北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

EN 引腳有一個(gè)內(nèi)部上拉電流源，從而允許用戶保持EN 引腳懸空來(lái)使能芯片。另外根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要，EN 引腳可以接在外部邏輯控制接口上以實(shí)現(xiàn)芯片的使能控制。EN 引腳內(nèi)部集成了一個(gè)5V 的穩(wěn)壓二極管(典型的擊穿電壓為6.9V) 以保護(hù)內(nèi)部電路受到過(guò)壓風(fēng)險(xiǎn)。在將EN 引腳外接到高于6V的電壓比如VIN 電壓時(shí)，串聯(lián)加入上拉電阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引腳的輸入電流，防止損壞齊納二極管。芯片內(nèi)部集成了紋波注入電路來(lái)模擬輸出電壓紋波從而實(shí)現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外，內(nèi)部還集成了一個(gè)斜坡信號(hào)產(chǎn)生電路，以減少開(kāi)關(guān)抖動(dòng)。。內(nèi)置開(kāi)關(guān)頻率限制 （16kHz-125kHz），可以有效抑制音頻噪聲和降 低開(kāi)關(guān)損耗。北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

給藍(lán)牙模塊供電，220V降壓3.3V，輸出可調(diào)，電路簡(jiǎn)單。芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP35062集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)載保護(hù)等。主要特點(diǎn)?集成500V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路?集成續(xù)流二極管?多模式控制、無(wú)異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開(kāi)關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過(guò)載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)?過(guò)溫保護(hù)(OTP)?封裝類型SOP-8上海低功耗60V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨；當(dāng)工作 于空載附近時(shí)，系統(tǒng)將重新進(jìn)入調(diào)頻模式以降低待 機(jī)損耗。

18V降壓DCDC芯片，低待機(jī)。KP52220XA 是一顆用于各種中壓輸入電壓軌(4.5V-17V) 應(yīng)用的2A 直流同步降壓轉(zhuǎn)換器，尤其適用于12V 的輸入電壓軌。該轉(zhuǎn)換器采用恒定導(dǎo)通時(shí)間(COT) 控制策略，實(shí)現(xiàn)了超快的瞬態(tài)響應(yīng)，同時(shí)無(wú)需外部環(huán)路補(bǔ)償，有助于節(jié)省輸出電容和減少解決方案的整體尺寸。另外KP52220XA 的內(nèi)部導(dǎo)通時(shí)間定時(shí)器與輸入電壓成反比，與輸出電壓成正比，實(shí)現(xiàn)了在不同的工作條件下固定的工作頻率。該產(chǎn)品還額外集成了輸出電壓誤差放大器，可以消除COT 控制策略形成的半個(gè)紋波的直流輸出電壓失調(diào)，從而達(dá)到更高的輸出電壓精度和負(fù)載調(diào)整率。在輕載條件下，KP522201A 工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM) 中，通過(guò)降低開(kāi)關(guān)頻率來(lái)保持高輕載輸出效率；而KP522208A 工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM) 中，通過(guò)保持開(kāi)關(guān)頻率的恒定以保持低輸出電壓紋波。

固定5V輸出、高性能低成本離線式PWM控制功率KP320X是一款系列化的高性能低成本PWM控制功率開(kāi)關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合，外圍電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP320X內(nèi)部無(wú)固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET，系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測(cè)閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。該芯片通過(guò)智能控制交流能 量輸入以減小系統(tǒng)損耗，提高系統(tǒng)效率，同時(shí)有效 降低系統(tǒng)待機(jī)。

BUCK降壓芯片，小封裝輸出5V100mA，低功耗、高效率、線路簡(jiǎn)單，在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過(guò)于劇烈。為避免電感峰值電流過(guò)大對(duì)系統(tǒng)元器件造成損壞，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有異常過(guò)流檢測(cè)模塊(AOCP，典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時(shí)，內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個(gè)周期。芯片內(nèi)部集成的過(guò)熱保護(hù)電路會(huì)檢測(cè)芯片的芯片結(jié)溫，當(dāng)芯片結(jié)溫超過(guò)155度(典型值)時(shí)系統(tǒng)進(jìn)入到自動(dòng)重啟模式。在某些情況下(如重載或者輸出短路等)，系統(tǒng)的電 感電流峰值將上升過(guò)于劇烈。中國(guó)臺(tái)灣大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片加工

AC交流輸入，輸出12V/500mA電流的低成本BUCK降壓芯片。北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

輸出電容選擇：對(duì)于常規(guī)的5V-100mA規(guī)格，輸出電容根據(jù)實(shí)際紋波電壓需求選擇100uF-220uF即可。假負(fù)載選擇：需在空載輸出電壓和待機(jī)損耗上折中：即過(guò)大的假負(fù)載可以壓制空載輸出上飄電壓，但系統(tǒng)待機(jī)損耗也隨之加大；而過(guò)小的假負(fù)載則反之。一般而言，芯片系統(tǒng)推薦假負(fù)載阻值范圍在1-2k范圍內(nèi)(隨輸出電壓調(diào)整)，假負(fù)載損耗控制在10-15mW左右即可。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動(dòng)功能，當(dāng)芯片***次啟動(dòng)時(shí)過(guò)流保護(hù)閾值逐漸增加，而且每次系統(tǒng)的重新啟動(dòng)都會(huì)伴隨著一次軟啟動(dòng)過(guò)程。北京大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠

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