)胞膜表面隔離出一小片膜，既而通過微管電極對膜片進(jìn)行電壓鉗制，高分辨測量膜電流，稱為細(xì)胞貼附膜片。由于不破壞細(xì)胞的完整性，這種方式又稱為細(xì)胞膜上的膜片記錄。此時跨膜電位由玻管固定電位和細(xì)胞電位決定。因此，為測定膜片兩側(cè)的電位，需測定細(xì)胞膜電位并從該電位減去玻管電位。從膜片的通道活動看，這種形式的膜片是極穩(wěn)定的，因細(xì)胞骨架及有關(guān)代謝過程是完整的，所受的干擾小。膜片鉗使用的注意事項(xiàng)：打雷天氣必須禁止膜片鉗實(shí)驗(yàn)。廈門全自動腦定位膜片鉗

膜片鉗系統(tǒng)有如下應(yīng)用局限性(1)光能應(yīng)用于懸浮細(xì)胞的紀(jì)錄，因此大部分的紀(jì)錄對象為化細(xì)胞，而對于需要貼壁生長的大多數(shù)正常細(xì)胞，現(xiàn)有的自動膜片鉗系統(tǒng)就無法紀(jì)錄；(2)在紀(jì)錄對象上，目前的膜片鉗系統(tǒng)只能紀(jì)錄胞膜形狀平整飽滿的細(xì)胞，大部分是工具細(xì)胞如化細(xì)胞，此類細(xì)胞有比較強(qiáng)的細(xì)胞膜可以禁得起各種人為操作，而許多具有研究價值的細(xì)胞(例如元代培養(yǎng)的神經(jīng)元)胞膜較弱容易破裂，且胞體表面不規(guī)整，現(xiàn)有的自動膜片鉗系統(tǒng)難以派上用場。因此，迫切需要一種新型的全自動膜片鉗電生理紀(jì)錄系統(tǒng)來解決以上問題。黃山細(xì)胞生物學(xué)膜片鉗全細(xì)胞記錄供應(yīng)商全自動膜片鉗系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)：擴(kuò)展功能多。配套擴(kuò)展設(shè)備豐富，如內(nèi)灌流系統(tǒng)、脂質(zhì)體制備器等。

膜片鉗實(shí)驗(yàn)難度大、技術(shù)要求高，要掌握有關(guān)技術(shù)和方法雖不是很困難的事，但要從一大批的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中，經(jīng)過處理和分析，得出有意義、有價值的結(jié)果和結(jié)論，就顯得不那么容易，有許多需要注意和考慮的問題，包括減少噪音，避免電極前端的污染，提高封接成功率，具體實(shí)驗(yàn)過程中還需要考慮如何選取記錄模式，為記錄特定離子電流如何選擇電極內(nèi)、外液，如何選擇阻斷劑、激動劑，如何進(jìn)行正確的數(shù)據(jù)采集等許多更為復(fù)雜的問題，還需在科研實(shí)踐中不斷地探索和解決。

膜片鉗技術(shù)操作方法：開始封接:調(diào)低微操步進(jìn)速度，使電極尖銳端慢慢向細(xì)胞靠近，如發(fā)現(xiàn)基線方波突然變小，封接電阻上升時，即停止電極下降，通過注射器給電極負(fù)壓，封接成功的可見方波很快變小，電阻升至G歐。此時，調(diào)節(jié)快電容補(bǔ)償按鈕，將快電容電流補(bǔ)償?shù)簦绶饨臃€(wěn)定后，準(zhǔn)備破膜。破膜:在鉗制電位水平-60mV時，漏電流<20pA，給予比較大的負(fù)壓(也可根據(jù)情況使用ZAP電破方式破膜)，將要破時可見基線上下浮動，破后，可見基線前后有兩個較大的慢電容電流。全自動膜片鉗系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)：操作簡單，全過程可自動化。

膜片鉗記錄的幾種形式：內(nèi)面向外膜片(inside-outpatch)高阻封接形成后，在將微管電極輕輕提起，使其與細(xì)胞分離，電極端形成密封小泡，在空氣中短暫暴露幾秒鐘后，小泡破裂再回到溶液中就得到“內(nèi)面向外”膜片。此時膜片兩側(cè)的膜電位由固定電位和電壓脈沖控制。浴槽電位是地電位，膜電位等于玻管電位的負(fù)值。如放大器的電流監(jiān)視器輸出是非反向的，則輸出將與膜電流(Im)的負(fù)值相等。外面向外膜片(out-sidepatch)高阻封接形成后，繼續(xù)以負(fù)壓抽吸，膜片破裂再將玻管慢慢地從細(xì)胞表面垂直地提起，斷端游離部分自行融合成脂質(zhì)雙層，此時高阻封接仍然存在。而膜外側(cè)面接觸浴槽液。膜片鉗使用操作注意：封接范圍內(nèi)細(xì)胞膜光有少數(shù)離子通道。黃山細(xì)胞生物學(xué)膜片鉗全細(xì)胞記錄供應(yīng)商

全自動膜片鉗系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)：極大的減少了噪聲源，記錄數(shù)據(jù)的電噪音很低。廈門全自動腦定位膜片鉗

膜片鉗實(shí)驗(yàn)的細(xì)胞膜型：一個完整的細(xì)胞膜電學(xué)模型包含幾個基本組分：膜電容，膜電阻和膜電勢。這三個電學(xué)組分形成的原因各不相同：1、膜電容（membranecapacitance,Cm）的形成是由于生物膜為磷脂雙分子層，對離子和其他水溶性物質(zhì)均不通透，遂使細(xì)胞膜成為了電的不良導(dǎo)體，進(jìn)而導(dǎo)致細(xì)胞外液-磷脂雙分子層-細(xì)胞內(nèi)液構(gòu)成了細(xì)胞膜電容。Cm的大小與細(xì)胞膜表面積成正比，與磷脂雙分層的厚度成反比。膜電容在這里的作用，主要為完成細(xì)胞的充放電過程。2、膜電阻（membraneresistance,Rm）的形成是由于細(xì)胞膜上的蛋白質(zhì)通道，也就是離子通道的存在。離子和小的極性分子只有通過通道才能進(jìn)出細(xì)胞膜，因此膜電阻在這里的作用，主要就是控制離子的進(jìn)出。3、膜電勢（membranepotential,Vm）又稱膜電位，源自膜內(nèi)外離子濃度的差異，離子濃度的差異又源于細(xì)胞膜對離子的選擇透過性。膜電位一般可分為靜息電位、動作電位和等級電位（不懂的自己去查，此處不贅述）。膜電位的作用主要是維持神經(jīng)元的興奮性，并改變離子通道的狀態(tài)。廈門全自動腦定位膜片鉗

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