浙江零界高效HJT技術(shù)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-18

HJT電池是一種新型的太陽(yáng)能電池,全稱為“高效結(jié)晶硅薄膜太陽(yáng)能電池”。HJT電池采用了一種新的電池結(jié)構(gòu),將硅薄膜太陽(yáng)能電池和異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池結(jié)合在一起,能夠同時(shí)利用兩種電池的優(yōu)點(diǎn),具有高效率、高穩(wěn)定性、高可靠性等特點(diǎn)。HJT電池的主要技術(shù)是異質(zhì)結(jié)技術(shù),即在硅薄膜太陽(yáng)能電池的兩側(cè)分別加上一層p型和n型的硅薄膜,形成一個(gè)p-i-n結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)可以有效地減少電池的反向漏電流,提高電池的效率和穩(wěn)定性。同時(shí),HJT電池還采用了雙面電池結(jié)構(gòu),可以同時(shí)吸收正反兩面的光能,提高了電池的光電轉(zhuǎn)換效率。HJT電池的優(yōu)點(diǎn)在于高效率、高穩(wěn)定性、高可靠性、長(zhǎng)壽命等,可以應(yīng)用于各種太陽(yáng)能電池系統(tǒng),包括家庭光伏發(fā)電系統(tǒng)、商業(yè)光伏發(fā)電系統(tǒng)、工業(yè)光伏發(fā)電系統(tǒng)等。HJT電池的推廣和應(yīng)用將有助于推動(dòng)太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,促進(jìn)可再生能源的普及和應(yīng)用。HJT技術(shù)采用了高效的多晶硅材料,能夠提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。浙江零界高效HJT技術(shù)

浙江零界高效HJT技術(shù),HJT

“零界”高效異質(zhì)結(jié)電池整線制造解決方案已實(shí)現(xiàn)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化,該解決方案疊加了雙面微晶、無(wú)銀或低銀金屬化工藝,提升了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率、良率和產(chǎn)能,并極大降低了生產(chǎn)成本。釜川以半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備為主要產(chǎn)品,打造光伏設(shè)備一體化服務(wù)。擁有強(qiáng)大的科研團(tuán)隊(duì),憑借技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力,在清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、電鍍銅設(shè)備等方面的有獨(dú)特優(yōu)勢(shì);以高效加工制造、快速終端交付的能力,為客戶提供整線工藝設(shè)備的交付服務(wù)。浙江零界高效HJT技術(shù)HJT電池的技術(shù)創(chuàng)新不斷推動(dòng)著產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)更高效、更環(huán)保的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)。

HJT電池的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)1、無(wú)PID現(xiàn)象由于電池上表面為TCO,電荷不會(huì)在電池表面的TCO上產(chǎn)生極化現(xiàn)象,無(wú)PID現(xiàn)象。同時(shí)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)也證實(shí)了這一點(diǎn)。異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的技術(shù)應(yīng)用與前景2、低溫制造工藝HJT電池所有制程的加工溫度均低于250,避免了生產(chǎn)效率低而成本高的高溫?cái)U(kuò)散制結(jié)的過(guò)程,而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學(xué)帶隙、沉積速率、吸收系數(shù)以及氫含量得到較精確的控制,也可避免因高溫導(dǎo)致的熱應(yīng)力等不良影響。3、高效率HJT電池一直在刷新著量產(chǎn)的電池轉(zhuǎn)換效率的世界紀(jì)錄。HJT電池的效率比P型單晶硅電池高1-2%,而且之間的差異在慢慢增大。4、高光照穩(wěn)定性異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的技術(shù)應(yīng)用與前景在HJT太陽(yáng)能電池中不會(huì)出現(xiàn)非晶硅太陽(yáng)能電池中常見的Staebler-Wronski效應(yīng)。同時(shí)HJT電池采用的N型硅片,摻雜劑為磷,幾乎無(wú)光致衰減現(xiàn)象。5、可向薄型化發(fā)展HJT電池的制程溫度低,上下表面結(jié)構(gòu)對(duì)稱,無(wú)機(jī)械應(yīng)力產(chǎn)生,可以順利實(shí)現(xiàn)薄型化;另外經(jīng)研究,對(duì)于少子壽命較高(SRV<100cm/s)的N型硅基底,片子越薄可以得到越高的開路電壓。

高效HJT電池整線設(shè)備,HWCVD 1、熱絲化學(xué)氣相沉積(HotWireCVD,HWCVD)是利用高溫?zé)峤z催化作用使SiH4分解來(lái)制備非晶硅薄膜,對(duì)襯底無(wú)損傷,且成膜質(zhì)量非常好,但鍍膜均勻性較差,且熱絲作為耗材,成本較高;2、HWCVD一般分為三個(gè)階段,一是反應(yīng)氣體在熱絲處的分解反應(yīng),二是基元向襯底運(yùn)輸過(guò)程中的氣相反應(yīng),第三是生長(zhǎng)薄膜的表面反應(yīng)。PECVD鍍膜均勻性較高,工藝窗口寬,對(duì)襯底損傷較大。HWCVD是利用高溫?zé)峤z催化作用使SiH4分解來(lái)成膜,對(duì)襯底無(wú)損傷,且成膜質(zhì)量好,但鍍膜均勻性較差且成本較高。HJT電池的制造過(guò)程中采用了先進(jìn)的熱處理技術(shù),能夠提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

制備種子層的主要作用為提升柵線與 TC+C68:C69O 層之間的導(dǎo)電性和附著力。由于 HJT 電 池電極接觸透明導(dǎo)電薄膜(TCO 層),會(huì)存在電鍍金屬與 TCO 層之間吸附力較差的問(wèn) 題,通常借鑒半導(dǎo)體行業(yè)的方案,在電鍍金屬與 TCO 層之間制備整面“種子層”、掩膜電 鍍后去除掩膜蝕刻未電鍍部分種子層來(lái)解決附著力的問(wèn)題。釜川(無(wú)錫)智能科技有限公司,以半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)設(shè)備為主要產(chǎn)品,打造光伏設(shè)備一體化服務(wù)。擁有強(qiáng)大的科研團(tuán)隊(duì),憑借技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力,在清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、電鍍銅設(shè)備等方面都有獨(dú)特優(yōu)勢(shì);以高效加工制造、快速終端交付的能力,為客戶提供整線工藝設(shè)備的交付服務(wù)。HJT電池的高溫、高濕、高風(fēng)速等環(huán)境適應(yīng)性使其能夠在各種惡劣條件下穩(wěn)定運(yùn)行。深圳自動(dòng)化HJT低銀

HJT電池的制造工藝與PERC電池相似,但結(jié)構(gòu)更加優(yōu)化,使其具有更高的性能。浙江零界高效HJT技術(shù)

HJT的制造工藝主要包括以下幾個(gè)步驟:1.基片制備:選擇合適的基片材料,如硅、鎵砷化鎵等,進(jìn)行表面處理和清洗,以保證后續(xù)工藝的順利進(jìn)行。2.沉積薄膜:利用化學(xué)氣相沉積、物理的氣相沉積等技術(shù),在基片表面沉積一層或多層薄膜,如n型或p型摻雜層、金屬電極等。3.制造異質(zhì)結(jié):通過(guò)摻雜、擴(kuò)散、離子注入等方法,在基片表面形成n型和p型半導(dǎo)體材料的異質(zhì)結(jié)。4.退火處理:將制造好的異質(zhì)結(jié)進(jìn)行高溫退火處理,以提高其電學(xué)性能和穩(wěn)定性。5.制造封裝:將制造好的光伏異質(zhì)結(jié)進(jìn)行封裝,以保護(hù)其免受外界環(huán)境的影響,并方便其在實(shí)際應(yīng)用中的使用。以上是光伏異質(zhì)結(jié)的制造工藝的基本步驟,不同的制造工藝可能會(huì)有所不同,但總體上都是在這些基本步驟的基礎(chǔ)上進(jìn)行的。浙江零界高效HJT技術(shù)