江蘇產(chǎn)品半導體器件設備治理

來源: 發(fā)布時間:2023-03-19

    具體實施方式為了清楚地解釋,適當?shù)厥÷院秃喕韵旅枋龊透綀D。在附圖中,相同的元素由相同的附圖標記表示,并且適當?shù)厥÷云渲貜兔枋?。率先實施例圖1是示出根據(jù)率先實施例的微控制器100的示例性配置的框圖。在本實施例和稍后描述的實施例中,給出了微控制器作為半導體器件的示例,但是不用說,根據(jù)本公開的技術可以用于除了微控制器之外的半導體器件。如圖1所示,微控制器100包括邏輯塊110、溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140。這里,溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140能夠正常操作的溫度范圍的下限(下文中稱為下限溫度)低于邏輯塊110的下限溫度。即,當溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140的三個下限溫度的比較高值為t并且邏輯塊110的下限溫度為tlb時,滿足t通常,微控制器100的結(jié)溫tj等于或大于微控制器的環(huán)境溫度ta。當邏輯塊110不操作時,結(jié)溫tj近似等于環(huán)境溫度ta,因為沒有從邏輯塊110產(chǎn)生熱量。當微控制器100的邏輯塊110操作時,響應于由于邏輯塊110中的熱量產(chǎn)生而產(chǎn)生的熱量,結(jié)溫tj變?yōu)楦哂诃h(huán)境溫度ta。因此,當不使用本公開的技術時,保證微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限是tlb。然而,使用所公開的技術。半導體碳化硅材料的半導體器件用于汽車、充電設備、便攜式電源、通信設備、機械臂、飛行器等多個工業(yè)領域。江蘇產(chǎn)品半導體器件設備治理

    其中d1圖6是示出與微控制器200中的結(jié)溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中,將參考圖6描述微控制器200的操作。圖6所示的溫度控制過程例如在微控制器200啟動時執(zhí)行。在步驟s200中,如在圖3的步驟s100中,設定測量周期和結(jié)溫的下限。在步驟s200之后,處理進入步驟s201。在步驟s201中,測量結(jié)溫。也就是說,控制器150獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結(jié)溫。在步驟s201之后,處理進入步驟s202。在步驟s202中,控制器150根據(jù)在步驟s201中獲取的結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的溫度差來確定要操作的功耗電路130的數(shù)目。因此,在當前結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時,產(chǎn)生更多的強制熱量。當由溫度傳感器120測量的當前結(jié)溫等于或大于預定閾值時,控制器150關閉所有功耗電路130。在步驟s202中,控制器150重置計數(shù)器的計數(shù)t。在步驟s202之后,處理進入步驟s203。在步驟s203中,類似于圖3中的步驟s104,控制器150確定在步驟s200中設置的測量周期是否已經(jīng)過去。當測量周期已經(jīng)過去時(步驟s203中的“是”),處理進入步驟s204。在步驟s204中,如在圖3的步驟s105中,控制器150確定是否已經(jīng)接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時,溫度控制終止。新疆低碳半導體器件設備24小時服務半導體器件通常,這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。

    本發(fā)明涉及用于控制半導體器件的方法和半導體器件,例如,本發(fā)明涉及用于確保半導體器件操作的技術。近年來,對更高可靠性和功能安全性的需求不斷增加,特別是在汽車工業(yè)中。因此,在半導體器件中,還需要擴大半導體器件可以操作的溫度。日本未審專利申請公開,其能夠通過使用包括功率晶體管的線性調(diào)節(jié)器電路來控制對發(fā)光二極管的供電,并且能夠防止功率晶體管的過度發(fā)熱。作為相關技術,日本未審專利申請公開。日本未審專利申請公開,其用于容易地抑制由與時鐘周期同步的電路引起的功耗狀態(tài)的差異引起的電源電壓的變化。技術實現(xiàn)要素:日本未審專利申請公開,但是不能防止過低的結(jié)溫。如果由于環(huán)境溫度低而導致結(jié)溫過低,則可能無法確保半導體器件中的邏輯塊的正常操作。因此,本領域需要一種能夠限定半導體器件可以正常操作的低環(huán)境溫度的技術。根據(jù)本說明書的描述和附圖,其他目的和新穎特征將變得很清楚。根據(jù)一個實施例,半導體器件包括用于控制功耗電路的功率耗散使得在溫度傳感器處測量的結(jié)溫不小于邏輯塊的預定下限操作溫度的控制器。根據(jù)率先實施例,可以將半導體器件可以正常操作的環(huán)境溫度定義為低于不使用根據(jù)率先實施例的技術時的環(huán)境溫度。

    確保微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限可以是t,t是下限溫度。邏輯塊110是用于執(zhí)行邏輯操作的電路塊。例如,邏輯塊110可以是諸如中心處理單元等處理器。溫度傳感器120是用于測量微控制器100的結(jié)溫tj的傳感器。例如,溫度傳感器120被配置為包括電阻器,該電阻器的電阻根據(jù)溫度而變化。作為這樣的電阻元件,例如,使用雙極晶體管元件或二極管元件。溫度傳感器120通過根據(jù)溫度改變電阻元件的電阻值來輸出取決于溫度的電壓。功耗電路130是消耗預定功率的電路。當通過來自控制器140的控制指示功耗時,功耗電路130消耗預定功率并且相應地產(chǎn)生熱量。更具體地,當從控制器140輸入指示功耗的信號時,功耗電路130通過引起預定的負載電流在功耗電路130中流動來產(chǎn)生熱量。功耗電路130的配置的具體示例將參考圖2來描述??刂破?40是用于控制功耗電路130的功耗使得由溫度傳感器120測量的溫度不小于邏輯塊110的預定下限操作溫度的電路。具體地,控制器140獲取預定測量周期的結(jié)溫,并且當所獲取的結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時,輸出指示功耗電路130消耗功率的信號。即,當所獲取的結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時,控制器140接通功耗電路130。當所獲取的結(jié)溫等于或大于預定閾值時。半導體器件專門設備應用寬廣LED封裝,光通訊,半導體封裝,支持1對1定制化生產(chǎn)設計.

    可以執(zhí)行對由第三實施例中描述的控制器160和診斷部分170進行的診斷的控制。上面已經(jīng)描述了第四實施例。在本實施例中,耗電路130用于多個目的。也就是說,共享功耗電路130以實現(xiàn)多個目標。因此,與為每個目的提供功耗電路130的情況相比,可以減小芯片面積。由于與為每個目的設置功耗電路130的情況相比,可以減少功耗電路130的電路數(shù)目,因此還可以抑制漏電流的總量。在本實施例中,耗電路130用于抑制電源電壓的波動,但是不用說,功耗電路130可以共同用于其他目的。另外,盡管已經(jīng)將本實施例的模式描述為第三實施例的模式改變的模式,但是在率先實施例模式或第二實施例模式中描述的配置中,耗電路130可以用于其他目的。盡管已經(jīng)基于實施例具體描述了由發(fā)明人做出的發(fā)明,但是本發(fā)明不限于已經(jīng)描述的實施例,并且不用說,在不脫離其主旨的情況下可以進行各種修改。例如,控制器140、150、160和診斷部分170可以是軟件而不是硬件電路。也就是說,例如,控制器140、150、160和診斷部分170的處理可以由微控制器中提供的處理器與執(zhí)行存儲在微控制器中提供的存儲器中的程序的邏輯塊110分開執(zhí)行(更具體地,包括一個或多個指令的程序)。推薦地。在半導體器件的具體的制備工藝中,通常是在半導體襯底的非原胞區(qū)域形成場氧,以場氧為掩膜對半導體。青海產(chǎn)品半導體器件設備設計

計算機領域的筆記本、PC、服務器、顯示器以及各種外設;網(wǎng)絡通信領域的手機、電話等其它各種終端局端設備。江蘇產(chǎn)品半導體器件設備治理

    圖12是示出根據(jù)第四實施例的微控制器400的示例性配置的框圖。微控制器400與根據(jù)第三實施例的微控制器300的不同之處在于,增加了電流變化控制電路180。在以下描述中,將描述與第三實施例的不同點,并且將省略對與第三實施例相同的點的描述。電流變化控制電路180控制功耗電路130消耗預定功率,同時暫時停止邏輯塊110中包括的電路的操作。由于邏輯塊110中的暫時停止導致的電流的明顯減小可能導致電源電壓的變化。例如,如果由于流水線停頓而暫時停止執(zhí)行邏輯塊110中的cpu的操作的指令,則在該時間期間電流量急劇減少,結(jié)果,電源電壓波動。因此,電流變化控制電路180通過引起負載電流流過功耗電路130來抑制微控制器400中的負載電流的變化,例如,在邏輯塊110的操作停止時。結(jié)果,電流變化控制電路180抑制電源電壓的變化。也就是說,在本實施例中,耗電路130用于強制升高結(jié)溫,并且用于抑制邏輯塊110消耗的功率的變化。在本實施例中,如在第二實施例中,控制器160在微控制器400被開啟時控制功耗電路130。當結(jié)溫達到邏輯塊110的下限溫度并且邏輯塊110開始操作時,在電流變化控制電路180的控制下控制功耗電路130接通和斷開。在啟動時。江蘇產(chǎn)品半導體器件設備治理

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