威海小功率晶閘管移相調壓模塊功能

可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機所用模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。優(yōu)點/可控硅模塊編輯體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。淄博正高電氣具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。威海小功率晶閘管移相調壓模塊功能

其閘流特性表現(xiàn)為當可控硅加上正向陽極電壓的同時又加上適當的正向控制電壓時，可控硅就導通；這一導通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關斷。普通的可控硅調光器就是利用可控硅的這一特性實現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調壓的。在正弦波交流電過零后的某一時刻t1（或某一相位角wt1），在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖，使可控硅導通，根據前面介紹過的可控硅開關特性，這一導通將維持到正弦波正半周結束。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中，0~wt1范圍可控硅不導通，這一范圍稱為控制角，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導通，這一范圍稱為導通角，常用j表示。同理在正弦波交流電的負半周，對處于反向聯(lián)接的另一個可控硅（對兩個單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言）在t2時刻（即相位角wt2）施加觸發(fā)脈沖，使其導通。如此周而復始，對正弦波每半個周期控制其導通，獲得相同的導通角。如改變觸發(fā)脈沖的施加時間（或相位），即改變了導通角j（或控制角a）的大小。導通角越大調光器輸出的電壓越高，燈就越亮。從上述可控硅調光原理可知，調光器輸出的電壓波形已經不再是正弦波了，除非調光器處在全導通狀態(tài)。安徽大功率晶閘管移相調壓模塊誠摯的歡迎業(yè)界新朋老友走進淄博正高電氣！

可控硅模塊又叫晶閘管。自從20世紀50年代問世以來已經發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。用萬用表可以區(qū)分可控硅模塊的三個電極普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結〔圖2(a)〕，相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。其結構示意圖和符號。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?？煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅?？下面我們用來簡單分析可控硅的工作原理。首先，我們可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大。BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。淄博正高電氣智造產品，制造品質是我們服務環(huán)境的決心。

當電容C被充足電后，使三極管V由截止轉為導通狀態(tài)，將可控硅SCR關斷，電燈也就熄滅了。本電路關燈延時期間，延時時間由R1、C的取值來確定，讀者也可根據各自需要自行確定。本電路中的可控硅，筆者選用的為單向可控硅，在關燈延時期間電燈的亮度約為開燈時亮度的一半，以適合人們的視覺上的需要，同時又可節(jié)能。電路制作：圖中單向可控硅SCR選用MCR100－8，耐壓須為600V以上。燈泡的功率不大于100W為宜。二極管VD為1N4007，V為C1815。電阻均為1／8W碳膜電阻。制作時，用一小塊電路板將圖中虛線框內各元器件焊裝上。好將本電路裝在拉線開關底部凹槽內，用膠水粘牢并將引線接至開關兩接線端即可。8：單鍵自鎖開關單鍵自鎖開關說明1、上電不動作。2、按鈕按下后再釋放，繼電器吸合。3、按鈕長按時，繼電器釋放，松開后繼電器吸合。4、按鈕點按時：繼電器釋放←→吸合循環(huán)動作。5、因為47Ω電阻有壓降，繼電器可以用DC9V的。9：簡單的停電自鎖開關電網供電正常時，它象普通開關一樣使用。按一下K1，220V交流電經R1和R2分壓給雙向可控硅提供一觸發(fā)電壓，使雙向可控硅導通。可控硅導通后，在電源電壓正半周期間，少量電流經R4、D向C充電，同時經R3、R2分壓觸發(fā)可控硅。淄博正高電氣用先進的生產工藝和規(guī)范的質量管理，打造優(yōu)良的產品！四川恒壓晶閘管移相調壓模塊廠家

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可控硅損壞原因判別哪種參數壞了？當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。5、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞，其芯片G-K間有燒焦的通路（短路痕跡）。威海小功率晶閘管移相調壓模塊功能

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