青島大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-10-28

輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽螅娏鞯挠行е岛苄。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?,半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角的65%以上工作,及控制電壓應(yīng)在5V以上。7、模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流,存在導(dǎo)通角的問題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,在選取模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>K×I負(fù)載×U大?MU實(shí)際K:安全系數(shù),阻性負(fù)載K=,感性負(fù)載K=2;I負(fù)載:負(fù)載流過的大電流;U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;U大:模塊能輸出的大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的,單相整流模塊為輸入電壓的,其余規(guī)格均為);I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過載能力,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機(jī),建議采用帶有過熱保護(hù)功能的產(chǎn)品,有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過嚴(yán)格測算。淄博正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。青島大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

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在負(fù)半周期間,C向R3和R2放電并觸發(fā)雙向可控硅,這樣使雙向可控硅繼續(xù)導(dǎo)通,保證負(fù)載正常工作。一旦電網(wǎng)突然停電,C上的電荷經(jīng)R3和R2放電。在電網(wǎng)恢復(fù)供電后,由于K1常開,C上又無電壓,不能使雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通,電路呈斷開自鎖狀態(tài),因此沒有電流流過負(fù)載。只有重按一下K1,負(fù)載才能正常工作,從而有效地防止了因斷電后恢復(fù)供電造成的浪費(fèi)和。常閉按鈕K2用于正常供電情況下關(guān)斷電路。10:雙色彩燈本彩燈是以多諧振蕩器為控制信號(hào),燈光交替閃耀,可給節(jié)日晚上(尤其是舞會(huì))增加不少光彩和歡快氣氛。工作原理如下圖所示。交流220V電源經(jīng)C1、VD1、VD2及VD3降壓、整流、濾波后,在VD3兩端得到3V的穩(wěn)定電壓。多諧振蕩器中的VT1、VT2輪流導(dǎo)通,其集電極電流控制雙向晶閘管VS1和VS2工作,彩燈將交替閃爍著光彩。元器件選擇:電容C1為μ/400V(滌綸電容)、C2為220μ/6V,C3、C4為50μ/16V。電阻R1為1M/1W,R2、R3為20K/1/4W。二極管VD1、VD2選1N4004。穩(wěn)壓二極管VD3選3V/1W。發(fā)光二極管VD4、VD5為FG114001。雙向晶閘管VS1、VS2為TLC3A/400V。三極管VT1、VT2為3CK9D,60≤β≤120。使用方法:(1)如彩燈不亮,將3V穩(wěn)壓管換成。(2)為防止流過發(fā)光二極管VD4、VD5的電流過大。青島小功率晶閘管移相調(diào)壓模塊廠家淄博正高電氣提供周到的解決方案,滿足客戶不同的服務(wù)需要。

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等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅模塊從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種(見圖表-25)。螺旋式的應(yīng)用較多。■可控硅模塊有三個(gè)電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見圖表-26?!鰪膱D表-26中可以看到,可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?!隹煽毓枘K為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理?!鍪紫龋覀兛梢园褟年帢O向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管。

可控硅可控硅簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。淄博正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn),邁向優(yōu)良品質(zhì)!

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可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應(yīng)用較多??煽毓栌腥齻€(gè)電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)。從圖表-26中可以看到,可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27(C)的等效電路圖來分析。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG1的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,經(jīng)放大。BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。淄博正高電氣不懈追求產(chǎn)品質(zhì)量,精益求精不斷升級(jí)。青島小功率晶閘管移相調(diào)壓模塊廠家

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即導(dǎo)通角為180°(或p)。正是由于正弦波被切割、波形遭受破壞,會(huì)給電網(wǎng)帶來干擾等問題……好的調(diào)光設(shè)備應(yīng)采取必要措施,努力降低使用可控硅技術(shù)后產(chǎn)生的干擾。可控硅的作用可控硅的作用之一就是可控整流,這也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能,并沒有實(shí)現(xiàn)可控,而一旦把二極管換做可控硅,便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路。在一個(gè)基本的單相半波可控整流電路中,當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí),只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí),可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通,負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出,因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時(shí)間,來進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值,達(dá)到可控整流的作用。可控硅的作用之二就是用作無觸點(diǎn)開關(guān),經(jīng)常用于自動(dòng)化設(shè)備中,代替通用繼電器,具有無噪音、壽命長的特點(diǎn)。可控硅的作用三:開關(guān)和調(diào)壓作用可控硅的作用之三就是起到開關(guān)和調(diào)壓的作用,經(jīng)常應(yīng)用于交流電路中,由于其被觸發(fā)時(shí)間不同,因此通過它的電流只有其交流周期的一部分,通過它的電壓只有全電壓的一部分,因而起到調(diào)節(jié)輸出電壓的作用。青島大功率晶閘管移相調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

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