整流器結(jié)構(gòu)完善。采用先進節(jié)約能源、減輕重量等這往往是可控硅整流器的完善結(jié)構(gòu)所體現(xiàn)的。這樣整流器的結(jié)構(gòu)設(shè)計，我公司在整流元件均有了突破性發(fā)展跡象。工作效率極高。整流器可以長時間滿負荷工作，因為可控整流器中的整流管和可控硅模版等原件留有1.5倍余量呢。操作簡便。使用者需要輕松操作起整流器安裝選為，我們常常給使用工作者配備了遙控操作箱。
以上就是選擇可控硅整流器**主要的原因，可控硅整流器憑借了：防護措施高、整流器結(jié)構(gòu)完善、工作效率極高、保護功能完善等等。
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如何應用電鍍整流器？時間：2014-05-07 11:05:09
整流器作為主功率器件，以超微晶軟磁合金材料為主變壓器鐵芯，主控制系統(tǒng)采用了多環(huán)控制技術(shù)，結(jié)構(gòu)上采取了防鹽霧酸化措施。電鍍整流器可分為可控硅電源（俗稱硅整流）和高頻開關(guān)整流器（亦稱開關(guān)電源）兩種。
電鍍整流器適用于實驗、氧化、電解、鍍鋅、鍍鎳、鍍錫、鍍鉻、光電、冶煉、化成、腐蝕等各種精密表面處理場所，在陽極氧化、真空鍍膜、電解、電泳、水處理、電子產(chǎn)品老化、電加熱、電化學等方面也得到廣泛應用，尤其是在PCB、電鍍、電解行業(yè)領(lǐng)域。 臨汾全橋整流器奧凱電氣以快的速度提供前列的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價格及完善的售后服務(wù)。
整流器的蓄電池充電電流限制：
整流器/充電機應有蓄電池充電電流限流電路，將蓄電池充電電流限制到UPS額定輸出容量（KW）的15%。在發(fā)電機組供電時（當接收到一個外部低電壓信號時），應將蓄電池充電電流限制到零。
基本要求：
1．輸入電流總諧波失真（THD）（總諧波失真THD：交流電流的諧波電流有效值占基波分量有效值的百分比）
6脈沖整流器的輸入電流的THD在6脈沖整流器的滿載輸入電流時應小于33%；采用輸入濾波器可將輸入電流失真減小到10%。
12脈沖整流器的輸入電流的THD在12脈沖整流器的滿載時應小于10%，采用輸入濾波器可將輸入電流總諧波失真減小到5%。
整流器的結(jié)構(gòu):
通常用雙三極管來描述可控硅的四層結(jié)構(gòu)，看成一NPN和PNP晶體管的互聯(lián). 若兩晶體管的共基極電流放大系數(shù)分別為α1和α2(均為工作狀態(tài)的函數(shù))，導通的必要條件是α1+α2?1.阻斷狀態(tài)下， 兩晶體管的電流放大系數(shù)均很小;若在正向阻斷狀態(tài)下，于控制極注入一正向電流，則NPN管的電流放大系數(shù)α1迅速增大，并導致α2的增大，從而滿足導通條件.
應用
可控硅是一種極為重要的功率電子器件，可以以極小的控制功率控制兆瓦級的電力，常用于整流、開關(guān)、變頻、逆變等電路中. 高功率可控硅采用甚大面積的硅片，需封裝在帶散熱器的管殼中. 奧凱電氣可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營管理體系，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。
整流器/充電機應有輸出濾波器以將加在蓄電池的紋波電壓減少到**小。整流器的DC輸出電壓的AC紋波電壓應小于浮充電壓（RMS）的1%。濾波器應充分保證整流器/充電機的DC輸出電壓在蓄電池未連接的情況下滿足逆變器的要求。
除了為負載供電外，整流器/充電機應能在10倍于放電時間的時間內(nèi)，將蓄電池的放電功率恢復到95%。蓄電池再充電后，整流器/充電機應使蓄電池保持在滿充電狀態(tài)，直到下一次放電。
蓄電池充電電壓溫度補償
當采用遠端溫度檢測器時，整流器/充電機應自動調(diào)節(jié)蓄電池浮充電壓（一般按?5mv/只/℃）。通常蓄電池的浮充電壓為2.25V/只，終止電壓為1.67V/只，因此DC母線電壓在浮充和終止電壓時分別為N×2.25V，N×1.67V（N為蓄電池的只數(shù)）。 奧凱電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。臨汾全橋整流器
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整流器是一個整流裝置，簡單的說就是將交流（AC）轉(zhuǎn)化為直流（DC）的裝置。它有兩個主要功能：
一，將交流電（AC）變成直流電(DC)，經(jīng)濾波后供給負載，或者供給逆變器；
二，給蓄電池提供充電電壓。因此，它同時又起到一個充電器的作用。
三極管的hFE參數(shù)與貯存時間ts相關(guān)，一般hFE大的三極管ts也較大，過去人們對ts的認識以及ts的測量儀器均較為欠缺，人們更依賴hFE參數(shù)來選擇三極管。
在開關(guān)狀態(tài)下，hFE的選擇通常有以下認識：、hFE應盡可能高，以便用**少的基極電流得到比較大的工作電流，同時給出盡可能低的飽和電壓，這樣就可以同時在輸出和驅(qū)動電路中降低損耗。
但是，如果考慮到開關(guān)速度和電流容限，則hFE的比較大值就受到限制；第二、中國的廠家曾經(jīng)傾向于選用hFE較小的器件，例如hFE為10到15，甚至8到10的三極管就一度很受歡迎(后來，由于基極回路流行采用電容觸發(fā)線路，hFE的數(shù)值有所上升)，hFE的數(shù)值小則飽和深度小，從而有利于降低晶體管的發(fā)熱。
實際上，晶體管的飽和深度受到Ib、hFE兩個因素的影響，因而通過磁環(huán)及繞組參數(shù)、基極電阻Rb的調(diào)整，也可以降低飽和深度。 臨汾全橋整流器
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