大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片價格

來源: 發(fā)布時間:2023-04-04

集成了輸出過壓保護(OVP) 功能,以減小輸出電壓過沖,并保護下游用電設備免受在輸出故障條件或者突減負載時可能出現(xiàn)的高壓尖峰的損壞。OVP 電路通過監(jiān)測反饋電壓(VFB) 檢測過壓條件。當VFB 超過 OVP 閾值 (VOVP) 時,OVP 比較器輸出置高,內(nèi)置高側(cè)和低側(cè)MOSFET 都將關閉,以避免VOUT 進一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP,芯片開始再次工作。輸出過壓保護功能為非鎖存功能。IC內(nèi)部集成了紋波注入電路來模擬輸出電壓紋波從而實現(xiàn)了在低ESR 的陶瓷輸出電容(MLCC) 的低輸出紋波條件下的穩(wěn)定工作。另外,內(nèi)部還集成了一個斜坡信號產(chǎn)生電路,以減少開關抖動。內(nèi)部功率MOSFET 漏極,當輸入電壓下降至充電窗口區(qū)間 時向后級提供能量。大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片價格

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在輕載條件下工作在強制脈寬調(diào)制模式(FPWM),以保持開關頻率的恒定和維持低的輸出電壓紋波。當HSF 處于關斷狀態(tài)時,LSF 將在 10ns 后的死區(qū)時間后被強制打開,直到在下一個周期HSF 打開前關閉。這種工作模式不檢測電感電流過零點,允許電感電流通過LSF 的漏-源極從輸出電容流到開關節(jié)點,稱為反向電流。在這種情況下,開關頻率在整個負載電流范圍內(nèi)幾乎保持恒定,實現(xiàn)低輕載輸出電壓波紋。低功耗DCDC降壓轉(zhuǎn)換器,低紋波,高效率,電路簡潔。北京AC高壓220V降48V非隔離BUCK電源芯片該芯片通過智能控制交流能 量輸入以減小系統(tǒng)損耗,提高系統(tǒng)效率,同時有效 降低系統(tǒng)待機。

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芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測電路,該電路通過Drain端對地內(nèi)置的分壓電阻檢測AC信號。當芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后,內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容,導致Drain端電壓可能過高,芯片將一直無法進入充電窗口。針對該問題,芯片內(nèi)部設計了主動式泄放電路:該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道,并在VDD電壓達到VDD_OVP以后關閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動式泄放控制,確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進行充電。此外,當各種保護(UVP,OLPorOTP)發(fā)生時,主動式泄放電路也將打開,對VDD電容進行充電,同時對Drain端寄生電容進行放電,以此確保后續(xù)保護邏輯的順利展開和自恢復重啟的順利進行。

18V低功耗DCDC降壓芯片,主要特點?寬輸入電壓范圍:4.5Vto17V?輸出電壓范圍:0.768Vto7V?支持2A持續(xù)輸出電流?電感電流連續(xù)模式下600kHz的開關頻率?內(nèi)部集成低導通電阻的MOSFET開關管?低靜態(tài)工作電流:190μA(無開關動作,典型值)?低關斷電流:2.5μA(典型值)?采用恒定導通時間控制實現(xiàn)超快速的動態(tài)響應?兩種輕載工作模式:?KP522201A:脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)?KP522208A:強制脈寬調(diào)制模式(FPWM)?高參考電壓精度:0.768V±1.5%@25℃?集成完善的保護功能:?精確的使能控制和可調(diào)欠壓鎖定功能?內(nèi)部1ms軟啟動時間,避免過沖電壓和電流?逐周期谷底限流保護(OCL)?非閉鎖的輸入欠壓保護(UVLO)、輸出欠壓保護(UVP)、輸出過壓保護(OVP)和過溫保護(OTP)?緊湊的解決方案尺寸:?支持使用MLCC陶瓷電容,且支持低輸出電容數(shù)量?無需外部補償?小封裝類型:SOT23-6芯片供電管腳,同時作為輸出電壓反饋端 (FB 懸空時)。典型應用 中 VDD 電容推薦采用 1uF 陶瓷電容。

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芯片內(nèi)部**小Toff時間固定為32us,同時為了優(yōu)化系統(tǒng)EMI系統(tǒng)還帶有±5%范圍的抖頻功能。在實際工作中,系統(tǒng)開關頻率取決于負載狀態(tài)以及VDD電壓與輸出電壓基準的高低,所以系統(tǒng)工作在調(diào)頻模式中。芯片內(nèi)部差分采樣電路采樣流經(jīng)高壓MOS電流的壓差作為內(nèi)部過流比較器的輸入。當過流比較器翻轉(zhuǎn)時高壓MOSFET關斷直至下一個周期重新開通。為了避免開通瞬間的干擾,芯片內(nèi)設計有前沿消隱電路(典型值400ns),在此時間內(nèi)過流比較器不翻轉(zhuǎn)且高壓MOSFET不允許關斷。高壓啟動電路和**待機功耗 (<50mW)。江蘇AC高壓220V降30V非隔離BUCK電源芯片型號

芯片工作在準諧振工作模式下,可有 效降低開關損耗,提高系統(tǒng)效率。大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片價格

我們芯片采用高壓集成工藝,內(nèi)部集成有500V高壓MOSFET,適用于小家電和輔助電源應用場合所需的離線式降壓電路和升降壓電路,也可用于線性電源的替代型電源。芯片采用開關式峰值電流模式控制,默認5V高精度輸出時很大程度降低了系統(tǒng)成本。此外,芯片經(jīng)過內(nèi)部優(yōu)化,可兼容**壓輸入(15Vdc以上)應用。IC芯片的靜態(tài)工作電流典型值為150uA。如此低的工作電流降低了對于VDD電容大小的要求,同時也可以幫助系統(tǒng)降低成本。通常條件下建議使用0.1-1uF瓷片電容。大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片價格

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