XF5131電源管理IC上海如韻

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-26

保護(hù)芯片正常工作:保護(hù)芯片上MOS管剛開始可能處于關(guān)斷狀態(tài),磷酸鐵鋰電池接上保護(hù)芯片后,必須先觸發(fā)MOS管,P+與P-端才有輸出電壓,觸發(fā)常用方法——用一導(dǎo)線把B-與P-短接。 3、保護(hù)芯片過充保護(hù):在P+與P-上接上一高于電池電壓的電源,電源的正極接B+、電源的負(fù)極接B-,接好電源后,電池開始充電,電流方向如圖所示的I1的流向電流從電源正極出發(fā),流經(jīng)電池、D1、MOS2到電源負(fù)極,IC通過電容來取樣電池電壓的值,當(dāng)電池電壓達(dá)到4.25v時(shí),IC發(fā)出指令,使引腳CO為低電平,這時(shí)電流從電源正極出發(fā),流經(jīng)電池、D1、到達(dá)MOS2時(shí)由于MOS2的柵極與CO相連也為低電平,MOS2關(guān)斷,整個(gè)回路被關(guān)斷,電路起到保護(hù)作用。 4、保護(hù)芯片過放保護(hù):在P+與P-上接上一合適的負(fù)載后,電池開始放電其電流方向如I2,電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極,(這時(shí)MOS2被D2短路);當(dāng)電池放電到2.5v時(shí)IC采樣并發(fā)出指令,讓MOS1截止,回路斷開,電池被保護(hù)了。XC3098(磷酸鐵鋰充電芯片)。XF5131電源管理IC上海如韻

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圖3: “二芯合一”的鋰電池保護(hù)方案。 由于內(nèi)部兩個(gè)芯片實(shí)際仍來自于不同廠商,外形不能很好匹配,因此導(dǎo)致封裝形狀各異,很多情況下不能采用通用封裝。這種封裝體積比較大,又不能節(jié)省外置元件,所以這種“二芯合一”的方案實(shí)際上并省不了太多空間。在成本方面,雖然兩個(gè)封裝的成本縮減成一個(gè)封裝的成本,但由于這個(gè)封裝通常比較大,有的不是通用封裝,有的為了縮小封裝尺寸,需要用芯片疊加的封裝形式,因此與傳統(tǒng)的兩個(gè)芯片的方案相比,其成本優(yōu)勢(shì)并不明顯。 圖4是一種真正的將控制器芯片及開關(guān)管芯片集成在同一晶圓的單芯片方案。傳統(tǒng)方案原理圖1中的開關(guān)管是N型管,接在圖1中的B-與P-之間,俗稱負(fù)極保護(hù)。 圖4中的方案由于技術(shù)原因,開關(guān)管只能改為P型管,接在B+與P+之間,俗稱正極保護(hù)。用此芯片完成保護(hù)板方案后,在檢測(cè)保護(hù)板時(shí)用戶需要更換測(cè)試設(shè)備及理念。此方案雖然減少了一定的封裝成本,但芯片成本并沒有得到減少,在與量大成熟的傳統(tǒng)方案競(jìng)爭(zhēng)時(shí)也沒有真正的成本優(yōu)勢(shì)。相反其與傳統(tǒng)方案不相容的正極保護(hù)理念成了其推廣過程的巨大障礙。XC5016電源管理IC兩串兩節(jié)保護(hù)高壓降壓電源芯片用于便攜式設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、車載設(shè)備的電源變換。

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智浦芯聯(lián)創(chuàng)建于蘇州市工業(yè)園區(qū)內(nèi),企業(yè)主要從事模擬及數(shù)?;旌霞呻娐吩O(shè)計(jì),總部現(xiàn)已遷移至南京。深圳設(shè)立銷售服務(wù)支持中心,寧波、中山、廈門設(shè)立辦事處。公司具有國內(nèi)的研發(fā)實(shí)力,南京、成都均設(shè)有研發(fā)中心,并與東南大學(xué)ASIC中心成為協(xié)作單位,在國內(nèi)創(chuàng)先開發(fā)成功并量產(chǎn)了多款國家/省部級(jí)科技獎(jiǎng)勵(lì)和國家重點(diǎn)新產(chǎn)品認(rèn)定產(chǎn)品,特別在高低壓集成半導(dǎo)體技術(shù)方面,研發(fā)團(tuán)隊(duì)中有多名博士主持項(xiàng)目的開發(fā)。建立了科技創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)的規(guī)范體系,在電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)等方面積累了眾多技術(shù)。

4、保護(hù)芯片過放保護(hù):在P+與P-上接上一合適的負(fù)載后,電池開始放電其電流方向如I2,電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極,(這時(shí)MOS2被D2短路);當(dāng)電池放電到2.5 v時(shí)IC采樣并發(fā)出指令,讓MOS1截止,回路斷開,電池被保護(hù)了。 5、過流保護(hù):在P+與P-上接上一合適的負(fù)載后,電池開始放電其電流方向如I2,電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極,(這時(shí)MOS2被D2短路);當(dāng)負(fù)載突然減小,IC通過VM引腳采樣到突然增大電流而產(chǎn)生的電壓這時(shí)IC采樣并發(fā)出指令,讓MOS1截止,回路斷開,電池被保護(hù)了。 6、短路保護(hù):在P+與P-上接上空負(fù)載后,電池開始放電其電流方向如I2,電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極,(這時(shí)MOS2被D2短路); IC通過VM引腳采樣到突然增大電流而產(chǎn)生的電壓這時(shí)IC采樣并發(fā)出指令,讓MOS1截止,回路斷開,電池被保護(hù)了。線性穩(wěn)壓器使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或 FET,減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。

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XA2361系列產(chǎn)品需要四個(gè)元器就可完成底電壓的升壓,并且可使用可外擴(kuò)MOS型,使輸出電流達(dá)到更大值。SOT23-5封裝置EN使能端,可控制變換器的工作狀態(tài),可使它處于關(guān)斷省電狀態(tài),功耗降。啟動(dòng)電壓:0.8V(1mA)l元件極少l可外加N溝MOS擴(kuò)流至1A以上。l*率:87%l低紋波,低噪聲。絲印:E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100B鋰電池充放電管理 (輸入5V輸出1.5V)鋰電轉(zhuǎn)干電池充放電管理芯片。XB5153J2S電源管理IC賽芯微代理

電池充管理芯片磷酸鐵鋰。XF5131電源管理IC上海如韻

XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 電荷泵是通過時(shí)鐘信號(hào)、電容器和開關(guān)(FET或二極管)使電壓升壓或反轉(zhuǎn)的電路。 電荷泵具有以下特點(diǎn)。優(yōu)點(diǎn)由電容器、開關(guān)(二極管)構(gòu)成,節(jié)省空間無需線圈輻射噪聲小可升壓/負(fù)電壓 缺點(diǎn)不能輸出大電流由于利用電容器充放電,所以脈動(dòng)電壓大想要低價(jià)制作高電壓和負(fù)電壓時(shí),經(jīng)常使用時(shí)鐘信號(hào)(DC/DC的開關(guān)節(jié)點(diǎn)等)和二極管的二極管電荷泵。在此,介紹使用二極管電荷泵的反轉(zhuǎn)電源制作方法的原理和實(shí)例。電荷泵是通過時(shí)鐘信號(hào)、電容器和開關(guān)(FET或二極管)使電壓升壓或反轉(zhuǎn)的電路。 電荷泵具有以下特點(diǎn)。優(yōu)點(diǎn)由電容器、開關(guān)(二極管)構(gòu)成,節(jié)省空間無需線圈輻射噪聲小可升壓/負(fù)電壓 缺點(diǎn)不能輸出大電流由于利用電容器充放電,所以脈動(dòng)電壓大想要低價(jià)制作高電壓和負(fù)電壓時(shí),經(jīng)常使用時(shí)鐘信號(hào)(DC/DC的開關(guān)節(jié)點(diǎn)等)和二極管的二極管電荷泵。在此,介紹使用二極管電荷泵的反轉(zhuǎn)電源制作方法的原理和實(shí)例。XF5131電源管理IC上海如韻

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