內(nèi)蒙古雙向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

電力調(diào)整器采用全數(shù)字電路設(shè)計，使用方便可靠。由控制板、散熱單元、電源模塊、外殼等組成，控制板采用控制板；散熱系統(tǒng)采用高能散熱器，在同等體積下散熱效率提高30%；低噪音長壽命風(fēng)扇，保證系統(tǒng)的可靠性。它由三相風(fēng)機(jī)和特殊外殼組成。主要部分采用控制板和進(jìn)口可控硅整流模塊；散熱系統(tǒng)采用低噪音風(fēng)扇，整機(jī)具備控制板的所有功能。相反，通過應(yīng)用晶閘管及其觸發(fā)控制電路，使用圓盤功率調(diào)節(jié)單元來調(diào)整負(fù)載功率。目前，越來越多的晶閘管采用數(shù)字電路觸發(fā)來實現(xiàn)電壓和功率的調(diào)節(jié)。它是一種以晶閘管（電力電子功率器件）和智能數(shù)字控制電路為中心的功率控制裝置。電動調(diào)節(jié)器由觸發(fā)板、所用散熱器、風(fēng)扇、外殼等組成，主要部分采用控制板和可控硅整流模塊；散熱系統(tǒng)采用插入式高能散熱器和低噪聲風(fēng)扇。整個機(jī)器具有控制板的所有功能。而且效率是非常高的，而且它是屬于無機(jī)械噪音的并且它的磨損是比較小的，響應(yīng)速度也是非常快的，而且從體積上來講也是非常小，體重也是非常輕的，這也是它的優(yōu)點，它比較適用于鹽浴爐以及工頻感應(yīng)爐以及淬火的溫度控制；還有一些像是熱處理爐的溫度控制以及玻璃的生產(chǎn)過程中的溫度的控制；還有一些半導(dǎo)體工業(yè)船蒸制的起源。淄博正高電氣從國內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。內(nèi)蒙古雙向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

雙向可控硅MAC97A6的電路應(yīng)用MAC97A6為小功率雙向可控硅（雙向晶閘管），多應(yīng)用于電風(fēng)扇速度控制或電燈的亮度控制，市場上流行的“電腦風(fēng)扇”或“電子程控風(fēng)扇”，不外乎是用集成電路控制器與老式風(fēng)扇相結(jié)合的新一代產(chǎn)品。這里介紹的電路就是利用一塊市售的所用集成電路RY901及MAC97A6，將普通電扇改裝為具有多功能的電扇，很適宜無線電愛好者制作與改裝。這種新型IC的主要特點是：（1）集開關(guān)、定時、調(diào)速、模擬自然風(fēng)為一體，外面圍元件少、電路簡單、易于制作；（2）省掉了體積較大的機(jī)械定時器和調(diào)速器，采用輕觸式開關(guān)和電腦控制脈沖觸發(fā)，因而無機(jī)械磨損，使用壽命長。（3）各種動作電腦程序具備相應(yīng)的發(fā)光管指示，耗電量少，體積小，重量輕，顯示直觀，便于操作；（4）適合開發(fā)或改造成多路家電的定時控制等。RY901采用雙列直插式16腳塑封結(jié)構(gòu)，為低功耗CMOS集成電路。其外形、引出腳排列及各腳功能如圖1所示。在剛接通電源時，電腦控制器暫處于復(fù)位（靜止）狀態(tài)，面板上所有發(fā)光二極管VD1－VD8均不亮，電風(fēng)扇不轉(zhuǎn)。用以控制它的導(dǎo)通與截止，再經(jīng)電抗器L進(jìn)行阻抗變換，即可按強(qiáng)風(fēng)、中風(fēng)、弱風(fēng)、強(qiáng)風(fēng)……的順序來改變其工作狀態(tài)，并且風(fēng)速指示管VD1－VD3。廣東三相可控硅調(diào)壓模塊廠家淄博正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營管理體系，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。

晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時反對應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時，其陽極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門極觸發(fā)電壓VGT門極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門極觸發(fā)電流IGT門極觸發(fā)電流IGT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門極直流電流。(九)晶閘管門極反向電壓門極反向電壓是指晶閘管門極上所加的額定電壓，一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的小電流。當(dāng)正向電流小于IH時，導(dǎo)通的晶閘管會自動關(guān)斷。(十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR。

就組成了一個簡單實用的大功率無級調(diào)速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角，增大R2的阻值到一定程度，便可使兩個主可控硅阻斷，因此R2還可起開關(guān)的作用。該電路的另一個特點是兩只主可控硅交替導(dǎo)通，一個的正向壓降就是另一個的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時超過阻斷電壓時，SCR1、SCR2會誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路，其原理這里從略。SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊（110A／1000V），SCR3選用BTl36，即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負(fù)載，應(yīng)增加R4，C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過壓保護(hù)，防止負(fù)載斷開和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅。可控硅調(diào)壓器電路圖（五）一種吸塵器使用可控硅元件構(gòu)成調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖（六）這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源可控硅調(diào)壓器電路圖（七）一種大功率直流電機(jī)調(diào)速電路可控硅調(diào)壓器電路圖（八）使用一個負(fù)溫度系數(shù)（NTC）的熱敏電阻。淄博正高電氣累積點滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì)！

可控硅保護(hù)電路如何設(shè)計可控硅的保護(hù)電路，大致可以分為兩種情況：一種是在適當(dāng)?shù)牡胤桨惭b保護(hù)器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護(hù)電路，檢測設(shè)備的輸出電壓或輸入電流，當(dāng)輸出電壓或輸入電流超過允許值時，借助整流觸發(fā)控制系統(tǒng)使整流橋短時內(nèi)工作于有源逆變工作狀態(tài)，從而過電壓或過電流的數(shù)值。1.過流保護(hù)可控硅設(shè)備產(chǎn)生過電流的原因可以分為兩類:一類是由于整流電路內(nèi)部原因,如整流可控硅損壞,觸發(fā)電路或控制系統(tǒng)有故障等;其中整流橋可控硅損壞類較為嚴(yán)重,一般是由于可控硅因過電壓而擊穿,造成無正、反向阻斷能力，它相當(dāng)于整流橋臂發(fā)生長久性短路，使在另外兩橋臂可控硅導(dǎo)通時，無法正常換流，因而產(chǎn)生線間短路引起過電流.另一類則是整流橋負(fù)載外電路發(fā)生短路而引起的過電流，這類情況時有發(fā)生，因為整流橋的負(fù)載實質(zhì)是逆變橋,逆變電路換流失敗，就相當(dāng)于整流橋負(fù)載短路。另外，如整流變壓器中心點接地，當(dāng)逆變負(fù)載回路接觸大地時，也會發(fā)生整流橋相對地短路。2.可控硅的過壓保護(hù)可控硅設(shè)備在運(yùn)行過程中，會受到由交流供電電網(wǎng)進(jìn)入的操作過電壓和雷擊過電壓的侵襲。淄博正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。內(nèi)蒙古雙向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

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設(shè)備自身運(yùn)行中以及非正常運(yùn)行中也有過電壓出現(xiàn)。過電壓保護(hù)的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護(hù)的第二種方法是采用電子電路進(jìn)行保護(hù)。3.電流上升率、電壓上升率的保護(hù)（1）電流上升率di/dt的可控硅初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域，局部電流密度很大，然后以μs的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個陰極面，若可控硅開通時電流上升率di/dt過大，會導(dǎo)致PN結(jié)擊穿，必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽極回路串聯(lián)入電感。如下圖:（2）.電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大，由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發(fā)電流的作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴(yán)重時引起晶閘管誤導(dǎo)通。為dv/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯(lián)R-C阻容吸收回路。如下圖：4.為什么要在可控硅兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)在實際可控硅電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。可控硅有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在額定結(jié)溫和門極斷路條件下。內(nèi)蒙古雙向可控硅調(diào)壓模塊結(jié)構(gòu)

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