浙江晶片濕法去BSG

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式，l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離。浙江晶片濕法去BSG

濕法是一種化學(xué)反應(yīng)過程，其中反應(yīng)介質(zhì)通常是液態(tài)。這些液體可以是水、有機(jī)溶劑或酸性/堿性溶液。濕法反應(yīng)通常用于制備化學(xué)品、金屬提取和其他化學(xué)反應(yīng)。在濕法反應(yīng)中，反應(yīng)介質(zhì)的選擇取決于反應(yīng)的性質(zhì)和所需的產(chǎn)物。例如，水是一種常見的反應(yīng)介質(zhì)，因?yàn)樗且环N普遍的溶劑，可以溶解許多化學(xué)物質(zhì)。水還可以用作酸堿反應(yīng)的介質(zhì)，因?yàn)樗梢宰鳛橘|(zhì)子或氫離子的來源。有機(jī)溶劑也是常見的反應(yīng)介質(zhì)，因?yàn)樗鼈兛梢匀芙庠S多有機(jī)化合物。有機(jī)溶劑還可以用于制備有機(jī)化合物，例如醇、酮和醛等。酸性/堿性溶液也是常見的反應(yīng)介質(zhì)，因?yàn)樗鼈兛梢杂糜谒釅A反應(yīng)和中和反應(yīng)。例如，硫酸可以用作酸性介質(zhì)，用于制備硫酸鹽和其他化學(xué)品。氫氧化鈉可以用作堿性介質(zhì)，用于制備氫氧化物和其他化學(xué)品?？傊?，反應(yīng)介質(zhì)的選擇取決于反應(yīng)的性質(zhì)和所需的產(chǎn)物。在濕法反應(yīng)中，反應(yīng)介質(zhì)通常是液態(tài)，可以是水、有機(jī)溶劑或酸性/堿性溶液。上海光伏電池濕法設(shè)備濕法制絨設(shè)備（Topcon工藝）工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颉?/p>

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗處理，雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級(jí)。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除，利用背面PSG保護(hù)，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺(tái)歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口；去PSG設(shè)備布局前后通透，給設(shè)備使用者提供了便捷性；上料臺(tái)搭配了大流量全新滴液泵；

電池濕法設(shè)備Topcon工藝RCA槽式清洗設(shè)備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層，去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢(shì)：閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式，l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃l引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。光伏電池濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）采用低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。

光伏濕法工藝設(shè)備是光伏電池生產(chǎn)中不可或缺的設(shè)備之一。它主要用于制備光伏電池的電極材料，包括陽(yáng)極和陰極。在光伏電池的制造過程中，陽(yáng)極和陰極的制備是非常關(guān)鍵的步驟，因?yàn)樗鼈冎苯佑绊懙焦夥姵氐男阅芎托?。光伏濕法工藝設(shè)備可以通過化學(xué)反應(yīng)的方式制備出高質(zhì)量的電極材料。它可以控制反應(yīng)的溫度、時(shí)間、濃度等參數(shù)，從而得到具有良好電化學(xué)性能的電極材料。此外，光伏濕法工藝設(shè)備還可以實(shí)現(xiàn)多種化學(xué)反應(yīng)，以滿足不同類型的光伏電池的制備需求。光伏濕法工藝設(shè)備還可以提高光伏電池的生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本。它可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，減少人工操作，提高生產(chǎn)效率。同時(shí)，它還可以減少原材料的浪費(fèi)，降低生產(chǎn)成本?？傊夥鼭穹üに囋O(shè)備在光伏電池生產(chǎn)中起著至關(guān)重要的作用。它可以制備出高質(zhì)量的電極材料，提高光伏電池的性能和效率，同時(shí)還可以提高生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本。電池濕法設(shè)備擁有多種型號(hào)，滿足不同規(guī)格硅片、各種類型電池片制造的需求，靈活性高。廣州光伏電池濕法去PSG

濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）去硅片除背面PSG和拋光處理。浙江晶片濕法去BSG

光伏濕法工藝設(shè)備的優(yōu)化設(shè)計(jì)和精確控制對(duì)于光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。首先，優(yōu)化設(shè)計(jì)可以提高設(shè)備的效率和穩(wěn)定性，降低生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量。其次，精確控制可以保證生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性和一致性，減少生產(chǎn)過程中的誤差和損失，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。此外，光伏濕法工藝設(shè)備的優(yōu)化設(shè)計(jì)和精確控制還可以提高光伏產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。因此，對(duì)于光伏濕法工藝設(shè)備的優(yōu)化設(shè)計(jì)和精確控制，應(yīng)該給予足夠的重視和投入。浙江晶片濕法去BSG