內(nèi)蒙古單向可控硅調(diào)壓模塊價格

晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？晶閘管模塊的存在起到很重要的作用，在一些特殊情況時，就需要將晶閘管模塊進(jìn)行串聯(lián)或者并聯(lián)，從而達(dá)到要求，接下來正高電氣來說說晶閘管模塊串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？當(dāng)晶閘管模塊額定電壓小于要求時，可以串聯(lián)。采用晶閘管模塊串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。當(dāng)晶閘管模塊靜態(tài)不均壓，串聯(lián)的晶閘管模塊流過的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等。這是應(yīng)選用參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊，采用電阻均壓，Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時的正、反向電阻小得多。當(dāng)晶閘管模塊動態(tài)不均壓，由于器件動態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓，這時我們要選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的晶閘管模塊，用RC并聯(lián)支路作動態(tài)均壓，采用門極強脈沖觸發(fā)可以明顯減小器件開通時間的差異。和晶閘管模塊串聯(lián)不同的是，晶閘管模塊并聯(lián)會使多個器件并聯(lián)來承擔(dān)較大的電流，會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻，這時我們要挑選特性參數(shù)盡量一致的器件，采用均流電抗器，用門極強脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流。需要注意的是當(dāng)晶閘管模塊需要同時串聯(lián)和并聯(lián)時，通常采用先串后并的方法聯(lián)接。淄博正高電氣不懈追求產(chǎn)品質(zhì)量，精益求精不斷升級。內(nèi)蒙古單向可控硅調(diào)壓模塊價格

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優(yōu)點，自上個世紀(jì)六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。目前國內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流。甘肅小功率可控硅調(diào)壓模塊品牌誠摯的歡迎業(yè)界新朋老友走進(jìn)淄博正高電氣！

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時所對應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時反對應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。

1.要學(xué)會核價，不管采購任何一種型號的雙向可控硅模塊，在采購前應(yīng)熟悉它的價格組成，了解你的供應(yīng)商所生產(chǎn)成品的原料源頭價格，為自己的準(zhǔn)確核價打下基礎(chǔ)。這樣談判時，做到知已知彼，百戰(zhàn)百勝。2.信息來源要廣現(xiàn)今的社會是一個電子化的設(shè)備，作為采購人員要由不同的方面收集雙向可控硅模塊的采購信息，地域差別等。3.選擇適合自己公司發(fā)展的雙向可控硅供應(yīng)商，一個好的供雙向可控硅應(yīng)商能跟隨著你共同發(fā)展，為你的發(fā)展出謀劃策，節(jié)約成本，管理供應(yīng)商很省心；不好的供應(yīng)商則為你的供應(yīng)商管理帶來很多的麻煩。4.采購人員的談判技巧也是控制雙向可控硅模塊采購成本的一個重要環(huán)。5.看看該模塊批量采購的重要性，任何人都懂得道理，批量愈大，所攤銷的費用愈低。采購計劃人員需把好此關(guān)。6.建立公司的采購信譽。條款必須按合同執(zhí)行，如付款你可以拖一次、兩次，但你決不能有第三次。失去誠信，別說控制雙向可控硅模塊成本，可能貨都不會有人給你供。7.建立月度供應(yīng)商評分制度，實行供應(yīng)商配額制度，會收到你意想不到的效果。8.建立采購人員的月度績效評估制度?？梢约畈少弳T的工作積極性。9.有效的控制采購雙向可控硅模塊庫存。避免停轉(zhuǎn)產(chǎn)的風(fēng)險及積壓物資的風(fēng)險。淄博正高電氣以誠信為根本，以質(zhì)量服務(wù)求生存。

首先可控硅是一種新型的半導(dǎo)體器件，其次它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、動作快以及使用方便等優(yōu)點，目前交流調(diào)壓器多采用可控硅調(diào)壓器?？煽毓枵{(diào)壓器電路圖（一）可控硅交流調(diào)壓器由可控整流電路和觸發(fā)電路兩部分組成，其電路原里圖如下圖所示。從圖中可知，二極管D1—D4組成橋式整流電路，雙基極二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器作為可控硅的同步觸發(fā)電路。當(dāng)調(diào)壓器接上市電后，220V交流電通過負(fù)載電阻RL經(jīng)二極管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K兩端形成一個脈動直流電壓，該電壓由電阻R1降壓后作為觸發(fā)電路的直流電源。在交流電的正半周時，整流電壓通過R4、W1對電容C充電。當(dāng)充電電壓Uc達(dá)到單結(jié)晶體管T1管的峰值電壓Up時，單結(jié)晶體管T1由截止變?yōu)閷?dǎo)通，于是電容C通過T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電，結(jié)果在R2上獲得一個尖脈沖。這個脈沖作為控制信號送到可控硅SCR的控制極，使可控硅導(dǎo)通?？煽毓鑼?dǎo)通后的管壓降很低，一般小于1V，所以張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電通過零點時，可控硅自關(guān)斷。當(dāng)交流電在負(fù)半周時，電容C又從新充電……如此周而復(fù)始，便可調(diào)整負(fù)載RL上的功率了。元器件選擇調(diào)壓器的調(diào)節(jié)電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器。淄博正高電氣擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備，雄厚的技術(shù)力量。濱州進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊廠家

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為何要晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)？它的作用是什么呢？晶閘管模塊在電路中具有不可或缺的作用，您也許聽過晶閘管模塊的作用、優(yōu)勢、應(yīng)用范圍等等，您聽過晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)的作用是什么嗎？接下來正高電氣就來為您介紹為何要晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)？它的作用是什么呢？在實際晶閘管模塊電路中，常在其兩端并聯(lián)rc串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為rc阻容吸收電路。我們知道，晶閘管模塊有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管模塊在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管模塊從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管模塊的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管模塊的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管模塊可以看作是由三個pn結(jié)組成。在晶閘管模塊處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其j2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個電容c0。當(dāng)晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容c0，并通過j3結(jié)，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管模塊在關(guān)斷時，陽極電壓上升速度太快，則c0的充電電流越大。就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說的硬開通。內(nèi)蒙古單向可控硅調(diào)壓模塊價格

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