半導體激光器編輯鎖定半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異，不同種類產(chǎn)生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。半導體激光器件，可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結激光器和單異質結激光器在室溫時多為脈沖器件，而雙異質結激光器室溫時可實現(xiàn)連續(xù)工作。半導體二極管激光器是實用重要的一類激光器。它體積小、壽命長，并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦，其工作電壓和電流與集成電路兼容，因而可與之單片集成。并且還可以用高達GHz的頻率直接進行電流調制以獲得高速調制的激光輸出。由于這些優(yōu)點，半導體二極管激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、測距以及雷達等方面得到了的應用。江蘇半導體激光加工批發(fā)廠家。天津定制半導體激光加工歡迎選購
一種半導體激光器，該半導體激光器包括：半導體激光器芯片cos(chip-on-submount)1、快軸準直透鏡3、光束整形機構4和光纖輸入端結構7，具體結構參見圖1。如圖2所示，光束整形機構4包括：套筒41，以及設置在套筒41內的慢軸準直透鏡42、自聚焦透鏡43和限位環(huán)44。如圖2所示，光纖輸入端結構7包括：陶瓷插針71和穿設在陶瓷插針71內的光纖73；陶瓷插針71用于固定光纖73。陶瓷插針71的一端安裝于套筒41內，限位環(huán)44位于陶瓷插針71和自聚焦透鏡43中間，實現(xiàn)自聚焦透鏡43和光纖73的光學定位；限位環(huán)44的長度控制光纖73與自聚焦透鏡43間距，實現(xiàn)耦合焦距等的調整。半導體激光器芯片cos1依次通過快軸準直透鏡3、慢軸準直透鏡42、自聚焦透鏡43實現(xiàn)和光纖73前端的耦合對準，半導體激光器芯片cos1輸出光束的光軸與快軸準直透鏡3的光軸及光束整形機構4的光軸在同一條直線上，使其適用于大的發(fā)光條寬的半導體激光器芯片cos1耦合進芯徑較小的光纖73內，耦合效率高，可靠性好，操作簡單?？燧S準直透鏡3是固定于靠近半導體激光器芯片cos1前端的位置，兩者距離在微米級。在一個實施例中，如圖3所示，陶瓷插針71的一端通過膠粘方式安裝于套筒41內。天津定制半導體激光加工歡迎選購江蘇小型半導體激光加工推薦廠家。
為了方便描述本申請合簡化描述，而不是指示或者暗示所指的裝置或者元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。此外，本申請的說明書和權利要求書及上述附圖中的術語“”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當情況下可以互換，以便這里描述的本申請的實施例例如能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序實施。此外，術語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。本申請首先提出一種半導體激光器，如圖2所示，圖2是本申請半導體激光器實施例的結構示意圖。本實施例半導體激光器201至少包括：熱沉基板202、激光器模組203、第二激光器模組204及連接件205，其中，熱沉基板202包括相對設置的上表面及下表面，熱沉基板202設置有至少一個通孔(圖未標)，通孔從上表面貫穿至下表面；激光器模組203設置在熱沉基板202的上表面；第二激光器模組204設置在熱沉基板202的下表面；連接件205容置于通孔內；其中，激光器模組203與第二激光器模組204通過連接件205電連接。具體地。
根據(jù)至少一個實施方式，半導體激光器包括半導體層序列。半導體層序列包含n型傳導的n型區(qū)域。同樣地，半導體層序列具有p型傳導的p型區(qū)域。在n型區(qū)域和p型區(qū)域之間存在有源區(qū)。有源區(qū)構建用于基于電致發(fā)光產(chǎn)生激光輻射。換言之，沿著或相反于半導體層序列的生長方向，n型區(qū)域、有源區(qū)和p型區(qū)域彼此相隨，推薦直接彼此相隨。半導體層序列推薦基于iii-v族化合物半導體材料。半導體材料例如為氮化物化合物半導體材料，如alnin1-n-mgamn，或為磷化物化合物半導體材料，如alnin1-n-mgamp，或也為砷化物化合物半導體材料，如alnin1-n-mgamas，其中分別有0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半導體層序列能夠具有摻雜物以及附加的組成部分。然而，為了簡單性說明半導體層序列的晶格的主要組成部分，即al、as、ga、in、n或p，即使這些主要組成部分能夠部分地由少量的其他物質替代和/或補充時也如此。 江蘇工業(yè)半導體激光加工批量定制。
半導體激光器501與上述實施例半導體激光器301的區(qū)別在于：本實施例的連接件508連接激光器模組509的p面及第二激光器模組510的p面。具體地，激光器模組509的巴條502的上表面為半導體n面，巴條502的下表面為半導體p面，第二激光器模組510第二巴條503的上表面為半導體p面，第二巴條503的下表面為半導體n面，上電極層504及第二下電極層505與負電極引線a連接，下電極層506或第二上電極層511與正電極引線b連接。本實施例的貫穿熱沉基板507的連接件508的兩端分別連接激光器模組509的下電極層506(正電極層)與第二激光器模組510的第二上電極層511(正電極層)，以實現(xiàn)激光器模組509與第二激光器模組510的并聯(lián)設置。通過這種并聯(lián)設置，使得只需將激光器模組509的上電極層504(負電極層)與負電極引線a連接，將激光器模組509的下電極層506(正電極層)或將第二激光器模組510的第二上電極層511(正電極層)與正電極引線b連接，將第二激光器模組510的第二下電極層505(負電極層)與負電極引線a連接即可使得激光器模組509和第二激光器模組510同時工作。通過這種方式能夠實現(xiàn)激光器模組509與第二激光器模組510并聯(lián)設置，能夠減少半導體激光器501的電極引線數(shù)量。當然，在其它實施例中。江蘇智能半導體激光加工批發(fā)廠家。安徽哪里有半導體激光加工哪個好
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在半導體激光器件中，性能較好，應用較廣的是具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管激光器。半導體激光器激光器編輯半導體激光器半導體激光（Semiconductorlaser）在1962年被成功激發(fā)，在1970年實現(xiàn)室溫下連續(xù)輸出。后來經(jīng)過改良，開發(fā)出雙異質接合型激光及條紋型構造的激光二極管（Laserdiode）等，使用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器（激光筆），是目前生產(chǎn)量大的激光器。激光二極體的優(yōu)點有：效率高、體積小、重量輕且價格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也達到數(shù)15%~25%，總而言之能量效率高是其大特色。另外，它的連續(xù)輸出波長涵蓋了紅外線到可見光范圍，而光脈沖輸出達50W（脈寬100ns）等級的產(chǎn)品也已商業(yè)化，作為激光雷達或激發(fā)光源可說是非常容易使用的激光的例子。半導體激光器工作原理編輯根據(jù)固體的能帶理論，半導體材料中電子的能級形成能帶。高能量的為導帶，低能量的為價帶，兩帶被禁帶分開。引入半導體的非平衡電子-空穴對復合時，把釋放的能量以發(fā)光形式輻射出去，這就是載流子的復合發(fā)光。一般所用的半導體材料有兩大類，直接帶隙材料和間接帶隙材料，其中直接帶隙半導體材料如GaAs。天津定制半導體激光加工歡迎選購
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