青海低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備品牌排行榜

    具體實(shí)施方式為了清楚地解釋，適當(dāng)?shù)厥÷院秃?jiǎn)化以下描述和附圖。在附圖中，相同的元素由相同的附圖標(biāo)記表示，并且適當(dāng)?shù)厥÷云渲貜?fù)描述。率先實(shí)施例圖1是示出根據(jù)率先實(shí)施例的微控制器100的示例性配置的框圖。在本實(shí)施例和稍后描述的實(shí)施例中，給出了微控制器作為半導(dǎo)體器件的示例，但是不用說(shuō)，根據(jù)本公開(kāi)的技術(shù)可以用于除了微控制器之外的半導(dǎo)體器件。如圖1所示，微控制器100包括邏輯塊110、溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140。這里，溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140能夠正常操作的溫度范圍的下限(下文中稱為下限溫度)低于邏輯塊110的下限溫度。即，當(dāng)溫度傳感器120、功耗電路130和控制器140的三個(gè)下限溫度的比較高值為t并且邏輯塊110的下限溫度為tlb時(shí)，滿足t通常，微控制器100的結(jié)溫tj等于或大于微控制器的環(huán)境溫度ta。當(dāng)邏輯塊110不操作時(shí)，結(jié)溫tj近似等于環(huán)境溫度ta，因?yàn)闆](méi)有從邏輯塊110產(chǎn)生熱量。當(dāng)微控制器100的邏輯塊110操作時(shí)，響應(yīng)于由于邏輯塊110中的熱量產(chǎn)生而產(chǎn)生的熱量，結(jié)溫tj變?yōu)楦哂诃h(huán)境溫度ta。因此，當(dāng)不使用本公開(kāi)的技術(shù)時(shí)，保證微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限是tlb。然而，使用所公開(kāi)的技術(shù)。功率半導(dǎo)體器件通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上。青海低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備品牌排行榜

    不需要功耗電路130升高結(jié)溫的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s2。在溫度區(qū)域s1中，耗電路130接通，并且驅(qū)動(dòng)電流iload流過(guò)功耗電路130(參見(jiàn)圖4頂部的曲線圖)。也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)電流iload流過(guò)電阻器131。在溫度區(qū)域s1中，控制器140控制功耗電路130的接通/斷開(kāi)，使得結(jié)溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結(jié)果，在溫度區(qū)域s1中，結(jié)溫tj如圖4的下圖所示。因此，可以擴(kuò)展邏輯塊110的正常操作的環(huán)境溫度的覆蓋范圍。另一方面，在溫度區(qū)域s2中，由于環(huán)境溫度ta足夠高，所以結(jié)溫tj變?yōu)榈扔诨蚋哂谙孪逌囟萾lb，這是由于環(huán)境溫度和由于邏輯塊110的自發(fā)熱引起的溫度升高，并且因此功耗電路130繼續(xù)關(guān)閉。結(jié)溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻，idd是微控制器100的操作電流，即邏輯塊110的操作電流，并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經(jīng)描述了率先實(shí)施例。在微控制器100中，當(dāng)結(jié)溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時(shí)，功耗電路130接通，從而微控制器100根據(jù)消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產(chǎn)生熱量。因此，結(jié)溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結(jié)果，與不提供上述配置時(shí)相比。山東建設(shè)項(xiàng)目半導(dǎo)體器件設(shè)備廠家價(jià)格設(shè)備功能:通過(guò)探針與半導(dǎo)體器件的pad接觸,進(jìn)行電學(xué)測(cè)試,檢測(cè)半導(dǎo)體的性能指標(biāo)是否符合設(shè)計(jì)性能要求。

    以相同的方式，控制器160逐個(gè)遞增要操作的功耗電路130的數(shù)目?？刂破?60的數(shù)目可以增加n(n是等于或大于2的整數(shù))，而不是逐個(gè)增加。此外，在本實(shí)施例中，控制器160在診斷部分170診斷的同時(shí)逐漸增加要操作的功耗電路130的數(shù)目，但不一定需要改變以增加數(shù)目。例如，控制器160可以在預(yù)定的等待時(shí)間改變數(shù)目以減少要操作的功耗電路130的數(shù)目。然而，推薦地，將要操作的功耗電路130的數(shù)目改變?yōu)樵黾拥臄?shù)目。這是因?yàn)?，取決于環(huán)境溫度，如果操作所有功耗電路130，則結(jié)溫可能超過(guò)保證微控制器200的操作的溫度的上限。因此，如稍后所述，只要結(jié)溫不超過(guò)操作保證的溫度范圍的上限，要操作的功耗電路130的數(shù)目改變?yōu)樵黾樱⑶耶?dāng)數(shù)目超過(guò)上限時(shí)，溫度傳感器120的診斷操作可以通過(guò)中止診斷來(lái)在操作保證的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行。診斷部分170基于溫度傳感器120的輸出來(lái)診斷溫度傳感器120是否異常。因此，例如，如果沒(méi)有來(lái)自溫度傳感器120可用的測(cè)量結(jié)果，則診斷部分170可以檢測(cè)溫度傳感器120中的異常。當(dāng)從溫度傳感器120獲取測(cè)量結(jié)果時(shí)，診斷部分170如下診斷溫度傳感器120是否存在異常。也就是說(shuō)。

    當(dāng)來(lái)自反相器133的輸出被輸入到n溝道m(xù)os晶體管132的柵極并且n溝道m(xù)os晶體管132接通時(shí)，電流流過(guò)電阻器131以產(chǎn)生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置，并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過(guò)包括諸如電阻器等加熱元件來(lái)消耗功率的電路。接下來(lái)，將描述與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的操作。圖3是示出與微控制器100中的結(jié)溫控制相關(guān)的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過(guò)程例如在微控制器100啟動(dòng)時(shí)執(zhí)行，但是可以在其他預(yù)定定時(shí)執(zhí)行。在步驟s100中，設(shè)定測(cè)量結(jié)溫的測(cè)量周期和下限。如上所述，設(shè)定結(jié)溫的下限是邏輯塊110的下限溫度，即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如，這些設(shè)置通過(guò)讀取存儲(chǔ)在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)電路中的預(yù)定測(cè)量周期和預(yù)定下限溫度來(lái)執(zhí)行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導(dǎo)體工藝而預(yù)先定義的溫度。在步驟s100之后，處理進(jìn)入步驟s101。在步驟s101中，測(cè)量結(jié)溫。也就是說(shuō)，控制器140獲取由溫度傳感器120測(cè)量的微控制器100的結(jié)溫。然后，控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設(shè)置的下限溫度。半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)高、進(jìn)步快,一代產(chǎn)品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設(shè)備。

    在本實(shí)施例中，當(dāng)n＝0時(shí)，即，當(dāng)處理從步驟s300轉(zhuǎn)移到步驟s301時(shí)，在關(guān)閉所有功耗電路130的情況下測(cè)量結(jié)溫。在步驟s302中，診斷部分170確定測(cè)量結(jié)果是否正常。如果測(cè)量結(jié)果異常，則處理進(jìn)入步驟s303，而如果測(cè)量結(jié)果正常，則處理進(jìn)入步驟s304。如果所有功耗電路130都關(guān)閉，則如果沒(méi)有從溫度傳感器120獲取測(cè)量結(jié)果，或者如果沒(méi)有獲取指示預(yù)定溫度范圍(例如，定義為操作保證范圍的環(huán)境溫度的溫度范圍)的測(cè)量結(jié)果，則診斷部分170確定測(cè)量結(jié)果異常。否則，診斷部分170確定測(cè)量結(jié)果正常。當(dāng)多個(gè)功耗電路130中的至少一個(gè)接通時(shí)，檢查此時(shí)獲取的結(jié)溫與上一次在步驟s301中獲取的結(jié)溫之間的差值(即，結(jié)溫的變化δtj)和與預(yù)定適當(dāng)量的偏差量是否等于或小于預(yù)定閾值。當(dāng)偏差超過(guò)閾值時(shí)，診斷部分170確定測(cè)量結(jié)果異常。另一方面，當(dāng)偏移量不超過(guò)閾值時(shí)，診斷部分170確定測(cè)量結(jié)果正常。在步驟s303中，診斷部分170確定溫度傳感器120中已經(jīng)發(fā)生錯(cuò)誤，并且結(jié)束診斷操作。在步驟s304中，診斷部分170確定計(jì)數(shù)值n是否大于診斷數(shù)n。當(dāng)計(jì)數(shù)值n大于診斷數(shù)n時(shí)，處理進(jìn)入步驟s305。在步驟s305中，診斷部分170確定溫度傳感器120正常，并且結(jié)束診斷操作。如果計(jì)數(shù)值n等于或小于n，則在步驟s304之后。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等。青海低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備品牌排行榜

在半導(dǎo)體器件的具體的制備工藝中，通常是在半導(dǎo)體襯底的非原胞區(qū)域形成場(chǎng)氧，以場(chǎng)氧為掩膜對(duì)半導(dǎo)體。青海低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備品牌排行榜

放眼2019，變革與不確定仍然是能源領(lǐng)域?qū)⒁鎸?duì)的現(xiàn)實(shí)，新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)必然加速能源行業(yè)洗牌。面對(duì)正在到來(lái)的變革，唯有立足當(dāng)下，才能把握時(shí)代的機(jī)遇；唯有認(rèn)清趨勢(shì)，才能迎接未來(lái)的挑戰(zhàn)。把握世界能源科技綠色低碳、智能、多元的銷售方向，合理規(guī)劃建設(shè)清潔低碳、安全現(xiàn)代能源體系的中長(zhǎng)期愿景和目標(biāo)，建立穩(wěn)定的政策環(huán)境，把化石能源清潔利用、分布式能源和智能電網(wǎng)、安全核能、規(guī)?；稍偕茉醋鳛閼?zhàn)略優(yōu)先方向，適時(shí)更新中長(zhǎng)期發(fā)展戰(zhàn)略和行動(dòng)計(jì)劃，并利用技術(shù)和產(chǎn)業(yè)路線圖指導(dǎo)技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新。隨著國(guó)內(nèi)機(jī)會(huì)的逐漸飽和以及政策的逐步放開(kāi)，走向國(guó)際化已成為中國(guó)能源企業(yè)當(dāng)下更為重要的發(fā)展特征之一。如何提高中國(guó)能源企業(yè)的國(guó)際化能力，已成為能源行業(yè)的大話題?，F(xiàn)在都在提倡能源互聯(lián)網(wǎng)，而光伏設(shè)備及元器件銷售，半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售，太陽(yáng)能發(fā)電技術(shù)服務(wù)的背景是未來(lái)能源行業(yè)的發(fā)、輸、用、儲(chǔ)以及金融交易等環(huán)節(jié)都會(huì)發(fā)生巨大變化。青海低碳半導(dǎo)體器件設(shè)備品牌排行榜

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