杭州雙面微晶異質(zhì)結(jié)CVD

異質(zhì)結(jié)電池的優(yōu)勢(shì)有，優(yōu)勢(shì)一：工藝流程短HJT電池主工藝有4道：制絨、非晶硅沉積、TCO沉積、絲網(wǎng)印刷；遠(yuǎn)少于PERC（10個(gè)）和TOPCON（12-13個(gè)）；其中，非晶硅沉積主要使用PECVD方法。TCO薄膜主要有兩種方法：RPD(反應(yīng)等離子沉積)和PVD。優(yōu)勢(shì)二：轉(zhuǎn)換效率高得益于N型硅襯底以及非晶硅對(duì)基底表面缺陷的雙重鈍化作用。目前量產(chǎn)效率普遍已在25%以上；更高的轉(zhuǎn)化效率需要在前后表面使用摻雜納米晶硅、摻雜微晶硅、摻雜微晶氧化硅、摻雜微晶碳化硅取代現(xiàn)有的摻雜。HJT效率潛力超28%，遠(yuǎn)高PERC電池。優(yōu)勢(shì)三：無(wú)LID&PID，低衰減無(wú)LID與PID：由于HJT電池襯底通常為N型單晶硅，而N型單晶硅為磷摻雜，不存在P型晶硅中的硼氧復(fù)合、硼鐵復(fù)合等，所以HJT電池對(duì)于LID效應(yīng)是免疫的。HJT電池的表面沉積有TCO薄膜，無(wú)絕緣層，因此無(wú)表面層帶電的機(jī)會(huì)，從結(jié)構(gòu)上避免PID發(fā)生。低衰減：HJT電池首年衰減1-2%，此后每年衰減0.25%，遠(yuǎn)低于PERC電池?fù)芥壠乃p情況（首年衰減2%，此后每年衰減0.45%)，因此HJT電池全生命周期每W發(fā)電量高出雙面PERC電池約1.9%-2.9%。異質(zhì)結(jié)電池主工藝之一：金屬化設(shè)備。杭州雙面微晶異質(zhì)結(jié)CVD

異質(zhì)結(jié)電池為對(duì)稱(chēng)的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。異質(zhì)結(jié)電池整線解決方案：釜川自主研發(fā)的“零界”高效異質(zhì)結(jié)電池整線制造解決方案已實(shí)現(xiàn)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化,該解決方案疊加了雙面微晶、無(wú)銀或低銀金屬化工藝，提升了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率、良率和產(chǎn)能，并降低了生產(chǎn)成本。河南高效硅異質(zhì)結(jié)濕法設(shè)備零界高效異質(zhì)結(jié)電池整線裝備，可實(shí)現(xiàn)更低的度電成本及更好的長(zhǎng)期可靠性。

異質(zhì)結(jié)HJT電池生產(chǎn)設(shè)備，制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對(duì)n型硅片進(jìn)行各項(xiàng)異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結(jié)構(gòu)（“金字塔結(jié)構(gòu)”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至12.5%以下，從而產(chǎn)生更多的光生載流子；3形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質(zhì)結(jié)界面的一部分，避免不潔凈引進(jìn)的缺陷和雜質(zhì)而帶來(lái)的結(jié)界面處載流子的復(fù)合。堿溶液濃度較低時(shí)，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱(chēng)為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結(jié)構(gòu)的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標(biāo)，一般可通過(guò)添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時(shí)間等來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)控制。

光伏異質(zhì)結(jié)的效率提高可以從以下幾個(gè)方面入手：1.提高光吸收率：通過(guò)優(yōu)化材料的能帶結(jié)構(gòu)和厚度，增加光吸收的有效路徑，提高光吸收率，從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。2.提高載流子的收集效率：通過(guò)優(yōu)化電極結(jié)構(gòu)和材料，減小電極與半導(dǎo)體之間的接觸電阻，提高載流子的收集效率，從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。3.降低復(fù)合損失：通過(guò)控制材料的缺陷密度和表面狀態(tài)，減少載流子的復(fù)合損失，從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。4.提高光電轉(zhuǎn)換效率：通過(guò)優(yōu)化材料的能帶結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)，提高光電轉(zhuǎn)換效率，從而提高光伏異質(zhì)結(jié)的效率。5.提高光伏電池的穩(wěn)定性：通過(guò)優(yōu)化材料的穩(wěn)定性和耐久性，提高光伏電池的使用壽命和穩(wěn)定性，從而提高光伏異質(zhì)結(jié)的效率。光伏異質(zhì)結(jié)與鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的結(jié)合，進(jìn)一步提高了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

異高效質(zhì)結(jié)電池HJT是HeterojunctionTechnology的縮寫(xiě)，是一種N型單晶雙面電池，具有工藝簡(jiǎn)單、發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢(shì)。異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池使用晶體硅片進(jìn)行載流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅層進(jìn)行鈍化和結(jié)的形成。頂部電極由透明導(dǎo)電氧化物（TCO）層和金屬網(wǎng)格組成。異質(zhì)結(jié)硅太陽(yáng)能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意，因?yàn)樗鼈兛梢赃_(dá)到很高的轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)26.3%，由隆基團(tuán)隊(duì)對(duì)HJT極限效率進(jìn)行更新為28.5%，同時(shí)使用低溫度加工，通常整個(gè)過(guò)程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓，同時(shí)保持高產(chǎn)量。光伏異質(zhì)結(jié)技術(shù)能夠降低電池的光衰減，提高電池的長(zhǎng)期穩(wěn)定性，延長(zhǎng)電池的使用壽命。安徽專(zhuān)業(yè)異質(zhì)結(jié)鍍膜設(shè)備

異質(zhì)結(jié)電池技術(shù)升級(jí)讓光伏行業(yè)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，設(shè)備國(guó)產(chǎn)化，成本繼續(xù)降低，使HJT技術(shù)將更具有競(jìng)爭(zhēng)力。杭州雙面微晶異質(zhì)結(jié)CVD

HJT電池所有制程的加工溫度均低于250，避免了生產(chǎn)效率低而成本高的高溫?cái)U(kuò)散制結(jié)的過(guò)程，而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學(xué)帶隙、沉積速率、吸收系數(shù)以及氫含量得到較精確的控制，也可避免因高溫導(dǎo)致的熱應(yīng)力等不良影響。HJT電池轉(zhuǎn)換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝?jiǎn)單并且降本路線清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術(shù)。HJT電池為對(duì)稱(chēng)的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。杭州雙面微晶異質(zhì)結(jié)CVD