西藏單向可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-23

1.用指針式萬用表電阻檔測(cè)量可控硅陽(yáng)極和陰極之間是否短路,一般情況下雙向可控硅陽(yáng)極和陰極之間的電阻在數(shù)十千歐以上,如用萬用表測(cè)量時(shí)已短路或電阻已小于10千歐以下,可判斷可控硅已擊穿損壞。2.用萬用表分別測(cè)量雙向可控硅觸發(fā)極與陰極之間的電阻值,一般再幾歐至百十歐以內(nèi)的正常,觸發(fā)極與陽(yáng)極之間的電阻值,一般再十千歐以上為正常。晶閘管(可控硅)要導(dǎo)通,必須滿足以下條件:雙向晶閘管導(dǎo)通條件:一是晶閘管(可控硅)陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備,晶閘管(可控硅)才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外,晶閘管(可控硅)一旦導(dǎo)通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,晶閘管(可控硅)仍然導(dǎo)通。雙向晶閘管(可控硅)關(guān)斷條件:降低或去掉加在晶閘管(可控硅)陽(yáng)極至陰極之間的正向電壓,使陽(yáng)極電流小于小維持電流以下。淄博正高電氣提供周到的解決方案,滿足客戶不同的服務(wù)需要。西藏單向可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

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會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞,如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產(chǎn)生的原因。可控硅模塊對(duì)過電壓非常敏感,當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí),可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí),可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。開關(guān)的開啟和關(guān)閉引起的脈沖電壓分為以下兩類:(1)交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓如交流開關(guān)分合、交流側(cè)熔斷器熔斷等引起的過電壓,由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振回路、電容分壓等原因,這些過電壓值是正常值的2~10倍以上。一般來說,開閉速度越快,過電壓越高,則在無負(fù)載下斷開晶閘管模塊時(shí)過電壓就越高。直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓例如,如果切斷電路的電感較大。廣西單向可控硅調(diào)壓模塊組件淄博正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。

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使用劣質(zhì)散熱器,散熱體水腔材質(zhì)差(有的用黃銅),導(dǎo)熱性能差,更嚴(yán)重的是蝶型彈簧和三角壓蓋因質(zhì)量不合格,短時(shí)間使用后失去彈性,使管芯與散熱體臺(tái)面間的壓力明顯下降,從而影響其散熱效果。用戶沒有必要的安裝設(shè)備,更換管芯靠手工安裝很難達(dá)到規(guī)范的要求。所以我們建議,對(duì)于大功率(≥1200A)的晶閘管,建議買廠家成套的元件。因?yàn)閺S家配套的散熱器質(zhì)量可靠(質(zhì)量承諾),同時(shí)廠家有所用的安裝模具與設(shè)備,確保裝配質(zhì)量,并且在安裝后重新測(cè)試,保證成套元件合格,另外,大功率晶閘管(≥1200A)價(jià)格一般每只近千元,有的達(dá)數(shù)千元,而散熱器每套不過兩百多元,不要因小失大。就當(dāng)前的水平,我們認(rèn)為用測(cè)量管芯陶瓷外殼溫度的方法來判定散熱器的散熱效果是可行有效的。在相同工作條件下,一般陶瓷外殼的溫度高,說明散熱效果相對(duì)比較差。測(cè)量溫度的方法建議使用如下方法:手提式紅外溫度測(cè)試儀,使用方便,性能可靠;帶測(cè)溫功能的萬用表,測(cè)溫頭緊貼在管芯陶瓷外殼上;注意:采用該方法時(shí),需由專業(yè)維修人員進(jìn)行操作,并注意安全。用上述方法經(jīng)常檢查管芯陶瓷外殼上的溫度,通過相對(duì)比較。

電力調(diào)整器其實(shí)有著別的名稱,比如說可以叫做可控硅也可以叫做調(diào)功調(diào)壓器或者是功率調(diào)整器以及還有其他的一些像是調(diào)相器以及調(diào)功器等等,因?yàn)槭菍儆谝环N無級(jí)的電力調(diào)整的設(shè)備,也是屬于在工業(yè)的電熱的行業(yè)中控制的利器,也有一些比較節(jié)能節(jié)電的環(huán)保型的產(chǎn)品。它是一種以晶閘管(電力電子器件)為主要基礎(chǔ)的,可以以智能的數(shù)字進(jìn)行相應(yīng)的控制電路這些為中心的電源功率的控制電器,這樣看來又可以稱為可控硅調(diào)功器,可控硅的調(diào)整器以及可控硅的調(diào)壓器,晶閘管調(diào)整器以及晶閘管調(diào)壓器等等一些別的名稱。這些也具有效率比較高、沒有機(jī)械的噪聲以及磨損,響應(yīng)的速度也是比較快的,體積也比較小,重量同樣也是比較輕的,像是這些的還有很多,而且晶閘管的調(diào)功器也會(huì)通過對(duì)電壓、電流以及功率進(jìn)行控制的,這樣就可以實(shí)現(xiàn)進(jìn)行很精密的控溫。并且可以憑借很先進(jìn)的數(shù)字進(jìn)行控制,這樣也優(yōu)化了電能的使用的功率,相對(duì)于節(jié)約電能起到了一定的作用。晶閘管調(diào)功器的可以在什么行業(yè)進(jìn)行使用呢?1.首先是電爐行業(yè)有退火爐、烘干爐、燒結(jié)爐以及淬火爐,還有一些是工業(yè)行業(yè)上的像是井式電爐、滾動(dòng)電爐以及臺(tái)車電爐。淄博正高電氣不斷從事技術(shù)革新,改進(jìn)生產(chǎn)工藝,提高技術(shù)水平。

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晶閘管模塊的八個(gè)優(yōu)點(diǎn)來源:正高電氣日期:2019年09月07日點(diǎn)擊數(shù):載入中...晶閘管模塊應(yīng)用于溫度調(diào)節(jié)、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、焊接、穩(wěn)壓電源等行業(yè),也可用于交流電機(jī)軟起動(dòng)和直流電機(jī)調(diào)速。你知道晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn)嗎?下面晶閘管生產(chǎn)廠家正高電氣來講解一下晶閘管模塊的八大優(yōu)點(diǎn)。主要優(yōu)點(diǎn)如下:(1)采用進(jìn)口方形晶閘管支撐板,使晶閘管模塊電壓降低、功耗低、效率高、節(jié)能效果好。(2)采用進(jìn)口插片元件,保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。(3)(DCB)陶瓷銅板通過獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝,保證晶閘管模塊的焊接層無空洞,具有良好的導(dǎo)熱性能。(4)導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的絕緣和防潮性能。(5)觸發(fā)控制電路、主電路和熱傳導(dǎo)底板相互隔離,熱傳導(dǎo)底板不充電,介電強(qiáng)度≥2500V,保證了安全。(6)通過輸入0-10V直流控制信號(hào),可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。(7)可手動(dòng)控制、儀表控制或微機(jī)控制。(8)適用于電阻和電感負(fù)載。以上是關(guān)于晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn),希望能對(duì)您有所幫助。淄博正高電氣始終堅(jiān)持以人為本,恪守質(zhì)量為金,同建雄績(jī)偉業(yè)。濰坊單相可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

淄博正高電氣企業(yè)價(jià)值觀:以人為本,顧客滿意,溝通合作,互惠互利。西藏單向可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家

設(shè)備自身運(yùn)行中以及非正常運(yùn)行中也有過電壓出現(xiàn)。過電壓保護(hù)的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路,以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護(hù)的第二種方法是采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。3.電流上升率、電壓上升率的保護(hù)(1)電流上升率di/dt的可控硅初開通時(shí)電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域,局部電流密度很大,然后以μs的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個(gè)陰極面,若可控硅開通時(shí)電流上升率di/dt過大,會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)擊穿,必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽(yáng)極回路串聯(lián)入電感。電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大,由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流,該電流可以實(shí)際上起到觸發(fā)電流的作用,使晶閘管正向阻斷能力下降,嚴(yán)重時(shí)引起晶閘管誤導(dǎo)通。為dv/dt的作用,可以在晶閘管兩端并聯(lián)R-C阻容吸收回路。如下圖:4.為什么要在可控硅兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)在實(shí)際可控硅電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路??煽毓栌幸粋€(gè)重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在額定結(jié)溫和門極斷路條件下。西藏單向可控硅調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家