蘇州硅片濕法設備費用

來源: 發(fā)布時間:2024-01-30

專業(yè)濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進而PN結面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質,避免材料雜質析出;引進半導體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結構,有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術,保證槽內的潔凈度和溫度均勻性。電池濕法背拋清洗設備(Topcon工藝)可配套無金屬化制程設備,提高設備潔凈度。蘇州硅片濕法設備費用

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電池濕法XBC工藝制絨清洗設備,功能是硅片正面絨面產生,背面區(qū)域打開。優(yōu)勢進口PLC控制,穩(wěn)步提升設備的產能。l慢提拉采用機械臂慢提方式,設備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備,提高設備潔凈度。l工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內控溫精度誤差<±1℃。光伏電池濕法制絨設備,與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設備結構、功能、產能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理,從而提升電池的質量和效率。專業(yè)濕法設備價格光伏電池濕法制絨設備(HJT工藝)引進半導體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。

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電池濕法設備Topcon工藝,拋清洗設備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng),保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式,完整的保護正面的同時,對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風機+高效過濾器的方式,l鏈式去BSG+槽式堿拋設備,設備產能大,穩(wěn)定性好。l進口PLC控制,穩(wěn)步提升設備的產能。l慢提拉采用機械臂慢提方式,設備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備,提高設備潔凈度。l工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內控溫精度誤差<±1℃。

電池濕法設備Topcon工藝RCA槽式清洗設備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層,去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢:閉環(huán)運動控制系統(tǒng),保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式,完整的保護正面的同時,對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風機+高效過濾器的方式,l進口PLC控制,穩(wěn)步提升設備的產能。l采用機械臂慢提方式,設備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢l工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內控溫精度誤差<±1℃l引進半導體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。光伏電池濕法制絨設備(HJT工藝)采用低溫烘干技術,保證槽內的潔凈度和溫度均勻性。

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濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進而PN結面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質,避免材料雜質析出;引進半導體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結構,有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術,保證槽內的潔凈度和溫度均勻性。太陽能光伏電池濕法制絨設備(Topcon工藝)使用強堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結構。江西硅片濕法

光伏電池濕法制絨設備(HJT工藝)所有與液體接觸的材料均采用進口材質,避免材料雜質析出。蘇州硅片濕法設備費用

電池濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進而PN結面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經典的內外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質,避免材料雜質析出;引進半導體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結構,有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術,保證槽內的潔凈度和溫度均勻性。蘇州硅片濕法設備費用