診斷部分170通過確定由溫度傳感器120測量的溫度是否根據功耗電路130的操作條件而變化來診斷溫度傳感器120是否異常。如等式1所示，結溫tj取決于功耗電路130的驅動電流iload。即，結溫tj應當根據功耗電路130的操作條件而變化。因此，當功耗電路130的操作條件改變時，診斷部分170通過檢查改變之后的溫度傳感器120的輸出結果是否相對于改變之前的溫度傳感器120的輸出結果發(fā)生改變來檢測溫度傳感器120的異常。也就是說，盡管功耗電路130的操作條件改變，但是當測量結果沒有改變時，診斷部分170診斷出溫度傳感器120中已經發(fā)生錯誤。每次通過控制器160執(zhí)行要操作的功耗電路130的數目的設置時，診斷部分170診斷溫度傳感器120是否異常。在本實施例中，即使發(fā)生變化，如果變化量不是適當的量，則診斷部分170診斷出溫度傳感器120中發(fā)生了異常。如等式1所示，結溫tj根據功耗電路130的驅動電流iload的大小而變化。因此，可以規(guī)定當要操作的功耗電路130的數目改變時波動的結溫的適當量。因此，當從測量結果獲取的變化量與預定適當量之間的偏差超過預定閾值時，診斷部分170確定溫度傳感器120異常。接下來，將描述微控制器300中的溫度傳感器120的診斷操作。半導體行業(yè)技術高、進步快,一代產品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設備。貴州質量半導體器件設備廠家價格
本發(fā)明涉及用于控制半導體器件的方法和半導體器件，例如，本發(fā)明涉及用于確保半導體器件操作的技術。近年來，對更高可靠性和功能安全性的需求不斷增加，特別是在汽車工業(yè)中。因此，在半導體器件中，還需要擴大半導體器件可以操作的溫度。日本未審專利申請公開，其能夠通過使用包括功率晶體管的線性調節(jié)器電路來控制對發(fā)光二極管的供電，并且能夠防止功率晶體管的過度發(fā)熱。作為相關技術，日本未審專利申請公開。日本未審專利申請公開，其用于容易地抑制由與時鐘周期同步的電路引起的功耗狀態(tài)的差異引起的電源電壓的變化。技術實現(xiàn)要素：日本未審專利申請公開，但是不能防止過低的結溫。如果由于環(huán)境溫度低而導致結溫過低，則可能無法確保半導體器件中的邏輯塊的正常操作。因此，本領域需要一種能夠限定半導體器件可以正常操作的低環(huán)境溫度的技術。根據本說明書的描述和附圖，其他目的和新穎特征將變得很清楚。根據一個實施例，半導體器件包括用于控制功耗電路的功率耗散使得在溫度傳感器處測量的結溫不小于邏輯塊的預定下限操作溫度的控制器。根據率先實施例，可以將半導體器件可以正常操作的環(huán)境溫度定義為低于不使用根據率先實施例的技術時的環(huán)境溫度。上海哪些半導體器件設備品牌排行榜半導體在集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉換等。
第三實施例接下來，將描述第三實施例。圖9是示出根據第三實施例的微控制器300的示例性配置的框圖。微控制器300與根據第二實施例的微控制器200的不同之處在于，控制器150被替換為控制器160，并且添加了診斷部分170。在下文中，將描述與第二實施例的不同點，并且將省略對與第二實施例相同的點的描述?？刂破?60與控制器150的不同之處在于，除了控制器150的控制功能之外，控制器160還具有用于診斷溫度傳感器120的控制功能。下面，將描述用于診斷溫度傳感器120的控制器160的控制功能。在診斷部分170執(zhí)行診斷操作的同時，控制器160控制消耗功率的功耗電路的數目(即，操作的功耗電路130的數目)。具體地，在診斷部分170隨著功耗電路130的數目的變化而執(zhí)行診斷操作的同時，控制器160設置消耗功率一次或多次的功耗電路130的數目。例如，控制器160具有要操作的一個功耗電路130和在預定的等待時間過去之后要操作的兩個功耗電路130。在本實施例中，控制器160在每個預定等待時間由診斷部分170執(zhí)行診斷的同時改變數目以增加要操作的功耗電路130的數目。具體地，當診斷部分170執(zhí)行診斷操作時，控制器160首先將要操作的功耗電路130設置為0，然后將要操作的功耗電路130設置為1。此后。
當來自反相器133的輸出被輸入到n溝道m(xù)os晶體管132的柵極并且n溝道m(xù)os晶體管132接通時，電流流過電阻器131以產生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置，并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來，將描述與微控制器100中的結溫控制相關的操作。圖3是示出與微控制器100中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動時執(zhí)行，但是可以在其他預定定時執(zhí)行。在步驟s100中，設定測量結溫的測量周期和下限。如上所述，設定結溫的下限是邏輯塊110的下限溫度，即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如，這些設置通過讀取存儲在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的預定測量周期和預定下限溫度來執(zhí)行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導體工藝而預先定義的溫度。在步驟s100之后，處理進入步驟s101。在步驟s101中，測量結溫。也就是說，控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。然后，控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設置的下限溫度。設備功能:通過探針與半導體器件的pad接觸,進行電學測試,檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求。
控制器140輸出指示功耗電路130停止消耗功率的信號。也就是說，當所獲取的結溫等于或大于預定閾值時，控制器140關閉功耗電路130。當結溫等于或大于邏輯塊110的下限溫度并且小于預定閾值時，控制器140可以接通功耗電路130。預定閾值可以是等于或大于邏輯塊110的下限溫度的溫度。因此，預定閾值可以是邏輯塊110的下限溫度，或者預定閾值可以是通過向下限溫度添加裕度而獲取的溫度?？刂破?40包括用于對測量周期進行計數的計數器電路，并且當計數器電路指示的計數器值超過測量周期時，再次執(zhí)行功耗電路130的開/關控制。當控制器140使用功耗電路130接收指示終止溫度控制的信號時，該信號使用功耗電路130終止溫度控制。這些信號可以從例如已經開始操作的邏輯塊110輸出。圖2是示出功耗電路130的示例性配置的電路圖。如圖2所示，功耗電路130包括電阻器131、n溝道m(xù)os晶體管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)132和反相器133。電源電壓vdd被施加到功耗電路130，并且電流流過電阻器131的率先狀態(tài)和沒有電流流過電阻器131的第二狀態(tài)響應于來自控制器140的控制信號c而被切換?？刂菩盘朿對應于用于指示上述功耗的信號。半導體器件由（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號有第三、四、五部分）組成。海南哪里有半導體器件設備排行榜
半導體器件通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。貴州質量半導體器件設備廠家價格
不需要功耗電路130升高結溫的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s2。在溫度區(qū)域s1中，耗電路130接通，并且驅動電流iload流過功耗電路130(參見圖4頂部的曲線圖)。也就是說，驅動電流iload流過電阻器131。在溫度區(qū)域s1中，控制器140控制功耗電路130的接通/斷開，使得結溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb。結果，在溫度區(qū)域s1中，結溫tj如圖4的下圖所示。因此，可以擴展邏輯塊110的正常操作的環(huán)境溫度的覆蓋范圍。另一方面，在溫度區(qū)域s2中，由于環(huán)境溫度ta足夠高，所以結溫tj變?yōu)榈扔诨蚋哂谙孪逌囟萾lb，這是由于環(huán)境溫度和由于邏輯塊110的自發(fā)熱引起的溫度升高，并且因此功耗電路130繼續(xù)關閉。結溫tj由以下等式1表示。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻，idd是微控制器100的操作電流，即邏輯塊110的操作電流，并且vdd是微控制器100的電源電壓。上面已經描述了率先實施例。在微控制器100中，當結溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時，功耗電路130接通，從而微控制器100根據消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產生熱量。因此，結溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結果，與不提供上述配置時相比。貴州質量半導體器件設備廠家價格
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