廣東半導(dǎo)體濕法設(shè)備報價

來源: 發(fā)布時間:2023-12-24

電池濕法設(shè)備Topcon工藝,使用強堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結(jié)構(gòu),提高硅片對長波的吸收2.增加背鈍化膜的膜厚均勻性3.降低了背面的表面積,提升了少子壽命,降低背面復(fù)合速率。進口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內(nèi)控溫精度誤差<±1℃。濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)去硅片除背面PSG和拋光處理。廣東半導(dǎo)體濕法設(shè)備報價

廣東半導(dǎo)體濕法設(shè)備報價,濕法

光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。山東濕法設(shè)備XBC工藝光伏電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。

廣東半導(dǎo)體濕法設(shè)備報價,濕法

專業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內(nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。

電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進口PLC控制,兼容MES,UPS和RFID功能。機械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內(nèi)控溫精度誤差<±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出;引進半導(dǎo)體清洗工藝,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。電池濕法RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)拋光槽上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式。

廣東半導(dǎo)體濕法設(shè)備報價,濕法

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對太陽能電池用硅片進行清洗處理,雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴層PSG進行去除,利用背面PSG保護,在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸,整機設(shè)計為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu),料臺歸正寬度可調(diào),兼容更多規(guī)格的硅片,并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口;去PSG設(shè)備布局前后通透,給設(shè)備使用者提供了便捷性;上料臺搭配了大流量全新滴液泵;光伏電池濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)機械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時。廣東半導(dǎo)體濕法設(shè)備報價

濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式。廣東半導(dǎo)體濕法設(shè)備報價

光伏電池濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng),保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽:上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式,完整的保護正面的同時,對背面作拋光處理。l烘干槽:采用高壓風(fēng)機+高效過濾器的方式,l鏈式去BSG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。l進口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻,槽內(nèi)控溫精度誤差<±1℃。廣東半導(dǎo)體濕法設(shè)備報價