成都新型電鍍銅設(shè)備供應(yīng)商

電鍍銅光刻技術(shù)是指利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將設(shè)計(jì)好的微圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到覆有感光材料的晶圓、玻璃基板、覆銅板等基材表面上的微納制造技術(shù)。光刻設(shè)備是微納制造的一種關(guān)鍵設(shè)備，在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，根據(jù)是否使用掩膜版，光刻技術(shù)主要分為直寫(xiě)光刻與掩膜光刻，其中掩膜光刻可進(jìn)一步分為接近/接觸式光刻以及投影式光刻。掩膜光刻由光源發(fā)出的光束，經(jīng)掩膜版在感光材料上成像，具體可分為接近、接觸式光刻以及投影光刻。其中，投影式光刻更加先進(jìn)，能夠在使用相同尺寸掩膜版的情況下獲得更小比例的圖像，從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的成像。直寫(xiě)光刻也稱(chēng)無(wú)掩膜光刻，是指計(jì)算機(jī)將電路設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)換為機(jī)器可識(shí)別的圖形數(shù)據(jù)，并由計(jì)算機(jī)控制光束調(diào)制器實(shí)現(xiàn)圖形的實(shí)時(shí)顯示，再通過(guò)光學(xué)成像系統(tǒng)將圖形光束聚焦成像至已涂覆感光材料的基板表面上，直接進(jìn)行掃描曝光。直寫(xiě)光刻既具有投影光刻的技術(shù)特點(diǎn)，如投影成像技術(shù)、雙臺(tái)面技術(shù)、步進(jìn)式掃描曝光等，又具有投影光刻不具備的高靈活性、低成本以及縮短工藝流程等技術(shù)特點(diǎn)。電鍍銅工序包括種子層制備環(huán)節(jié)。成都新型電鍍銅設(shè)備供應(yīng)商

銅電鍍工藝流程：種子層沉積—圖形化—電鍍—后處理，光伏電鍍銅工藝流程主要包括種子層沉積、圖形化、電鍍及后處理四大環(huán)節(jié)，目前各環(huán)節(jié)技術(shù)路線(xiàn)不一，多種組合工藝方案 并行，需要綜合性能、成本來(lái)選擇合適的工藝路線(xiàn)。釜川（無(wú)錫）智能科技有限公司，以半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備為主要產(chǎn)品，打造光伏設(shè)備一體化服務(wù)。擁有強(qiáng)大的科研團(tuán)隊(duì)，憑借技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，在清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、電鍍銅設(shè)備等方面都有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶(hù)提供整線(xiàn)工藝設(shè)備的交付服務(wù)。西安專(zhuān)業(yè)電鍍銅設(shè)備廠家電鍍銅工序包括電鍍環(huán)節(jié)。

光伏電池電鍍銅工序包括種子層制備、圖形化、電鍍?nèi)蟓h(huán)節(jié)，涌現(xiàn)多種設(shè)備方案。電鍍銅 工藝尚未定型，各環(huán)節(jié)技術(shù)方案包括（1）種子層：設(shè)備主要采用 PVD，主要技術(shù)分歧 在于是否制備種子層、制備整面/局部種子層和種子層金屬選用；（2）圖形化：感光材料 分為干膜和油墨，主要技術(shù)分歧在于曝光顯影環(huán)節(jié)選用掩膜類(lèi)光刻/LDI 激光直寫(xiě)/激光 開(kāi)槽；（3）電鍍：主要技術(shù)分歧在于水平鍍/垂直鍍/光誘導(dǎo)電鍍。釜川（無(wú)錫）智能科技有限公司，以半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備為主要產(chǎn)品，打造光伏設(shè)備一體化服務(wù)。擁有強(qiáng)大的科研團(tuán)隊(duì)，憑借技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，在清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、電鍍銅設(shè)備等方面都有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶(hù)提供整線(xiàn)工藝設(shè)備的交付服務(wù)。

電鍍銅圖形化環(huán)節(jié)主要包含掩膜、曝光、顯影幾個(gè)步驟。其中，掩膜環(huán)節(jié)是將抗刻蝕的感光材料涂覆在電池表面以遮蓋保護(hù)不需要被電鍍的區(qū)域，感光材料主要有濕膜油墨、干膜材料等。曝光、顯影環(huán)節(jié)是將圖形轉(zhuǎn)移至感光材料上，主要技術(shù)有LDI激光直寫(xiě)光刻（無(wú)需掩膜）、常規(guī)掩膜光刻技術(shù)、激光開(kāi)槽、噴墨打印等；其中無(wú)需掩膜的LDI激光直寫(xiě)光刻技術(shù)應(yīng)用潛力較大，激光開(kāi)槽在BC類(lèi)電池上已有量產(chǎn)應(yīng)用，整體看圖形化技術(shù)路線(xiàn)有望逐步明確和定型。電鍍銅為HJT的降本方式。

電鍍銅導(dǎo)電性與發(fā)電效率雙重提升金屬柵線(xiàn)電極與透明導(dǎo)電膜之間形成一個(gè)非整流的接觸——?dú)W姆接觸，歐姆接觸效果決定電池導(dǎo)電性與發(fā)電效率能否達(dá)到適合。影響歐姆接觸效果的因素有接觸面緊密結(jié)合度、柵線(xiàn)材料電阻率，電阻率越大，電池片對(duì)電子或載流子的負(fù)荷越高，電子或載流子的通過(guò)率越差。銅柵線(xiàn)導(dǎo)電性強(qiáng)于銀漿。銅的導(dǎo)電性與銀相近，但銀漿屬于混合物膠體，銅柵線(xiàn)是純銅，因此銅柵線(xiàn)的電阻率更低，銅柵線(xiàn)電阻率是1.7Ω/m，銀漿的電阻率大約為5-10Ω/m。電鍍銅取代銀漿就是把格柵的線(xiàn)路做的更細(xì)。成都異質(zhì)結(jié)電鍍銅設(shè)備廠家

圖形化是電鍍銅整個(gè)工藝路線(xiàn)中的重要環(huán)節(jié)，主要分為光刻路線(xiàn)和激光 路線(xiàn)兩種。成都新型電鍍銅設(shè)備供應(yīng)商

光伏電鍍銅優(yōu)勢(shì)在于可助力電池提效0.3-0.5%+，進(jìn)而提高組件功率。我們預(yù)計(jì)銀包銅+0BB/NBB工藝或是短期內(nèi)HJT電池量產(chǎn)化的主要降本路徑，隨著未來(lái)銀含量30%銀包銅漿料的導(dǎo)入，漿料成本有望降至約3分/W，HJT電池金屬化成本或降至5分/W左右。電鍍銅工藝有望于2023-2024年加快中試，并于2024年逐步導(dǎo)入量產(chǎn)。隨著工藝經(jīng)濟(jì)性持續(xù)優(yōu)化，電鍍銅HJT電池的金屬化成本有望降至5-6分/W左右，疊加考慮0BB/NBB對(duì)應(yīng)組件封裝/檢測(cè)成本提升，而電鍍銅可提升效率約0.5%+，電鍍銅優(yōu)勢(shì)逐漸強(qiáng)化，有望成為光伏電池?zé)o銀化的解決方案。成都新型電鍍銅設(shè)備供應(yīng)商