重慶激光二極管的用途

來源: 發(fā)布時間:2023-08-17

激光二極管:激光二極管具有體積小、重量輕、耗電低、驅動電路簡單、調制方便、耐機械沖擊以及抗震動等優(yōu)點,但它對過電流、過電壓以及靜電干擾極為敏感,因此,在使用時,要特別注意不要使其工作參數(shù)超過其比較大允許值。晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。激光二極管就選深圳市凱軒業(yè)科技,竭誠為您服務。重慶激光二極管的用途

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上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過半導體時,一旦經(jīng)過已發(fā)射的電子—空穴對附近,就能激勵二者復合,產(chǎn)生新光子,這種光子誘使已激發(fā)的載流子復合而發(fā)出新光子現(xiàn)象稱為受激輻射。如果注入電流足夠大,則會形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布,即粒子數(shù)反轉。當有源層內的載流子在大量反轉情況下,少量自發(fā)輻射產(chǎn)生的光子由于諧振腔兩端面往復反射而產(chǎn)生感應輻射,造成選頻諧振正反饋,或者說對某一頻率具有增益。當增益大于吸收損耗時,就可從PN結發(fā)出具有良好譜線的相干光——激光,這就是激光二極管的簡單原理。隨著技術和工藝的發(fā)展,目前實際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結構。常用的激光二極管有兩種:①PIN光電二極管。它在收到光功率產(chǎn)生光電流時,會帶來量子噪聲。②雪崩光電二極管。它能夠提供內部放大,比PIN光電二極管的傳輸距離遠,但量子噪聲更大。為了獲得良好的信噪比,光檢測器件后面須連接低噪聲預放大器和主放大器。江西激光二極管批發(fā)廠家如果激光二極管通過放大得到的增益(Gain)高于內部損耗和磁鏡損耗,則產(chǎn)生振蕩。即存在振蕩電流閾值。

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3.二極管原理二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的PN結,在其界面處兩側形成了空間電荷層,并且建有自建電場。1)當二極管兩側的外加電壓等于零時,由于PN結兩邊載流子的濃度差起打散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性。2)當二極管兩側加正向偏置電壓時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。大多數(shù)二極管都是利用的二極管的正向導電性原理制成的,例如肖特基二極管、發(fā)光二極管等。3)當二極管兩側加有反向偏置電壓時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流Io。

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物,在1550nm波段內,**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟,國際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結構,有源區(qū)為應變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導結構。有源區(qū)附近的光波導區(qū)為DFB光柵,采用一些特殊的設計,如:波紋坡度可調分布耦合、復耦合、吸收耦合、增益耦合、復合非連續(xù)相移等結構,提高器件性能。生產(chǎn)技術中,金屬有機化學汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度,生長效率高,適合大批量制作,反應離子束刻蝕能保證光柵幾何圖形的均勻性,電子束產(chǎn)生相位掩膜刻蝕可一步完成陣列光柵的制作。1550nmDFB-LD開始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光傳輸系統(tǒng)設備,對波長的選擇使DFB-LD在大容量、長距離光纖通信中成為主要光源。激光二極管具有體積小、重量輕、耗電低、驅動電路簡單、調制方便、耐機械沖擊以及抗震動等優(yōu)點。

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同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調制器的單芯片光源也在發(fā)展中。研制成功的電吸收調制器集成光源,采用有源層與調制器吸收層共用多QW結構。調制器的作用如同一個高速開關,把LD輸出變換成二進制的0和1。在一塊芯片上形成40種不同的折射光柵,波長1530--1590nm的40路調制器集成光源,信道間隔為200GHz。其開發(fā)目標是集成100個發(fā)射波長的LD陣列,以進行9.5THz超大容量的通信。VCESLVCESL(垂直腔面發(fā)射激光)二極管的特點如下:從其頂部發(fā)射出圓柱形射束,射束無需進行不對稱矯正或散光矯正,即可調制成用途***的環(huán)形光束,易與光纖耦合;轉換效率非常高,功耗*為邊緣發(fā)射LD的幾分之一;調制速度快,在1GHz以上;閾值很低,噪聲小;重直腔面很小,易于高密度大規(guī)模制作和成管前整片檢測、封裝、組裝,成本低。為了避免激光二極管因承受過大的反向電壓而造成擊穿損壞,可在其兩端反并聯(lián)上快速硅二極管。江西激光二極管批發(fā)廠家

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激光二極管包括單異質結(SH)、雙異質結(DH)和量子阱(QW)激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低,輸出功率高的優(yōu)點,是市場應用的主流產(chǎn)品。同激光器相比,激光二極管具有效率高、體積小、壽命長的優(yōu)點,但其輸出功率小,線性差、單色性不太好,使其在有線電視系統(tǒng)中的應用受到很大限制,不能傳輸多頻道,高性能模擬信號。在雙向光接收機的回傳模塊中,上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。單個激光發(fā)射器提供的功率輸出范圍可以從毫瓦到幾瓦。每個激光發(fā)射器既可單獨使用,也能組合成激光二極管條,用于固態(tài)激光器的光泵浦,或集成到激光二極管模組中,滿足各種應用需求。新特光電的分高功率激光二極管產(chǎn)品提供豐富的波長選擇(覆蓋760nm-2800nm)以及多種封裝規(guī)格(TO-3,TO-5,Butterfly等),并可根據(jù)具體應用要求提供波長及封裝定制服務。重慶激光二極管的用途

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