四川非隔離BUCK電源芯片代理

來源: 發(fā)布時間:2023-05-05

BUCK降壓芯片,小封裝輸出5V100mA,低功耗、高效率、線路簡單,在某些情況下(如重載或者輸出短路等),系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對系統(tǒng)元器件造成損壞,芯片內(nèi)部設(shè)計有異常過流檢測模塊(AOCP,典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時,內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個周期。芯片內(nèi)部集成的過熱保護電路會檢測芯片的芯片結(jié)溫,當(dāng)芯片結(jié)溫超過155度(典型值)時系統(tǒng)進入到自動重啟模式。可調(diào)輸出電壓,比較高輸出電流限制的特 點,適用于非隔離型AC-DC。四川非隔離BUCK電源芯片代理

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220V轉(zhuǎn)5V電源芯片高壓BUCK電路,給MCU提供穩(wěn)定的5V電壓。高性能、低成本離線式PWM功率開關(guān)KP311A是一款非隔離型、高集成度且低成本的PWM功率開關(guān),適用于降壓型和升降壓型電路。KP311A采用高壓單晶圓工藝,在同一片晶圓上集成有500V高壓MOSFET和采用開關(guān)式峰值電流模式控制的控制器。在全電壓輸入的范圍內(nèi)可以保證高精度的5V默認輸出。在芯片內(nèi)部,芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為32μs且?guī)в卸额l功能,在保證輸出功率的條件下優(yōu)化了EMI效果。同時,芯片設(shè)計有輕重載模式,可輕松獲得低于50mW的待機功耗。上海低功耗150V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片樣品良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率,集成軟啟動電路。

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在輕載條件下,系統(tǒng)工作在斷續(xù)模式下。故實際輸入功率取決于電感電流峰值大小。為了降低系統(tǒng)損耗,隨著負載的降低會自動降低峰值電流基準(zhǔn)以滿足**待機的要求。內(nèi)集成有4ms(典型值)周期的軟啟動功能,當(dāng)芯片***次啟動時過流保護閾值逐漸增加,而且每次系統(tǒng)的重新啟動都會伴隨著一次軟啟動過程。當(dāng)過流或短路情況發(fā)生時,輸出電壓和VDD將降低,如果在128ms(典型值)的時間內(nèi)每次振蕩器的周期里高壓MOSFET都被開通,則芯片識別此情況為過流或短路故障已發(fā)生,并停止開關(guān)動作之后進入自動重啟模式(如下描述)。

KP52220XA采用內(nèi)置電壓誤差積分器的恒定導(dǎo)通時間控制(COT)策略。COT控制利用輸出電壓谷底紋波基于比較器和導(dǎo)通時間定時器實現(xiàn)輸出電壓調(diào)控的目的。在每個周期的開始,每當(dāng)反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓時,芯片內(nèi)置高側(cè)MOSFET(HSF)被打開,并且持續(xù)開通固定的導(dǎo)通時間后關(guān)閉,此開通時間由導(dǎo)通時間定時器確定。該導(dǎo)通時間定時器由輸出電壓和輸入電壓共同決定,以使開關(guān)頻率在全輸入電壓范圍內(nèi)保持接近恒定。當(dāng)導(dǎo)通時間定時器定時完畢后,HSF將會保持關(guān)閉至少200ns(**小關(guān)斷時間)。**小關(guān)斷時間后,如果反饋引腳FB上的電壓低于內(nèi)部參考電壓,則HSF將再次打開一個固定導(dǎo)通時間。為了避免開通瞬間的 干擾, 芯片內(nèi)設(shè)計有前沿消隱電路( 典型值 300ns)。

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如果輸出電容在芯片啟動時已經(jīng)處于預(yù)偏置電壓狀態(tài),芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動開關(guān),VOUT 開始上升。該預(yù)偏置軟啟動方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(UVP) 功能,通過不斷監(jiān)測反饋電壓VFB 防止芯片輸出過載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%),欠壓比較器的輸出將會置高,以關(guān)閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開關(guān)管,阻止芯片繼續(xù)開關(guān)工作。AC 同步檢測及主動泄放電路。中國香港低功耗100V降壓DCDC非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

芯片供電管腳,同時作為輸出電壓反饋端 (FB 懸空時)。典型應(yīng)用 中 VDD 電容推薦采用 1uF 陶瓷電容。四川非隔離BUCK電源芯片代理

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測電路,該電路通過Drain端對地內(nèi)置的分壓電阻檢測AC信號。當(dāng)芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后,內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容,導(dǎo)致Drain端電壓可能過高,芯片將一直無法進入充電窗口。針對該問題,芯片內(nèi)部設(shè)計了主動式泄放電路:該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道,并在VDD電壓達到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動式泄放控制,確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進行充電。此外,當(dāng)各種保護(UVP,OLPorOTP)發(fā)生時,主動式泄放電路也將打開,對VDD電容進行充電,同時對Drain端寄生電容進行放電,以此確保后續(xù)保護邏輯的順利展開和自恢復(fù)重啟的順利進行。四川非隔離BUCK電源芯片代理

互勤(深圳)科技有限公司是以提供電源芯片,MOS管,MCU方案,必易芯片為主的私營合伙企業(yè),互勤科技是我國電子元器件技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻者。公司承擔(dān)并建設(shè)完成電子元器件多項重點項目,取得了明顯的社會和經(jīng)濟效益。多年來,已經(jīng)為我國電子元器件行業(yè)生產(chǎn)、經(jīng)濟等的發(fā)展做出了重要貢獻。