廣東HJT異質(zhì)結(jié)設(shè)備供應(yīng)商

異高效質(zhì)結(jié)電池HJT是HeterojunctionTechnology的縮寫，是一種N型單晶雙面電池，具有工藝簡單、發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢。異質(zhì)結(jié)太陽能電池使用晶體硅片進(jìn)行載流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅層進(jìn)行鈍化和結(jié)的形成。頂部電極由透明導(dǎo)電氧化物（TCO）層和金屬網(wǎng)格組成。異質(zhì)結(jié)硅太陽能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意，因?yàn)樗鼈兛梢赃_(dá)到很高的轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)26.3%，由隆基團(tuán)隊(duì)對(duì)HJT極限效率進(jìn)行更新為28.5%，同時(shí)使用低溫度加工，通常整個(gè)過程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓，同時(shí)保持高產(chǎn)量。零界高效異質(zhì)結(jié)電池整線解決方案疊加了雙面微晶、無銀或低銀金屬化工藝。廣東HJT異質(zhì)結(jié)設(shè)備供應(yīng)商

異質(zhì)結(jié)電池工藝 1.清洗制絨。通過腐蝕去除表面損傷層，并且在表面進(jìn)行制絨，以形成絨面結(jié)構(gòu)達(dá)到陷光效果，減少反射損失；2.正面/背面非晶硅薄膜沉積。通過CVD方式在正面/背面分別沉積5~10nm的本征a-Si:H，作為鈍化層，然后再沉積摻雜層；3.正面/背面TCO沉積。通過PVD在鈍化層上面進(jìn)行TCO薄膜沉積；4.柵線電極。通過絲網(wǎng)印刷進(jìn)行柵線電極制作；5.烘烤(退火)。通過絲網(wǎng)印刷進(jìn)行正面柵線電極制作，然后通過低溫?zé)Y(jié)形成良好的接觸；6.光注入。7.電池測試及分選。河南釜川異質(zhì)結(jié)吸雜設(shè)備光伏異質(zhì)結(jié)技術(shù)的廣泛應(yīng)用能夠推動(dòng)光伏產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展，促進(jìn)科技進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)增長。

光伏異質(zhì)結(jié)是太陽能電池的主要組成部分，其應(yīng)用前景非常廣闊。隨著全球?qū)η鍧嵞茉吹男枨蟛粩嘣黾?，太陽能行業(yè)的發(fā)展前景也越來越廣闊。光伏異質(zhì)結(jié)具有高效、環(huán)保、可再生等特點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于家庭、工業(yè)、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域。在家庭領(lǐng)域，光伏異質(zhì)結(jié)可以用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)，為家庭提供清潔、穩(wěn)定的電力供應(yīng)。在工業(yè)領(lǐng)域，光伏異質(zhì)結(jié)可以用于太陽能電站，為企業(yè)提供大規(guī)模的清潔能源。在農(nóng)業(yè)領(lǐng)域，光伏異質(zhì)結(jié)可以用于太陽能灌溉系統(tǒng)，為農(nóng)民提供便捷、高效的灌溉服務(wù)。此外，光伏異質(zhì)結(jié)還可以應(yīng)用于交通、通信、航空等領(lǐng)域，為這些領(lǐng)域提供清潔、高效的能源供應(yīng)。因此，光伏異質(zhì)結(jié)在太陽能行業(yè)的應(yīng)用前景非常廣闊，具有非常大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)流程與常規(guī)晶硅工藝的區(qū)別。常規(guī)晶硅工藝：1、清洗制絨。通過腐蝕去除表面損傷層，并且在表面進(jìn)行制絨，以形成絨面結(jié)構(gòu)達(dá)到陷光效果，減少反射損失；2、擴(kuò)散制結(jié)。通過熱擴(kuò)散等方法在硅片上形成不同導(dǎo)電類型的擴(kuò)散層，以形成p-n結(jié)；3、刻蝕去邊。去除擴(kuò)散后硅片周邊的邊緣結(jié)；4、去磷硅玻璃。擴(kuò)散過程中，在硅片表面會(huì)形成一層含磷的氧化硅，稱為磷硅玻璃（PSG），需要用氫氟酸腐蝕去掉；5、鍍減反射膜。為進(jìn)行一步提高對(duì)光的吸收，在硅片表面覆蓋一層減反射膜。常用PECVD進(jìn)行SiNx薄膜沉積，同時(shí)起到鈍化的作用；6、柵線電極。在電池正面用絲網(wǎng)印刷進(jìn)行柵線電極制作，在背面印刷背場(BSF)和背電極，并且進(jìn)行干燥和燒結(jié)；7、電池測試及分選。光伏異質(zhì)結(jié)的制造過程中，非晶硅層可以作為掩膜，提高電池的抗反射性能，從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。

質(zhì)結(jié)電池TCO薄膜的方法主要有兩種：RPD（特指空心陰極離子鍍)和PVD(特指磁控濺射鍍膜)；l該工藝主要是在電池正背面上沉積一層透明導(dǎo)電膜層，通過該層薄膜實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電、減反射、保護(hù)非晶硅薄膜的作用，同時(shí)可以有效地增加載流子的收集；l目前常用于HJT電池TCO薄膜為In2O3系列，如ITO（錫摻雜In2O3，@PVD濺射法）、IWO（鎢摻雜In2O3，@RPD方法沉積）等。HJT電池具備光電轉(zhuǎn)化效率提升潛力高、更大的降成本空間。零界高效異質(zhì)結(jié)電池整線解決方案，實(shí)現(xiàn)設(shè)備國產(chǎn)化，高效高產(chǎn)PVD DD CVD。光伏異質(zhì)結(jié)電池的使用壽命長，具有長期穩(wěn)定的能源供應(yīng)能力。上海高效硅異質(zhì)結(jié)CVD

光伏異質(zhì)結(jié)電池PECVD是制備PIN層的主流設(shè)備，其結(jié)構(gòu)和工藝機(jī)理復(fù)雜，影響因素眾多，需要專業(yè)公司制備。廣東HJT異質(zhì)結(jié)設(shè)備供應(yīng)商

異質(zhì)結(jié)HJT電池生產(chǎn)設(shè)備，制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對(duì)n型硅片進(jìn)行各項(xiàng)異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結(jié)構(gòu)（“金字塔結(jié)構(gòu)”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至12.5%以下，從而產(chǎn)生更多的光生載流子；3形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質(zhì)結(jié)界面的一部分，避免不潔凈引進(jìn)的缺陷和雜質(zhì)而帶來的結(jié)界面處載流子的復(fù)合。堿溶液濃度較低時(shí)，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結(jié)構(gòu)的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標(biāo)，一般可通過添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時(shí)間等來進(jìn)行調(diào)節(jié)控制。 廣東HJT異質(zhì)結(jié)設(shè)備供應(yīng)商