遼寧建設(shè)項目半導體器件設(shè)備知識宣傳

    其中d1圖6是示出與微控制器200中的結(jié)溫控制相關(guān)的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖6描述微控制器200的操作。圖6所示的溫度控制過程例如在微控制器200啟動時執(zhí)行。在步驟s200中，如在圖3的步驟s100中，設(shè)定測量周期和結(jié)溫的下限。在步驟s200之后，處理進入步驟s201。在步驟s201中，測量結(jié)溫。也就是說，控制器150獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結(jié)溫。在步驟s201之后，處理進入步驟s202。在步驟s202中，控制器150根據(jù)在步驟s201中獲取的結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的溫度差來確定要操作的功耗電路130的數(shù)目。因此，在當前結(jié)溫低于邏輯塊110的下限溫度時，產(chǎn)生更多的強制熱量。當由溫度傳感器120測量的當前結(jié)溫等于或大于預(yù)定閾值時，控制器150關(guān)閉所有功耗電路130。在步驟s202中，控制器150重置計數(shù)器的計數(shù)t。在步驟s202之后，處理進入步驟s203。在步驟s203中，類似于圖3中的步驟s104，控制器150確定在步驟s200中設(shè)置的測量周期是否已經(jīng)過去。當測量周期已經(jīng)過去時(步驟s203中的“是”)，處理進入步驟s204。在步驟s204中，如在圖3的步驟s105中，控制器150確定是否已經(jīng)接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止。半導體器件由（場效應(yīng)器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號有第三、四、五部分）組成。遼寧建設(shè)項目半導體器件設(shè)備知識宣傳

    而當沒有接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s201。接下來，將與率先實施例進行比較來描述本實施例的效果。圖7是示出根據(jù)率先實施例的微控制器100的狀態(tài)的時間變化的圖。圖8是示出根據(jù)第二實施例的微控制器200的狀態(tài)的時間變化的圖。在圖7和8中，上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅(qū)動電流之和的轉(zhuǎn)變的曲線圖，而下部所示的曲線圖是示出結(jié)溫tj的轉(zhuǎn)變的曲線圖。如圖7所示，在根據(jù)率先實施例的微控制器100中，可存在兩種驅(qū)動電流狀態(tài)：接通和斷開。另一方面，如圖8所示，在根據(jù)第二實施例的微控制器200中，驅(qū)動電流可以采用更多狀態(tài)。因此，在根據(jù)第二實施例的微控制器200中，可以實現(xiàn)根據(jù)所測量的結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值的大小的靈活的驅(qū)動電流(即，發(fā)熱值)。因此，例如，當環(huán)境溫度很低時，通過接通很多功耗電路130，結(jié)溫可以在幾個周期內(nèi)達到邏輯塊110的下限溫度。另外，由于可以進行靈活的溫度控制，因此可以防止結(jié)溫過度升高。提高結(jié)溫導致漏電流增加，并且因此結(jié)溫變得高于所需溫度是不可取的。在本實施例中，當結(jié)溫小于邏輯塊110的下限溫度并且差值很小時，發(fā)熱量被抑制并且溫度被強制增加。因此，可以抑制明顯超過下限溫度的結(jié)溫。吉林哪里有半導體器件設(shè)備管理電力電子器件又稱為功率半導體器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。

    診斷部分170通過確定由溫度傳感器120測量的溫度是否根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化來診斷溫度傳感器120是否異常。如等式1所示，結(jié)溫tj取決于功耗電路130的驅(qū)動電流iload。即，結(jié)溫tj應(yīng)當根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化。因此，當功耗電路130的操作條件改變時，診斷部分170通過檢查改變之后的溫度傳感器120的輸出結(jié)果是否相對于改變之前的溫度傳感器120的輸出結(jié)果發(fā)生改變來檢測溫度傳感器120的異常。也就是說，盡管功耗電路130的操作條件改變，但是當測量結(jié)果沒有改變時，診斷部分170診斷出溫度傳感器120中已經(jīng)發(fā)生錯誤。每次通過控制器160執(zhí)行要操作的功耗電路130的數(shù)目的設(shè)置時，診斷部分170診斷溫度傳感器120是否異常。在本實施例中，即使發(fā)生變化，如果變化量不是適當?shù)牧?，則診斷部分170診斷出溫度傳感器120中發(fā)生了異常。如等式1所示，結(jié)溫tj根據(jù)功耗電路130的驅(qū)動電流iload的大小而變化。因此，可以規(guī)定當要操作的功耗電路130的數(shù)目改變時波動的結(jié)溫的適當量。因此，當從測量結(jié)果獲取的變化量與預(yù)定適當量之間的偏差超過預(yù)定閾值時，診斷部分170確定溫度傳感器120異常。接下來，將描述微控制器300中的溫度傳感器120的診斷操作。

    具體實施方式為了清楚地解釋，適當?shù)厥÷院秃喕韵旅枋龊透綀D。在附圖中，相同的元素由相同的附圖標記表示，并且適當?shù)厥÷云渲貜兔枋?。率先實施例圖1是示出根據(jù)率先實施例的微控制器100的示例性配置的框圖。在本實施例和稍后描述的實施例中，給出了微控制器作為半導體器件的示例，但是不用說，根據(jù)本公開的技術(shù)可以用于除了微控制器之外的半導體器件。如圖1所示，微控制器100包括邏輯塊110、溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140。這里，溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140能夠正常操作的溫度范圍的下限(下文中稱為下限溫度)低于邏輯塊110的下限溫度。即，當溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140的三個下限溫度的比較高值為t并且邏輯塊110的下限溫度為tlb時，滿足t通常，微控制器100的結(jié)溫tj等于或大于微控制器的環(huán)境溫度ta。當邏輯塊110不操作時，結(jié)溫tj近似等于環(huán)境溫度ta，因為沒有從邏輯塊110產(chǎn)生熱量。當微控制器100的邏輯塊110操作時，響應(yīng)于由于邏輯塊110中的熱量產(chǎn)生而產(chǎn)生的熱量，結(jié)溫tj變?yōu)楦哂诃h(huán)境溫度ta。因此，當不使用本公開的技術(shù)時，保證微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限是tlb。然而，使用所公開的技術(shù)。設(shè)備功能:通過探針與半導體器件的pad接觸,進行電學測試,檢測半導體的性能指標是否符合設(shè)計性能要求。

    控制器140輸出指示功耗電路130停止消耗功率的信號。也就是說，當所獲取的結(jié)溫等于或大于預(yù)定閾值時，控制器140關(guān)閉功耗電路130。當結(jié)溫等于或大于邏輯塊110的下限溫度并且小于預(yù)定閾值時，控制器140可以接通功耗電路130。預(yù)定閾值可以是等于或大于邏輯塊110的下限溫度的溫度。因此，預(yù)定閾值可以是邏輯塊110的下限溫度，或者預(yù)定閾值可以是通過向下限溫度添加裕度而獲取的溫度?？刂破?40包括用于對測量周期進行計數(shù)的計數(shù)器電路，并且當計數(shù)器電路指示的計數(shù)器值超過測量周期時，再次執(zhí)行功耗電路130的開/關(guān)控制。當控制器140使用功耗電路130接收指示終止溫度控制的信號時，該信號使用功耗電路130終止溫度控制。這些信號可以從例如已經(jīng)開始操作的邏輯塊110輸出。圖2是示出功耗電路130的示例性配置的電路圖。如圖2所示，功耗電路130包括電阻器131、n溝道m(xù)os晶體管(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)132和反相器133。電源電壓vdd被施加到功耗電路130，并且電流流過電阻器131的率先狀態(tài)和沒有電流流過電阻器131的第二狀態(tài)響應(yīng)于來自控制器140的控制信號c而被切換?？刂菩盘朿對應(yīng)于用于指示上述功耗的信號。導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件。海南工程半導體器件設(shè)備直銷價格

半導體器件通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。遼寧建設(shè)項目半導體器件設(shè)備知識宣傳

    如果所獲取的溫度小于下限溫度，則處理進行到步驟s102，而如果所獲取的溫度等于或大于下限溫度，則處理進行到步驟s103。在步驟s102中，控制器140接通功耗電路130。結(jié)果，功耗電路130產(chǎn)生熱量?？刂破?40重置計數(shù)器的計數(shù)t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s103中，控制器140關(guān)閉功耗電路130?？刂破?40重置計數(shù)器的計數(shù)t。此后，處理進入步驟s104。在步驟s104中，控制器140確定在步驟s100中設(shè)置的測量周期是否已經(jīng)過去。也就是說，控制器140確定計數(shù)值t是否超過測量周期。當測量周期已經(jīng)過去時(步驟s104中的“是”)，處理進入步驟s105。在步驟s105中，控制器140確定是否已經(jīng)接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止，而當未接收到指示終止溫度控制的信號時，處理返回到步驟s101。圖4是作為環(huán)境溫度的函數(shù)的微控制器100的狀態(tài)的圖形表示。在圖4中，上圖是示出環(huán)境溫度ta與功耗電路130的驅(qū)動電流之間的關(guān)系的曲線圖。在圖4中，下部所示的曲線圖是示出環(huán)境溫度ta與結(jié)溫tj之間的關(guān)系的曲線圖。在圖4中，環(huán)境溫度ta過低并且因此需要功耗電路130進行結(jié)溫升高的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s1。另一方面。遼寧建設(shè)項目半導體器件設(shè)備知識宣傳

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