湖南智能玻璃陶瓷靶材推薦廠(chǎng)家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-07-26

鍍膜的主要工藝有PVD和化學(xué)氣相沉積(CVD)。(1)PVD技術(shù)是目前主流鍍膜方法,其中的濺射工藝在半導(dǎo)體、顯示面板應(yīng)用廣。PVD技術(shù)分為真空蒸鍍法、濺鍍法和離子鍍法。三種方法各有優(yōu)劣勢(shì):真空蒸鍍法對(duì)于基板材質(zhì)沒(méi)有限制;濺鍍法薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜好;離子鍍法的繞鍍能力強(qiáng),清洗過(guò)程簡(jiǎn)化,但在高功率下影響鍍膜質(zhì)量。不同方法的選擇主要取決于產(chǎn)品用途與應(yīng)用場(chǎng)景。(2)CVD技術(shù)主要通過(guò)化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)引入反應(yīng)室,在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。陶瓷靶材的制備工藝難點(diǎn);湖南智能玻璃陶瓷靶材推薦廠(chǎng)家

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如何制成良好的陶瓷靶材也是需要注意的地方。1.成型方法:為了減少陶瓷靶材的氣孔,提高薄膜性能,要求濺射陶瓷靶材具有高密度、低氣孔率、高密度意味著陶瓷體內(nèi)晶粒排列緊密,在承受外界載荷或腐蝕性物質(zhì)侵蝕的時(shí)候不易形成破壞性的突破點(diǎn)。而要得到鈣質(zhì)密度的陶瓷胚體,成型方法是關(guān)鍵。陶瓷靶材的成型一般采用干壓、等靜壓、熱壓鑄等方法。不同的方法具有不同的特點(diǎn)。2.原料粒度:原料粉粒度對(duì)陶瓷靶材形成的薄膜質(zhì)量有很大的影響,只有原料足夠細(xì),燒制成品才有可能形成微結(jié)構(gòu),使他具有很好的耐磨性。粉料顆粒越細(xì),活性也越大,可促進(jìn)燒結(jié),制成的瓷強(qiáng)度也越高,小顆粒還可以分散由于剛玉和玻璃相線(xiàn)膨脹系數(shù)不同在晶界處造成的應(yīng)力集中,減少開(kāi)裂的危險(xiǎn)性,細(xì)的晶粒還能妨礙微裂紋的發(fā)展,不易在成穿晶斷裂,有利于提高斷裂韌性,還可以提高耐磨性。3.燒結(jié):陶瓷的燒結(jié),簡(jiǎn)單的講就是陶瓷生坯在高溫下的致密化過(guò)程。隨著溫度的上升和時(shí)間的延長(zhǎng),粉末顆粒之間發(fā)生粘結(jié),燒結(jié)體的強(qiáng)度增加,把粉末顆粒的聚集體變?yōu)閳?jiān)強(qiáng)的具有某種顯微結(jié)構(gòu)的多晶燒結(jié)體,并獲得所需的物理,機(jī)械性能的制品或材料。樣品的致密化速率、結(jié)構(gòu)往往也反應(yīng)了它經(jīng)歷過(guò)什么樣的熱處理過(guò)程。 湖南智能玻璃陶瓷靶材推薦廠(chǎng)家超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的濺射工藝屬于PVD技術(shù)的一種,是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一。

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磁控濺射時(shí)靶材表面變黑我們可以想到的1、可能靶材是多孔的,(細(xì)孔)在孔中有一些有機(jī)污染物(極端可能性);2、可能靶材有點(diǎn)粗糙,用紙巾用異丙醇擦拭,粗糙的表面在目標(biāo)表面保留了一些細(xì)薄的組織纖維,這可能是碳污染的來(lái)源;3、沉積速率可能相當(dāng)高,并產(chǎn)生非常粗糙的沉積物;4、基板與靶材保持非常接近,在目前的濺射條件下(功率、壓力、子靶材距離)有一些發(fā)熱,氣體中有一些污染;5、真空室漏氣或漏水,真空室內(nèi)有揮發(fā)的成分,沒(méi)有充入氬氣,充入空氣或其他氣體,可能引起中毒,這些成分與靶材反應(yīng),變成黑色物質(zhì)覆蓋靶材表面。

靶材主要用于生成太陽(yáng)能薄膜電池的背電極,晶體硅太陽(yáng)能電池較少用到濺射靶材。太陽(yáng)能電池主要包括晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池,晶體硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率較高、性能穩(wěn)定,且各個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)比較成熟,占據(jù)了太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。而晶體硅太陽(yáng)能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽(yáng)能電池以及PVD工藝高轉(zhuǎn)化率硅片太陽(yáng)能電池,其中硅片涂覆型太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材,目前靶材主要用于太陽(yáng)能薄膜電池領(lǐng)域。靶材濺射鍍膜形成的太陽(yáng)能薄膜電池的背電級(jí)主要有三個(gè)用途:一,它是各單體電池的負(fù)極;二,它是各自電池串聯(lián)的導(dǎo)電通道;三,它可以增加太陽(yáng)能電池對(duì)光的反射。太陽(yáng)能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀,對(duì)純度要求沒(méi)有半導(dǎo)體芯片用靶材要求高,一般在99.99%以上。目前制備太陽(yáng)能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜,鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜,ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。靶材開(kāi)裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材和脆性材料濺射靶材(如鉻、銻、鉍等)中。

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ITO靶材生產(chǎn)過(guò)程包括金屬提純和靶材制造兩個(gè)主要環(huán)節(jié)。因高純金屬原料的品質(zhì)影響靶材的導(dǎo)電性能等性狀,對(duì)成膜的質(zhì)量有較大影響,且靶材種類(lèi)繁多,客戶(hù)需求非標(biāo),定制屬性明顯。故而金屬提純環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘及附加值均較高。其中銦屬于稀散金屬,因其具有可塑性、延展性、光滲透性和導(dǎo)電性等特點(diǎn),而以化合物、合金的形式被廣泛應(yīng)用。目前,銦的主要應(yīng)用領(lǐng)域是平板顯示領(lǐng)域,包括ITO靶材及新興的銦鎵鋅氧化物(IGZO)靶材,占全球銦消費(fèi)量的80%;其次是半導(dǎo)體領(lǐng)域、焊料和合金領(lǐng)域、太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域等。生產(chǎn)ITO靶材對(duì)于銦的純度要求一般在4N5及以上,生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體材料對(duì)于銦的純度要求則更高,一般在6N及以上。鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜,鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜,ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。廣東AZO陶瓷靶材售價(jià)

靶材間隙對(duì)大面積鍍膜的影響除了致密化,如果靶材在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)異常,大顆粒會(huì)因受熱而脫落或縮孔。湖南智能玻璃陶瓷靶材推薦廠(chǎng)家

氧化鋁薄膜是一種重要的功能薄膜材料,由于具有較高的介電常數(shù)、高熱導(dǎo)率、抗輻照損傷能力強(qiáng)、抗堿離子滲透能力強(qiáng)以及在很寬的波長(zhǎng)范圍內(nèi)透明等諸多優(yōu)異的物理、化學(xué)性能,使其在微電子器件、電致發(fā)光器件、光波導(dǎo)器件以及抗腐蝕涂層等眾多領(lǐng)域有著廣的應(yīng)用。磁控濺射具有濺射鍍膜速度快,膜層致密,附著性好等特點(diǎn),很適合于大批量,高效率工業(yè)生產(chǎn)等明顯優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用日趨廣,成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術(shù)之一。濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場(chǎng)的作用下,對(duì)陰極靶材表面進(jìn)行轟擊,把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來(lái),被濺射出來(lái)的粒子帶有一定的動(dòng)能,沿一定的方向射向基體表面,在基體表面形成鍍層。用這種技術(shù)制備氧化鋁膜時(shí)一般都以純鋁為靶材,濺射用的惰性氣體通常選擇氬氣(Ar),因?yàn)樗臑R射率比較高。用氬離子轟擊鋁靶并通入氧氣,濺射出的鋁離子和電離得到的氧離子沉積到基片上從而得到氧化鋁膜。按磁控濺射中使用的離子源不同,磁控濺射方法有以下幾種:①直流反應(yīng)磁控濺射;②脈沖磁控濺射;③射頻磁控濺射;④微波-ECR等離子體增強(qiáng)磁控濺射;⑤交流反應(yīng)磁控濺射等。湖南智能玻璃陶瓷靶材推薦廠(chǎng)家

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