北京標準半導體器件設備管理

    診斷部分170通過確定由溫度傳感器120測量的溫度是否根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化來診斷溫度傳感器120是否異常。如等式1所示，結溫tj取決于功耗電路130的驅動電流iload。即，結溫tj應當根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化。因此，當功耗電路130的操作條件改變時，診斷部分170通過檢查改變之后的溫度傳感器120的輸出結果是否相對于改變之前的溫度傳感器120的輸出結果發(fā)生改變來檢測溫度傳感器120的異常。也就是說，盡管功耗電路130的操作條件改變，但是當測量結果沒有改變時，診斷部分170診斷出溫度傳感器120中已經(jīng)發(fā)生錯誤。每次通過控制器160執(zhí)行要操作的功耗電路130的數(shù)目的設置時，診斷部分170診斷溫度傳感器120是否異常。在本實施例中，即使發(fā)生變化，如果變化量不是適當?shù)牧浚瑒t診斷部分170診斷出溫度傳感器120中發(fā)生了異常。如等式1所示，結溫tj根據(jù)功耗電路130的驅動電流iload的大小而變化。因此，可以規(guī)定當要操作的功耗電路130的數(shù)目改變時波動的結溫的適當量。因此，當從測量結果獲取的變化量與預定適當量之間的偏差超過預定閾值時，診斷部分170確定溫度傳感器120異常。接下來，將描述微控制器300中的溫度傳感器120的診斷操作。導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件。北京標準半導體器件設備管理

    第三實施例接下來，將描述第三實施例。圖9是示出根據(jù)第三實施例的微控制器300的示例性配置的框圖。微控制器300與根據(jù)第二實施例的微控制器200的不同之處在于，控制器150被替換為控制器160，并且添加了診斷部分170。在下文中，將描述與第二實施例的不同點，并且將省略對與第二實施例相同的點的描述?？刂破?60與控制器150的不同之處在于，除了控制器150的控制功能之外，控制器160還具有用于診斷溫度傳感器120的控制功能。下面，將描述用于診斷溫度傳感器120的控制器160的控制功能。在診斷部分170執(zhí)行診斷操作的同時，控制器160控制消耗功率的功耗電路的數(shù)目(即，操作的功耗電路130的數(shù)目)。具體地，在診斷部分170隨著功耗電路130的數(shù)目的變化而執(zhí)行診斷操作的同時，控制器160設置消耗功率一次或多次的功耗電路130的數(shù)目。例如，控制器160具有要操作的一個功耗電路130和在預定的等待時間過去之后要操作的兩個功耗電路130。在本實施例中，控制器160在每個預定等待時間由診斷部分170執(zhí)行診斷的同時改變數(shù)目以增加要操作的功耗電路130的數(shù)目。具體地，當診斷部分170執(zhí)行診斷操作時，控制器160首先將要操作的功耗電路130設置為0，然后將要操作的功耗電路130設置為1。此后。四川質量半導體器件設備在線半導體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉換等。

    本發(fā)明涉及用于控制半導體器件的方法和半導體器件，例如，本發(fā)明涉及用于確保半導體器件操作的技術。近年來，對更高可靠性和功能安全性的需求不斷增加，特別是在汽車工業(yè)中。因此，在半導體器件中，還需要擴大半導體器件可以操作的溫度。日本未審專利申請公開，其能夠通過使用包括功率晶體管的線性調節(jié)器電路來控制對發(fā)光二極管的供電，并且能夠防止功率晶體管的過度發(fā)熱。作為相關技術，日本未審專利申請公開。日本未審專利申請公開，其用于容易地抑制由與時鐘周期同步的電路引起的功耗狀態(tài)的差異引起的電源電壓的變化。技術實現(xiàn)要素：日本未審專利申請公開，但是不能防止過低的結溫。如果由于環(huán)境溫度低而導致結溫過低，則可能無法確保半導體器件中的邏輯塊的正常操作。因此，本領域需要一種能夠限定半導體器件可以正常操作的低環(huán)境溫度的技術。根據(jù)本說明書的描述和附圖，其他目的和新穎特征將變得很清楚。根據(jù)一個實施例，半導體器件包括用于控制功耗電路的功率耗散使得在溫度傳感器處測量的結溫不小于邏輯塊的預定下限操作溫度的控制器。根據(jù)率先實施例，可以將半導體器件可以正常操作的環(huán)境溫度定義為低于不使用根據(jù)率先實施例的技術時的環(huán)境溫度。

    具體實施方式為了清楚地解釋，適當?shù)厥÷院秃喕韵旅枋龊透綀D。在附圖中，相同的元素由相同的附圖標記表示，并且適當?shù)厥÷云渲貜兔枋?。率先實施例圖1是示出根據(jù)率先實施例的微控制器100的示例性配置的框圖。在本實施例和稍后描述的實施例中，給出了微控制器作為半導體器件的示例，但是不用說，根據(jù)本公開的技術可以用于除了微控制器之外的半導體器件。如圖1所示，微控制器100包括邏輯塊110、溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140。這里，溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140能夠正常操作的溫度范圍的下限(下文中稱為下限溫度)低于邏輯塊110的下限溫度。即，當溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140的三個下限溫度的比較高值為t并且邏輯塊110的下限溫度為tlb時，滿足t通常，微控制器100的結溫tj等于或大于微控制器的環(huán)境溫度ta。當邏輯塊110不操作時，結溫tj近似等于環(huán)境溫度ta，因為沒有從邏輯塊110產(chǎn)生熱量。當微控制器100的邏輯塊110操作時，響應于由于邏輯塊110中的熱量產(chǎn)生而產(chǎn)生的熱量，結溫tj變?yōu)楦哂诃h(huán)境溫度ta。因此，當不使用本公開的技術時，保證微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限是tlb。然而，使用所公開的技術。半導體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設備,屬于半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的支撐環(huán)節(jié),在半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位至關重要。

    控制器140輸出指示功耗電路130停止消耗功率的信號。也就是說，當所獲取的結溫等于或大于預定閾值時，控制器140關閉功耗電路130。當結溫等于或大于邏輯塊110的下限溫度并且小于預定閾值時，控制器140可以接通功耗電路130。預定閾值可以是等于或大于邏輯塊110的下限溫度的溫度。因此，預定閾值可以是邏輯塊110的下限溫度，或者預定閾值可以是通過向下限溫度添加裕度而獲取的溫度?？刂破?40包括用于對測量周期進行計數(shù)的計數(shù)器電路，并且當計數(shù)器電路指示的計數(shù)器值超過測量周期時，再次執(zhí)行功耗電路130的開/關控制。當控制器140使用功耗電路130接收指示終止溫度控制的信號時，該信號使用功耗電路130終止溫度控制。這些信號可以從例如已經(jīng)開始操作的邏輯塊110輸出。圖2是示出功耗電路130的示例性配置的電路圖。如圖2所示，功耗電路130包括電阻器131、n溝道m(xù)os晶體管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)132和反相器133。電源電壓vdd被施加到功耗電路130，并且電流流過電阻器131的率先狀態(tài)和沒有電流流過電阻器131的第二狀態(tài)響應于來自控制器140的控制信號c而被切換?？刂菩盘朿對應于用于指示上述功耗的信號。功率半導體器件通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上。黑龍江低碳半導體器件設備收費

半導體是指一種導電性可控,范圍從絕緣體到導體之間的材料。北京標準半導體器件設備管理

    如果所獲取的溫度小于下限溫度，則處理進行到步驟s102，而如果所獲取的溫度等于或大于下限溫度，則處理進行到步驟s103。在步驟s102中，控制器140接通功耗電路130。結果，功耗電路130產(chǎn)生熱量?？刂破?40重置計數(shù)器的計數(shù)t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s103中，控制器140關閉功耗電路130。控制器140重置計數(shù)器的計數(shù)t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s104中，控制器140確定在步驟s100中設置的測量周期是否已經(jīng)過去。也就是說，控制器140確定計數(shù)值t是否超過測量周期。當測量周期已經(jīng)過去時(步驟s104中的“是”)，處理進入步驟s105。在步驟s105中，控制器140確定是否已經(jīng)接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止，而當未接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s101。圖4是作為環(huán)境溫度的函數(shù)的微控制器100的狀態(tài)的圖形表示。在圖4中，上圖是示出環(huán)境溫度ta與功耗電路130的驅動電流之間的關系的曲線圖。在圖4中，下部所示的曲線圖是示出環(huán)境溫度ta與結溫tj之間的關系的曲線圖。在圖4中，環(huán)境溫度ta過低并且因此需要功耗電路130進行結溫升高的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s1。另一方面。北京標準半導體器件設備管理

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