河南雙面微晶異質(zhì)結(jié)PVD

異質(zhì)結(jié)電池整線生產(chǎn)設(shè)備，l在擴(kuò)散的過(guò)程中，pn結(jié)p區(qū)一側(cè)出現(xiàn)負(fù)電荷區(qū)，n區(qū)一側(cè)出現(xiàn)正電荷區(qū)，其形成空間電荷區(qū)，在空間內(nèi)部形成內(nèi)建電場(chǎng)，載流子做漂移運(yùn)動(dòng)，阻礙電子與空穴的擴(kuò)散，達(dá)到平衡，能帶停止相對(duì)移動(dòng)，p區(qū)能帶相對(duì)于n區(qū)上移，n區(qū)能帶相對(duì)于p區(qū)下移，pn結(jié)的費(fèi)米能級(jí)處處相等，即載流子的擴(kuò)散電流和漂移電流相互抵消；pn結(jié)勢(shì)壘區(qū)存在較強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)（自n區(qū)指向p區(qū)），則p區(qū)的電子進(jìn)入n區(qū)，n區(qū)的空穴進(jìn)入p區(qū)，使p端電勢(shì)升高，n端電勢(shì)降低，在pn結(jié)兩端產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)，即為PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。同理，由于光照在PN結(jié)兩端產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)，即在PN結(jié)兩端加上正向偏壓V，則產(chǎn)生正向電流IF，在PN結(jié)開(kāi)路時(shí)，光生電流等于正向電流，PN結(jié)兩端建立起穩(wěn)定的電勢(shì)差VOC，即光電池的開(kāi)路電壓，這就是光電池的基本原理。光伏異質(zhì)結(jié)是一種綠色能源技術(shù)，生產(chǎn)過(guò)程中不產(chǎn)生污染物，符合可持續(xù)發(fā)展的要求。河南雙面微晶異質(zhì)結(jié)PVD

光伏異質(zhì)結(jié)是一種利用半導(dǎo)體材料的光電效應(yīng)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的技術(shù)。其效率是指將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的比例，通常用百分比表示。光伏異質(zhì)結(jié)的效率受到多種因素的影響，包括材料的選擇、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、光譜響應(yīng)、溫度等。目前，光伏異質(zhì)結(jié)的效率已經(jīng)達(dá)到了較高水平。單晶硅太陽(yáng)能電池的效率可以達(dá)到22%左右，而多晶硅太陽(yáng)能電池的效率則在18%左右。此外，還有一些新型材料的光伏異質(zhì)結(jié)，如鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、有機(jī)太陽(yáng)能電池等，其效率也在不斷提高，已經(jīng)達(dá)到了20%以上。雖然光伏異質(zhì)結(jié)的效率已經(jīng)很高，但仍有提高的空間。未來(lái)，隨著新材料、新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，光伏異質(zhì)結(jié)的效率有望進(jìn)一步提高，從而更好地滿足人們對(duì)清潔能源的需求。河南雙面微晶異質(zhì)結(jié)PVD異質(zhì)結(jié)電池主工藝之一：PVD設(shè)備。

異質(zhì)結(jié)電池為對(duì)稱(chēng)的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。HJT電池轉(zhuǎn)換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝?jiǎn)單并且降本路線清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術(shù)。HJT電池為對(duì)稱(chēng)的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。

高效異質(zhì)結(jié)電池整線解決方案，TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)后，電池被用一個(gè)~80納米的透明導(dǎo)電氧化物接觸。~80納米薄的透明導(dǎo)電氧化物（TCO）層和前面的金屬網(wǎng)格。透明導(dǎo)電氧化物通常是摻有Sn的InO（ITO）或摻有Al的ZnO。通常，TCO也被用來(lái)在電池的背面形成一個(gè)介電鏡。因此，為了理解和優(yōu)化整個(gè)a-Si:H/c-Si太陽(yáng)能電池，還必須考慮TCO對(duì)電池光電性能的影響。由于其高摻雜度，TCO的電子行為就像一個(gè)電荷載流子遷移率相當(dāng)?shù)偷慕饘?，而TCO/a-Si:H結(jié)的電子行為通常被假定為類(lèi)似于金屬-半導(dǎo)體結(jié)。  TCO的功函數(shù)對(duì)TCO/a-Si:H/c-Si結(jié)構(gòu)中的帶狀排列以及電荷載流子在異質(zhì)結(jié)上的傳輸起著重要作用。此外，TCO在大約10納米薄的a-Si:H上的沉積通常采用濺射工藝；在此，應(yīng)該考慮到在該濺射工藝中損壞脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工藝優(yōu)化中必須考慮到。高效異質(zhì)結(jié)電池PECVD設(shè)備是制備微晶硅的設(shè)備，其工藝機(jī)理復(fù)雜，影響因素眾多，需要專(zhuān)業(yè)公司制備。

高效HJT電池整線裝備，物理的氣相沉積，PVD優(yōu)點(diǎn)沉積速度快、基材溫升低；所獲得的薄膜純度高、致密性好、成膜均勻性好；濺射工藝可重復(fù)性好，精確控制厚度；膜層粒子的散射能力強(qiáng)，繞鍍性好；不同的金屬、合金、氧化物能夠進(jìn)行混合，同時(shí)濺射于基材上；缺點(diǎn)：常規(guī)平面磁控濺射技術(shù)靶材利用率不高，一般低于40％；在輝光放電中進(jìn)行，金屬離化率較低。反應(yīng)等離子體沉，RPD優(yōu)點(diǎn)：對(duì)襯底的轟擊損傷?。诲儗痈街阅芎?，膜層不易脫落；源材料利用率高，沉積速率高；易于化合物膜層的形成，增加活性；鍍膜所使用的基體材料和膜材范圍廣。缺點(diǎn)：薄膜中的缺陷密度較高，薄膜與基片的過(guò)渡區(qū)較寬，應(yīng)用中受到限制（特別是電子器件和IC）；薄膜中含有氣體量較高。光伏異質(zhì)結(jié)電池PVD設(shè)備連續(xù)完成正背面TCO鍍膜，產(chǎn)能高。廣州異質(zhì)結(jié)

光伏異質(zhì)結(jié)技術(shù)可以與其他先進(jìn)技術(shù)相結(jié)合，如微晶硅鈍化、選擇性發(fā)射極等，進(jìn)一步優(yōu)化電池性能。河南雙面微晶異質(zhì)結(jié)PVD

異高效質(zhì)結(jié)電池HJT是HeterojunctionTechnology的縮寫(xiě)，是一種N型單晶雙面電池，具有工藝簡(jiǎn)單、發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢(shì)。異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池使用晶體硅片進(jìn)行載流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅層進(jìn)行鈍化和結(jié)的形成。頂部電極由透明導(dǎo)電氧化物（TCO）層和金屬網(wǎng)格組成。異質(zhì)結(jié)硅太陽(yáng)能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意，因?yàn)樗鼈兛梢赃_(dá)到很高的轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)26.3%，由隆基團(tuán)隊(duì)對(duì)HJT極限效率進(jìn)行更新為28.5%，同時(shí)使用低溫度加工，通常整個(gè)過(guò)程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓，同時(shí)保持高產(chǎn)量。河南雙面微晶異質(zhì)結(jié)PVD