膜厚儀產(chǎn)品使用誤區(qū)

光纖白光干涉測量使用的是寬譜光源。在選擇光源時，需要重點考慮光源的輸出光功率和中心波長的穩(wěn)定性。由于本文所設(shè)計的解調(diào)系統(tǒng)是通過測量干涉峰值的中心波長移動來實現(xiàn)的，因此光源中心波長的穩(wěn)定性對實驗結(jié)果會產(chǎn)生很大的影響。實驗中我們選擇使用由INPHENIX公司生產(chǎn)的SLED光源，相對于一般的寬帶光源具有輸出功率高、覆蓋光譜范圍寬等優(yōu)點。該光源采用+5V的直流供電，標(biāo)定中心波長為1550nm，且其輸出功率在一定范圍內(nèi)可調(diào)。驅(qū)動電流可以達到600mA。白光干涉膜厚儀的應(yīng)用非常廣，特別是在半導(dǎo)體、光學(xué)、電子和化學(xué)等領(lǐng)域。膜厚儀產(chǎn)品使用誤區(qū)

由于不同性質(zhì)和形態(tài)的薄膜對系統(tǒng)的測量量程和精度的需求不盡相同，因而多種測量方法各有優(yōu)缺，難以一概而論。按照薄膜厚度的增加，適用的測量方式分別為橢圓偏振法、分光光度法、共聚焦法和干涉法。對于小于1μm的較薄薄膜，白光干涉輪廓儀的測量精度較低，分光光度法和橢圓偏振法較適合。而對于小于200nm的薄膜，由于透過率曲線缺少峰谷值，橢圓偏振法結(jié)果更加可靠?；诎坠飧缮嬖淼墓鈱W(xué)薄膜厚度測量方案目前主要集中于測量透明或者半透明薄膜，通過使用不同的解調(diào)技術(shù)處理白光干涉的圖樣，得到待測薄膜厚度。本章在詳細研究白光干涉測量技術(shù)的常用解調(diào)方案、解調(diào)原理及其局限性的基礎(chǔ)上，分析得到了常用的基于兩個相鄰干涉峰的白光干涉解調(diào)方案不適用于極短光程差測量的結(jié)論。在此基礎(chǔ)上，我們提出了基于干涉光譜單峰值波長移動的白光干涉測量解調(diào)技術(shù)。測量膜厚儀大概價格多少白光干涉膜厚儀需要進行校準(zhǔn)，并選擇合適的標(biāo)準(zhǔn)樣品。

薄膜是指分子 、原子或者是離子在基底表面沉積形成的一種特殊的二維材料。近幾十年來，隨著材料科學(xué)和鍍膜工藝的不斷發(fā)展，厚度在納米量級（幾納米到幾百納米范圍內(nèi)）薄膜的研究和應(yīng)用迅速增加。與體材料相比，因為納米薄膜的尺寸很小，使得表面積與體積的比值增加，表面效應(yīng)所表現(xiàn)出的性質(zhì)非常突出，因而在光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)性質(zhì)上有許多獨特的表現(xiàn)。納米薄膜應(yīng)用于傳統(tǒng)光學(xué)領(lǐng)域，在生產(chǎn)實踐中也得到了越來越廣泛的應(yīng)用，尤其是在光通訊、光學(xué)測量，傳感，微電子器件，生物與醫(yī)學(xué)工程等領(lǐng)域的應(yīng)用空間更為廣闊。

光譜擬合法易于測量具有應(yīng)用領(lǐng)域，由于使用了迭代算法，因此該方法的優(yōu)缺點在很大程度上取決于所選擇的算法。隨著各種全局優(yōu)化算法的引入，遺傳算法和模擬退火算法等新算法被用于薄膜參數(shù)的測量。其缺點是不夠?qū)嵱?，該方法需要一個較好的薄膜的光學(xué)模型（包括色散系數(shù)、吸收系數(shù)、多層膜系統(tǒng)），但是在實際測試過程中，薄膜的色散和吸收的公式會有出入，尤其是對于多層膜體系，建立光學(xué)模型非常困難，無法用公式準(zhǔn)確地表示出來。在實際應(yīng)用中只能使用簡化模型，因此，通常全光譜擬合法不如極值法有效。另外該方法的計算速度慢也不能滿足快速計算的要求。操作需要一定的專業(yè)技能和經(jīng)驗，需要進行充分的培訓(xùn)和實踐。

自上世紀(jì)60年代起，利用X及β射線、近紅外光源開發(fā)的在線薄膜測厚系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于西方先進國家的工業(yè)生產(chǎn)線中。到20世紀(jì)70年代后，為滿足日益增長的質(zhì)檢需求，電渦流、電磁電容、超聲波、晶體振蕩等多種膜厚測量技術(shù)相繼問世。90年代中期，隨著離子輔助、離子束濺射、磁控濺射、凝膠溶膠等新型薄膜制備技術(shù)取得巨大突破，以橢圓偏振法和光度法為展示的光學(xué)檢測技術(shù)以高精度、低成本、輕便環(huán)保、高速穩(wěn)固為研發(fā)方向不斷迭代更新，迅速占領(lǐng)日用電器及工業(yè)生產(chǎn)市場，并發(fā)展出依據(jù)用戶需求個性化定制產(chǎn)品的能力。其中，對于市場份額占比較大的微米級薄膜，除要求測量系統(tǒng)不僅具有百納米級的測量準(zhǔn)確度及分辨力以外，還要求測量系統(tǒng)在存在不規(guī)則環(huán)境干擾的工業(yè)現(xiàn)場下，具備較高的穩(wěn)定性和抗干擾能力。這種膜厚儀可以測量大氣壓下，1nm到1mm范圍內(nèi)的薄膜厚度。光干涉膜厚儀供應(yīng)

可測量大氣壓下薄膜厚度在1納米到1毫米之間。膜厚儀產(chǎn)品使用誤區(qū)

薄膜干涉原理根據(jù)薄膜干涉原理…，當(dāng)波長為^的單色光以人射角f從折射率為n．的介質(zhì)入射到折射率為n：、厚度為e的介質(zhì)膜面(見圖1)時，干涉明、暗紋條件為：

2e(n₂²一n₁²sin2i)1/2＋δ’=kλ，k=1,2,3,4,5...(1)

2e(n₂²一n₁²sin2i)1/2＋δ’=（2k＋1）λ/2，k=0，1,2,3,4...（2）

E式中k為干涉條紋級次；δ’為半波損失．

普通物理教材中討論薄膜干涉問題時，均近似地認為，δ’是指入射光波在光疏介質(zhì)中前進，遇到光密介質(zhì)i的界面時，在不超過臨界角的條件下，不論人射角的大小如何，在反射過程中都將產(chǎn)生半個波長的損失(嚴格地說， 只在掠射和正射情況下反射光的振動方向與入射光的振動方向才幾乎相反)，故δ’是否存在決定于n1,n2,n3大小的比較。當(dāng)膜厚e一定，而入射角j可變時，干涉條紋級次^隨f而變，即同樣的人射角‘對應(yīng)同一級明紋(或暗紋)，叫等傾干涉，如以不同的入射角入射到平板介質(zhì)上．當(dāng)入射角￡一定，而膜厚。可變時，干涉條紋級次隨。而變，即同樣的膜厚e對應(yīng)同一級明紋(或暗紋)。叫等厚干涉，如劈尖干涉和牛頓環(huán)． 膜厚儀產(chǎn)品使用誤區(qū)