鄭州N型異質結無銀

高效HJT電池整線裝備，物理的氣相沉積，PVD優(yōu)點沉積速度快、基材溫升低；所獲得的薄膜純度高、致密性好、成膜均勻性好；濺射工藝可重復性好，精確控制厚度；膜層粒子的散射能力強，繞鍍性好；不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；缺點：常規(guī)平面磁控濺射技術靶材利用率不高，一般低于40％；在輝光放電中進行，金屬離化率較低。反應等離子體沉，RPD優(yōu)點：對襯底的轟擊損傷?。诲儗痈街阅芎?，膜層不易脫落；源材料利用率高，沉積速率高；易于化合物膜層的形成，增加活性；鍍膜所使用的基體材料和膜材范圍廣。缺點：薄膜中的缺陷密度較高，薄膜與基片的過渡區(qū)較寬，應用中受到限制（特別是電子器件和IC）；薄膜中含有氣體量較高。光伏異質結技術的不斷進步將進一步推動太陽能產業(yè)的快速發(fā)展和普及。鄭州N型異質結無銀

異質結電池生產設備，本征非晶硅薄膜沉積（i-a-Si:H）i-a-Si:H/c-Si界面處存在復合活性高的異質界面，是由于界面處非晶硅薄膜中的缺陷和界面上的懸掛鍵會成為復合中心，因此需要進行化學鈍化；化學鈍化主要由氫鈍化非晶硅薄膜鈍化層來完成，將非晶硅薄膜中的缺陷和界面懸掛鍵飽和來減少復合性缺陷態(tài)密度。摻雜非晶硅薄膜沉積場鈍化主要在電池背面沉積同型摻雜非晶硅薄層形成背電場，可以削弱界面的復合，達到減少載流子復合和獲取更多光生載流子的目的；摻雜非晶硅薄膜一般采用與沉積本征非晶硅膜層相似的等離子體系統來完成；p型摻雜常用的摻雜源為硼烷(B2H6)混氫,或者三甲基硼(TMB)；n型摻雜則用磷烷混氫（PH3)。優(yōu)越的表面鈍化能力是獲得較高電池效率的重要條件，利用非晶硅優(yōu)異的鈍化效果，可將硅片的少子壽命大幅度提升。江蘇太陽能異質結電池釜川提供高效異質結電池整線設備濕法制絨設備、PVD、PECVD、電鍍銅設備等。

高效異質結電池整線解決方案，TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si異質結后，電池被用一個~80納米的透明導電氧化物接觸。~80納米薄的透明導電氧化物（TCO）層和前面的金屬網格。透明導電氧化物通常是摻有Sn的InO（ITO）或摻有Al的ZnO。通常，TCO也被用來在電池的背面形成一個介電鏡。因此，為了理解和優(yōu)化整個a-Si:H/c-Si太陽能電池，還必須考慮TCO對電池光電性能的影響。由于其高摻雜度，TCO的電子行為就像一個電荷載流子遷移率相當低的金屬，而TCO/a-Si:H結的電子行為通常被假定為類似于金屬-半導體結。  TCO的功函數對TCO/a-Si:H/c-Si結構中的帶狀排列以及電荷載流子在異質結上的傳輸起著重要作用。此外，TCO在大約10納米薄的a-Si:H上的沉積通常采用濺射工藝；在此，應該考慮到在該濺射工藝中損壞脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工藝優(yōu)化中必須考慮到。

異質結電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。HJT電池轉換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術。HJT電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。異質結電池功率高,雙面率高,工序短,低溫工藝,溫度系數低,衰減低等。

HJT電池所有制程的加工溫度均低于250，避免了生產效率低而成本高的高溫擴散制結的過程，而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學帶隙、沉積速率、吸收系數以及氫含量得到較精確的控制，也可避免因高溫導致的熱應力等不良影響。HJT電池轉換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術。HJT電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。光伏異質結是一種高效太陽能電池，具有更高的轉換效率和更低的衰減率。成都高效硅異質結裝備供應商

釜川自主研發(fā)的“零界”高效異質結電池整線制造解決方案已實現設備國產化。鄭州N型異質結無銀

HJT電池整線裝備，形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質結界面的一部分，避免不潔凈引進的缺陷和雜質而帶來的結界面處載流子的復合。堿溶液濃度較低時，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結構的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標，一般可通過添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時間等來進行調節(jié)控制。鄭州N型異質結無銀