湖南低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工

降壓非隔離電源芯片220V轉(zhuǎn)5V，KP320X集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)(UVLO)、逐周期電流限制(OCP)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)、FB異常保護(hù)、過(guò)載保護(hù)(OLP)和過(guò)熱保護(hù)等(OTP)。主要特點(diǎn)?固定5V輸出?集成650V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?待機(jī)功耗低于100mW?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?FB異常保護(hù)?異常過(guò)流保護(hù)(AOCP)?過(guò)熱保護(hù)(OTP)?封裝類(lèi)型SOP-8通過(guò)芯片內(nèi)部數(shù)字計(jì)數(shù)器對(duì)振蕩周 期的計(jì)數(shù)，當(dāng)振蕩周期數(shù)超過(guò)200 次時(shí)芯片退出保 護(hù)模式并重新開(kāi)始工作。湖南低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工

BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡(jiǎn)單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過(guò)于劇烈。為避免電感峰值電流過(guò)大對(duì)系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有異常過(guò)流檢測(cè)模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時(shí)，內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個(gè)周期。芯片內(nèi)部集成的過(guò)熱保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)芯片的芯片結(jié)溫，當(dāng)芯片結(jié)溫超過(guò)155度(典型值)時(shí)系統(tǒng)進(jìn)入到自動(dòng)重啟模式。四川AC高壓降3.3V藍(lán)牙WIFI供電非隔離BUCK電源芯片型號(hào)我們提供可靠質(zhì)量的非隔離BUCK電源降壓芯片。

主要特點(diǎn)?固定12V輸出?集成650V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?VDD過(guò)壓、欠壓和電壓箝位保護(hù)?封裝類(lèi)型SOP-8/DIP-7典型應(yīng)用?小家電電源?工業(yè)控制同時(shí)芯片采用了多模式 PWM 控制技術(shù)，有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。

另外為了優(yōu)化芯片的 EMI 性能和保證芯片的可靠穩(wěn)定運(yùn)行，在使用陶瓷電容作為輸入電容 CIN 外，推薦另外再添加一個(gè) 0.1μF 的陶瓷電容(0603/0402 封裝) 盡可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引腳旁。需要注意的是，雖然陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻性能和穩(wěn)定的使用壽命，但是在某些輸入電壓熱插拔的使用場(chǎng)景下，實(shí)際VIN 引腳上的電壓可能會(huì)由于陶瓷電容的低ESR 特性出現(xiàn)振蕩，**惡劣時(shí)甚至?xí)袷幍? 倍的 VIN 電壓，從而過(guò)壓擊穿芯片。此時(shí)，推薦在輸入電壓端額外并聯(lián)加入一顆具有較大ESR 的電解電容或者在輸入電壓端添加一顆TVS 二極管以限制輸入過(guò)壓的情況。PWM控制電路、**的過(guò)零檢測(cè)電 路以及各種保護(hù)電路，用以實(shí)現(xiàn)臨界導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)控制。

在輕載條件下，系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實(shí)際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗，隨著負(fù)載的降低會(huì)自動(dòng)降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機(jī)的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能，當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過(guò)流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過(guò)程。當(dāng)過(guò)流或短路情況發(fā)生時(shí)，輸出電壓和VDD將降低，如果在128ms(典型值)的時(shí)間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開(kāi)通，則芯片識(shí)別此情況為過(guò)流或短路故障已發(fā)生，并停止開(kāi)關(guān)動(dòng)作之后進(jìn)入自動(dòng)重啟模式(如下描述)。逐周期峰值電流限制和前沿消隱。湖北交流高壓220V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片加工

該系列產(chǎn)品支持離線式非隔 離降壓和升降壓型拓?fù)潆娐?，適用于小家電電源和 線性電源替代等場(chǎng)所。湖南低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測(cè)電路，該電路通過(guò)Drain端對(duì)地內(nèi)置的分壓電阻檢測(cè)AC信號(hào)。當(dāng)芯片檢測(cè)到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內(nèi)部功率MOSFET隨即打開(kāi)對(duì)VDD電容進(jìn)行充電。由于芯片Drain端對(duì)地存在寄生電容，導(dǎo)致Drain端電壓可能過(guò)高，芯片將一直無(wú)法進(jìn)入充電窗口。針對(duì)該問(wèn)題，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了主動(dòng)式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開(kāi)內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達(dá)到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過(guò)對(duì)芯片Drain端寄生電容的主動(dòng)式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對(duì)VDD進(jìn)行充電。此外，當(dāng)各種保護(hù)（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時(shí)，主動(dòng)式泄放電路也將打開(kāi)，對(duì)VDD電容進(jìn)行充電，同時(shí)對(duì)Drain端寄生電容進(jìn)行放電，以此確保后續(xù)保護(hù)邏輯的順利展開(kāi)和自恢復(fù)重啟的順利進(jìn)行。湖南低功耗18V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片加工

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