江蘇交流高壓220V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

芯片內(nèi)部集成有AC同步檢測電路，該電路通過Drain端對地內(nèi)置的分壓電阻檢測AC信號(hào)。當(dāng)芯片檢測到Drain端電壓低于VAC_sync_OFF以后，內(nèi)部功率MOSFET隨即打開對VDD電容進(jìn)行充電。由于芯片Drain端對地存在寄生電容，導(dǎo)致Drain端電壓可能過高，芯片將一直無法進(jìn)入充電窗口。針對該問題，芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了主動(dòng)式泄放電路：該泄放電路在VDD電壓低于VDD_OVP_hys后打開內(nèi)部Drain-VDD的高壓電流源泄放通道，并在VDD電壓達(dá)到VDD_OVP以后關(guān)閉該泄放通道。通過對芯片Drain端寄生電容的主動(dòng)式泄放控制，確保了足夠的輸入能量可以在充電窗口期間對VDD進(jìn)行充電。此外，當(dāng)各種保護(hù)（UVP,OLPorOTP）發(fā)生時(shí)，主動(dòng)式泄放電路也將打開，對VDD電容進(jìn)行充電，同時(shí)對Drain端寄生電容進(jìn)行放電，以此確保后續(xù)保護(hù)邏輯的順利展開和自恢復(fù)重啟的順利進(jìn)行。；當(dāng)工作 于空載附近時(shí)，系統(tǒng)將重新進(jìn)入調(diào)頻模式以降低待 機(jī)損耗。江蘇交流高壓220V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

芯片引腳內(nèi)部有一個(gè)上拉電流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引腳外部懸空時(shí)處于使能狀態(tài)。同時(shí)，上拉電流源同樣也可被用于設(shè)置外部VIN UVLO 功能的電壓閾值和遲滯。引腳EN 引腳電壓 VEN 由 VIN 分壓得到，當(dāng)VEN 隨著 VIN 上升而大于VEN(R) 時(shí)，額外的一個(gè)上拉遲滯電流源(IEN(H)) 會(huì)被打開從而改變VEN 的電壓比，實(shí)現(xiàn)上升和下降閾值分別自定義配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以計(jì)算得到指定VIN UVLO 閾值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置，其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 為自定義配置的輸入啟動(dòng)電壓和關(guān)閉電壓值。江蘇交流高壓220V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓 MOSFET 可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。

PCB設(shè)計(jì)對芯片的穩(wěn)定可靠工作至關(guān)重要，請遵循以下指南設(shè)計(jì)以獲得比較好的電路工作性能：1.輸入陶瓷電容盡可能靠近VIN和GND引腳放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走線應(yīng)該盡可能短和寬以減小回路壓降，提高轉(zhuǎn)換效率。3.SW節(jié)點(diǎn)的電壓波形為高頻方波，適當(dāng)減小SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以改善EMI性能，另一方面適當(dāng)增大SW節(jié)點(diǎn)的鋪銅可以優(yōu)化散熱性能，可根據(jù)實(shí)際情況適當(dāng)折衷考慮。4.FB引腳的走線盡可能遠(yuǎn)離噪聲源，比如SW節(jié)點(diǎn)和BST節(jié)點(diǎn)。5.輸出電壓VOUT的采樣點(diǎn)靠近輸出電容末端放置，且分壓采樣電阻靠近FB引腳放置。6.VIN和GND的走線和鋪銅盡可能寬以幫助散熱。在多層板的PCB設(shè)計(jì)中，推薦為GND引腳設(shè)置一個(gè)完整的GND層，并在GND層和芯片層間增加足夠多的過孔。

在輕載工作條件下自動(dòng)進(jìn)入脈沖頻率調(diào)制模式(PFM)，以保持輕載高效率。當(dāng)負(fù)載電流逐漸減小時(shí)，電感電流紋波的波谷逐漸下降，直至電感電流波谷為0A，此時(shí)即為電感電流連續(xù)導(dǎo)通模式和不連續(xù)導(dǎo)通模式的臨界——電感電流臨界導(dǎo)通模式。繼續(xù)降低負(fù)載電流，當(dāng)檢測到電感電流過零時(shí)，將會(huì)關(guān)閉低側(cè)MOSFET (LSF)，從而電感電流保持為零。在這種情況下，輸出電容只被負(fù)載電流放電，輸出電壓下降速度變慢，從而開關(guān)頻率將會(huì)降低。由于開關(guān)頻率的降低，輕載時(shí)的開關(guān)損耗也將降低，從而提高了系統(tǒng)的輕載效率。。內(nèi)置開關(guān)頻率限制 （16kHz-125kHz），可以有效抑制音頻噪聲和降 低開關(guān)損耗。

高性能、低成本離線式PWM控制功率開關(guān)KP3112是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合，外圍電路簡單、器件個(gè)數(shù)少。同時(shí)產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同，KP3112內(nèi)部無固定時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)MOSFET，系統(tǒng)開關(guān)頻率隨負(fù)載變化可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)節(jié)。同時(shí)芯片采用了多模式PWM控制技術(shù)，有效簡化了外圍電路設(shè)計(jì)，提升線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率并消除系統(tǒng)工作中的可聞噪音。此外，芯片內(nèi)部峰值電流檢測閾值可跟隨實(shí)際負(fù)載情況自動(dòng)調(diào)節(jié)，可以有效降低空載情況下的待機(jī)功耗。KP3112集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能：VDD欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過載保護(hù)等。主要特點(diǎn)?集成700V高壓MOSFET和高壓啟動(dòng)電路?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?支持**壓輸入(>20V)?空載功耗低于100mW?支持比較高30kHz開關(guān)頻率?良好的線性調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率?集成軟啟動(dòng)電路?內(nèi)部保護(hù)功能：?過載保護(hù)(OLP)?逐周期電流限制(OCP)?輸出過壓保護(hù)(OVP)?過溫保護(hù)(OTP)?封裝類型SOT23-5在此過程中高壓MOSFET 不 允許導(dǎo)通，同時(shí)VDD 電容上電壓持續(xù)在6.2V 和 7V 之間振蕩。四川交流高壓220V轉(zhuǎn)3.3V供電WIFI非隔離BUCK電源芯片資料

集成式線電壓和輸出電壓補(bǔ)償優(yōu)化調(diào)整率。江蘇交流高壓220V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

電子元器件幾乎覆蓋了我們生活的各個(gè)方面，包括電力、機(jī)械、交通、化工等傳統(tǒng)工業(yè)，也涵蓋航天、激光、通信、機(jī)器人、新能源等新興產(chǎn)業(yè)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前，我國電子元器件銷售產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值已占電子信息行業(yè)的五分之一，是我國電子信息行業(yè)發(fā)展的根本。中國電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長古群表示 5G 時(shí)代下電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片產(chǎn)業(yè)面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。認(rèn)為，在當(dāng)前不穩(wěn)定的國際貿(mào)易關(guān)系局勢下，通過 2018—2019 年中國電子元件行業(yè)發(fā)展情況可以看到，被美國加征關(guān)稅的電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片產(chǎn)品的出口額占電子元件出口總額的比重只有 10％?；仡欉^去一年國內(nèi)電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片產(chǎn)業(yè)運(yùn)行情況，上半年市場低迷、部分外資企業(yè)產(chǎn)線轉(zhuǎn)移、中小企業(yè)經(jīng)營困難，開工不足等都是顯而易見的消極影響。但隨著電源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片產(chǎn)業(yè)受到相關(guān)部門高度重視、下游企業(yè)與元器件產(chǎn)業(yè)的黏性增強(qiáng)、下游 5G 在產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景明朗等利好因素的驅(qū)使下，我國電子元器件行業(yè)下半年形勢逐漸好轉(zhuǎn)。利用物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能等技術(shù)推動(dòng)銷售產(chǎn)品智能化升級(jí)。信息消費(fèi)5G先行,完善信息服務(wù)基礎(chǔ)建設(shè):信息消費(fèi)是居民、相關(guān)部門對信息產(chǎn)品和服務(wù)的使用,包含產(chǎn)品和服務(wù)兩大類,產(chǎn)品包括手機(jī)、電腦、平板、智能電視和VR/AR等。江蘇交流高壓220V轉(zhuǎn)5V供電MCU非隔離BUCK電源芯片現(xiàn)貨

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