寶安區(qū)同步整流場效應管

場效應管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內斷極，可用元件代換法進行檢測。場效應管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。寶安區(qū)同步整流場效應管

電子產品失效故障中，虛焊焊點失效占很大比重，據(jù)統(tǒng)計數(shù)字表明，在電子整機產品故障中，有將近一半是由于焊接不良引起的，幾乎超過電子元器件失效的概率，它使電子產品可靠性降低，輕則噪聲增加技術指標劣化，重則電路板無法完成設計功能，更為嚴重的是導致整個系統(tǒng)在未有任何前兆的情況下突然崩潰，造成重大的經(jīng)濟損失和信譽損失。在電子產品生產的測試環(huán)節(jié)以及售后維修環(huán)節(jié)，虛焊造成的故障讓技術人員在時間、精力上造成極大的浪費，有時為找一個虛焊點，用上一整天的時間的情況并不鮮見。在電子產品生產過程及維修過程中，即使從各方面努力，也無法杜絕虛焊現(xiàn)象，因此，虛焊一直是困擾電子行業(yè)的焦點問題。筆者長期從事電子產品裝聯(lián)、電子電路測試、電子產品優(yōu)化和電子產品系統(tǒng)維修，淺談《電子產品生產中虛焊分析及預防》，旨在減少虛焊的危害，提高電子產品質量，也是拋磚引玉，以引起大家對虛焊的注。虛焊：在電子產品裝聯(lián)過程中所產生的不良焊點之一，焊點的焊接界面上未形成良好的金屬間化合物（IMC）,它使元器件與基板間形成不可靠連接。（這里定義的虛焊指PCBA上的焊點虛焊。）產生原因：基板可焊面和電子元件可焊面被氧化或污染?；葜莸凸β蕡鲂躆OS盟科有插件封裝形式的場效應管。

MK3401是一款P溝道的增強型場效應管，其參數(shù)匹配萬代AO3401，有SOT-23和SOT-23-3L兩種封裝，盟科從2010年成立至今一直專注場效應管的研發(fā)、生產和應用。還有其他一些系列，如三極管，二極管，LDO，質量穩(wěn)定，供貨能力強。這款電壓BVDSS是大于30V，電流ID可達4.2A，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下小于65毫歐，VGS@4.5V檔位下小于80毫歐。開啟電壓VGS(th)典型值在0.7V左右。本款產品包裝為3000PCS，標準絲印為A19T，也可以支持ODM定制，盟科一直致力于做好產品和服務。公司在深圳寶安區(qū)，廠房面積有1萬平方左右，有10幾條生產線。MOS其他系列的20V30V60V100V一系列都作為公司主推產品。

場效應管電阻法測電極:根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結的反向，即都是反向電阻，可以判定是P溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向PN結，即是正向電阻，判定為N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。盟科電子支持定制化服務。

C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管）電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應管既被關斷。場效應管它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好。汕尾雙N場效應管

1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管。寶安區(qū)同步整流場效應管

場效應管非常重要的一個作用是作開關作用，作開關時候多數(shù)應用于各類電子負載控制、開關電源開關管，MOS管非常明顯的特性是開關特性好，對于NMOS來說，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況，也就是所謂的低端驅動，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。而對于PMOS來說，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況，也就是驅動。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在驅動中，通常還是使用NMOS。如下圖是某開關電源其中一部分電路圖，在這里的Q1場效應管用作PWM調制器或開關穩(wěn)壓控制器的功率開關管。寶安區(qū)同步整流場效應管

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