安徽半導體濕法設備廠家

電池濕法設備能改善電池表面微觀結(jié)構(gòu)，提升硅片表面潔凈度，降低表面污染，從而提升電池轉(zhuǎn)化效率。濕法設備：釜川生產(chǎn)制造的濕法設備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。 HJT裝備與材料：包含制絨清洗設備、PECVD設備、PVD設備、金屬化設備等。 電鍍銅設備：采用金屬銅完全代替銀漿作為柵線電極，具備低成本、高效率等優(yōu)勢。 電池濕法背拋清洗設備（Topcon工藝）鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好；安徽半導體濕法設備廠家

光伏電池濕法設備XBC工藝背拋清洗設備，功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢：進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也相應增加。安徽半導體濕法設備廠家太陽能光伏電池濕法制絨設備（Perc 工藝）能增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也相應增加。

專業(yè)濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu)，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。

電池濕法設備Topcon工藝，拋清洗設備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。濕法制絨設備（Topcon工藝）工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻。

釜川高效六籃濕法制絨清洗設備在安全性方面，設備主要結(jié)構(gòu)采用阻燃或不燃材料，確保安全可靠。進風離子風扇和去靜電環(huán)提供雙重保護，加熱部件則采用多重相異方式保護，從而明顯降低了安全風險。大功率工業(yè)熱水機可以加快配槽速度，通過優(yōu)化程序?qū)崿F(xiàn)能耗平衡。階梯節(jié)水和新型工藝槽換熱進水加溫結(jié)構(gòu)，有效降低了能耗，從而降低了電池生產(chǎn)成本。釜川生產(chǎn)制造的濕法設備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。電池濕法RCA槽式清洗設備（Topcon工藝）拋光槽上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式。合肥電池濕法堿拋制絨

電池濕法制絨設備（Topcon工藝）增加背鈍化膜的膜厚均勻性。安徽半導體濕法設備廠家

電池濕法設備XBC工藝背拋清洗設備，功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢：進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也相應增加。安徽半導體濕法設備廠家