江蘇氧化物陶瓷靶材多少錢

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-07-31

平板顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個(gè)產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜,主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極,用量比較大的是氧化銦錫(ITO)靶材,其次還有鉬、鋁、硅等金屬靶材。1)平板顯示面板的生產(chǎn)工藝中,玻璃基板要經(jīng)過多次濺射鍍膜形成ITO 玻璃,然后再經(jīng)過鍍膜,加工組裝用于生產(chǎn)LCD 面板、PDP 面板及OLED 面板等;2)觸控屏的生產(chǎn)則還需將ITO 玻璃進(jìn)行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極,再與防護(hù)屏等部件組裝加工而成。采用硅靶材濺鍍形成的二氧化硅膜則主要起增加玻璃與ITO 膜的附著力和平整性、表面鈍化和保護(hù)等作用,MoAlMo(鉬鋁鉬)靶材鍍膜后蝕刻主要起金屬引線搭橋的作用。此外,為了實(shí)現(xiàn)平板顯示產(chǎn)品的抗反射、消影等功能,還可以在鍍膜環(huán)節(jié)中增加相應(yīng)膜層的鍍膜。ITO靶材是將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后經(jīng)過生產(chǎn)加工成型,再高溫氣氛燒結(jié)形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體。江蘇氧化物陶瓷靶材多少錢

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靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材(如氧化物、碳化物、氮化物等)和脆性材料濺射靶材(如鉻、銻、鉍等)中。陶瓷或脆性材料目標(biāo)始終包含固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造過程中產(chǎn)生的。此外,這些應(yīng)力不能通過退火過程完全消除,因?yàn)樗沁@些材料的固有特性。在濺射過程中,轟擊的氣體離子將其動(dòng)量傳遞給目標(biāo)原子,為它們提供足夠的能量來脫離晶格。這種放熱動(dòng)量傳遞增加了目標(biāo)的溫度,在原子水平上可能達(dá)到1,000,000攝氏度。這些熱沖擊將目標(biāo)中已經(jīng)存在的內(nèi)部應(yīng)力增加到許多倍。在這種情況下,如果不注意適當(dāng)?shù)纳幔胁目赡軙?huì)開裂。靶材開裂預(yù)防措施為了防止靶材開裂,重要的考慮因素是散熱。一方面運(yùn)用水冷機(jī)制來去除靶材中不需要的熱能,另一方面考慮提高功率,在很短的時(shí)間內(nèi)提升功率也會(huì)給目標(biāo)帶來熱沖擊。此外,建議將這些靶材綁定到背板上,這不僅為靶材提供支撐,而且還促進(jìn)靶材與水之間更好的熱交換。如果靶材破裂有背板加持的情況下,它仍然可以毫無問題地使用。青海陶瓷靶材ITO靶材中氧化銦:氧化錫的配比分為90:10,93:7,95:5, 97:3, 99:1。

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ITO陶瓷靶材在磁控濺射過程中,靶材表面受到Ar轟擊和被濺射原子再沉積的多重作用而發(fā)生復(fù)雜的物理化學(xué)變化,ITO靶材表面會(huì)產(chǎn)生許多小的結(jié)瘤,這個(gè)現(xiàn)象被稱為ITO靶材的毒化現(xiàn)象。靶材結(jié)瘤毒化后.靶材的濺射速率降低,孤光放電頻率增加,所制備的薄膜電阻增加,透光率降低且均一性變差,此時(shí)必須停止濺射,清理靶材表面或更換靶材,這嚴(yán)重降低濺射鍍膜效率。目前對(duì)于結(jié)瘤形成機(jī)理尚未有統(tǒng)一定論,如孔偉華研究了不同密度ITO陶瓷材磁控射后的表面形貌,認(rèn)為結(jié)瘤是In2O3、分解所致,導(dǎo)電導(dǎo)熱性能不好的In2O3又成為熱量聚集的中心,使結(jié)瘤進(jìn)一步發(fā)展;姚吉升等研究了結(jié)瘤物相組成及化學(xué)組分,認(rèn)為結(jié)瘤是偏離了化學(xué)計(jì)量的ITO材料在靶材表面再沉積的結(jié)果;Nakashima等采用In2O3和SnO2,的混合粉末制備ITO靶材,研究了SnO2,分布狀態(tài)對(duì)靶材表面結(jié)瘤形成速率的影響,認(rèn)為低濺射速率的SnO2,在ITO靶材中的不均勻分布是結(jié)瘤的主要原因。盡管結(jié)瘤機(jī)理尚不明確,但毋庸置疑的是,結(jié)瘤的產(chǎn)生嚴(yán)重影響ITO陶瓷靶材的濺射性能,因此,對(duì)結(jié)瘤的形成機(jī)理進(jìn)行深入研究具有重要意義。

濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、導(dǎo)磁率、超高密度與超細(xì)晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上,使其被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬,合金,陶瓷化合物等。ITO靶材被廣泛應(yīng)用于各大行業(yè)之中,其主要應(yīng)用分為:顯示行業(yè)、薄膜太陽能電池、功能性玻璃,等三大領(lǐng)域。

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從ITO靶材制備方法來看,制備方法多樣,冷等靜壓優(yōu)勢(shì)突出。ITO靶材的制備方法主要有4種,分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫?zé)Y(jié)法、冷等靜壓法。冷等靜壓法制備ITO靶材優(yōu)點(diǎn):1)冷等靜壓法壓力較大,工件受力相對(duì)更加均勻,尤其適用于壓制大尺寸粉末制品,符合ITO靶材大尺寸的發(fā)展趨勢(shì);2)產(chǎn)品的密度相對(duì)更高,更加地均勻;3)壓粉不需要添加任何潤(rùn)滑劑;4)生產(chǎn)成本低,適合大規(guī)模生產(chǎn)。從冷等靜壓法主要制備流程看:1)制備粉末,選取氧化銦與二氧化錫(純度99.99%)進(jìn)行乳化砂磨。其中加入2%—4%的聚乙烯醇(PVA)和30%的純水進(jìn)行砂磨。然后進(jìn)行噴霧干燥,調(diào)節(jié)噴霧干燥塔參數(shù),噴霧制備不同松裝密度的ITO粉末。再將ITO粉末進(jìn)行篩網(wǎng)篩分,獲得合格的ITO粉末;2)制備素胚,將ITO粉末裝入橡膠模具中振實(shí),密封投料口,進(jìn)行冷等靜壓,得到靶材素坯;3)結(jié)燒,將素坯放置于常壓燒結(jié)爐中,保溫溫度為1450—1600℃,采用多個(gè)階段保溫?zé)Y(jié),燒結(jié)過程中通入氧氣。ITO濺射靶材的發(fā)展趨勢(shì)!吉林顯示行業(yè)陶瓷靶材

靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。江蘇氧化物陶瓷靶材多少錢

靶材是半導(dǎo)體、顯示面板、異質(zhì)結(jié)光伏領(lǐng)域等的關(guān)鍵材料,存在工藝不可替代性。據(jù)測(cè)算 2019年全球靶材市場(chǎng)規(guī)模在 160 億美元左右,而國(guó)內(nèi)總需求占比超 30%。本土廠商供給約占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的 30%,以中低端產(chǎn)品為主,先進(jìn)靶材主要從美日韓進(jìn)口,當(dāng)前國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)靶材合計(jì)營(yíng)收在 30-40 億元范圍,占國(guó)內(nèi)總需求 10%左右。國(guó)家 863 計(jì)劃、02 專項(xiàng)、進(jìn)口關(guān)稅、材料強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略等政策大力扶持,國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行且空間巨大,批量訂單也將持續(xù)向前列梯隊(duì)企業(yè)聚集。江蘇氧化物陶瓷靶材多少錢

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標(biāo)簽: 陶瓷靶材